Ìdàgbàsókè Epitaxial, tí a sábà máa ń pè ní epitaxy, jẹ́ ọ̀kan lára àwọn ìlànà pàtàkì jùlọ nínú ṣíṣe àwọn ohun èlò àti ẹ̀rọ semiconductor. Ohun tí a ń pè ní ìdàgbàsókè epitaxial wà ní àwọn ipò kan nínú substrate kristal kan lórí ìdàgbàsókè ti fẹlẹfẹlẹ ti ilana fiimu kanṣoṣo, ìdàgbàsókè ti fiimu kan ṣoṣo ni a ń pè ní epitaxial layer technology epitaxial ni ìbẹ̀rẹ̀ ọdún 1960 nínú ìwádìí silicon kan ṣoṣo-crystal thin film lórí ìpìlẹ̀ ìdàgbàsókè ti fẹ́rẹ̀ tó ìdajì ọ̀rúndún báyìí, àwọn ènìyàn ti ní àǹfààní láti ṣe onírúurú fíìmù semiconductor lábẹ́ àwọn ipò kan ti ìdàgbàsókè epitaxial. Ìmọ̀-ẹ̀rọ Epitaxial ti yanjú ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìṣòro nínú semiconductor dispensitor components àti integrated circuits, ó ń mú kí iṣẹ́ ẹ̀rọ náà sunwọ̀n síi. Epitaxial film le ṣàkóso sisanra rẹ̀ àti àwọn ohun-ìní doping rẹ̀ lọ́nà tí ó péye, ẹ̀yà ara yìí ti yọrí sí ìdàgbàsókè kíákíá ti semiconductor integrated circuits, sí ìpele pípé jù. Silicon single crystal nípa gígé, lílọ, lílò àti àwọn ọ̀nà ìṣiṣẹ́ mìíràn, láti gba dì dídán, o le ṣe àwọn ohun èlò dispensive àti integrated circuits lórí rẹ̀. Ṣùgbọ́n ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìgbà, ìwé dídán yìí nìkan ni a fi ń ṣe àtìlẹ́yìn fún substrate, nínú èyí tí ó ṣe pàtàkì láti kọ́kọ́ gbin fẹlẹfẹlẹ kan ti fiimu kan ṣoṣo pẹ̀lú irú conductivity àti resistance tó yẹ, lẹ́yìn náà àwọn èròjà tí a yà sọ́tọ̀ tàbí àwọn iyika tí a ṣepọpọ̀ tí a ṣe nínú fíìmù kan ṣoṣo-kristal. Ọ̀nà yìí ni a lò, fún àpẹẹrẹ, nínú iṣẹ́dá àwọn transistors silicon high-frequency high-frequency, tí ó ń yanjú ìjà láàárín foliteji ìfọ́ àti resistance jara. Olùkójọ transistor náà nílò foliteji ìfọ́ ga, èyí tí a pinnu nípasẹ̀ resistance ti pn interconnection ti silicon wafer. Láti lè bá ìbéèrè yìí mu, a nílò àwọn ohun èlò resistance gíga. Àwọn ènìyàn nínú àwọn ohun èlò resistance kékeré n-type tí a fi sínú rẹ̀ lórí epitaxial ọ̀pọ̀lọpọ̀ sí méjìlá microns tí ó nípọn díẹ̀ sí méjìlá microns tí ó nípọn díẹ̀ sí ìwọ̀n ìpele n-type gíga tí a fi sínú rẹ̀, iṣẹ́ transistor nínú epitaxial layer, èyí tí ó ń yanjú foliteji ìfọ́ ga tí a nílò nípasẹ̀ resistance gíga àti resistance jara alakójọ kékeré tí resistance kékeré tí ó wà láàárín rẹ̀ nílò.
Ìdàgbàsókè epitaxial gaasi ni ìlò àkọ́kọ́ nínú pápá semiconductor ti ìmọ̀ ẹ̀rọ ìdàgbàsókè epitaxial tí ó dàgbà jù, èyí tí ó kó ipa pàtàkì nínú ìdàgbàsókè ìmọ̀ ìjìnlẹ̀ semiconductor, tí ó ń ṣe àfikún gidigidi sí dídára àwọn ohun èlò semiconductor àti ìdàgbàsókè iṣẹ́ wọn. Lọ́wọ́lọ́wọ́, ìpèsè fíìmù epitaxial semiconductor kan ṣoṣo ni ọ̀nà pàtàkì jùlọ fún ìdúró eruku kemikali. Ohun tí a ń pè ní ìdúró eruku kemikali, ìyẹn ni, lílo àwọn ohun èlò gaseous lórí ojú líle ti ìṣe kẹ́míkà, ìlànà ṣíṣe àwọn ìdúró eruku líle. Ìmọ̀ ẹ̀rọ CVD le mú kí àwọn fíìmù kirisita kan ṣoṣo tí ó ní ìdàgbàsókè gíga dàgbà, láti gba irú doping tí a nílò àti sisanra epitaxial, tí ó rọrùn láti ṣe àgbékalẹ̀ ibi-pupọ, nítorí náà a ti lò ó ní ibi púpọ̀ nínú ilé iṣẹ́. Nínú ilé iṣẹ́, wafer epitaxial tí CVD pèsè sábà máa ń ní àwọn ìpele kan tàbí jù bẹ́ẹ̀ lọ tí a ti rì mọ́lẹ̀, èyí tí a lè lò láti ṣàkóso ìṣètò ẹ̀rọ àti ìpínkiri doping nípa títànkálẹ̀ tàbí ìfilọ́lẹ̀ ion; àwọn ohun-ìní ti ara ti Layer epitaxial CVD yàtọ̀ sí ti ohun èlò tí ó pọ̀ jù, àti pé atẹ́gùn àti èròjà erogba ti Layer epitaxial ní gbogbogbòò kéré gan-an, èyí tí ó jẹ́ àǹfààní rẹ̀. Sibẹsibẹ, fẹlẹfẹlẹ epitaxial CVD rọrun lati ṣe agbekalẹ doping ara ẹni, ninu awọn ohun elo to wulo nilo lati ṣe awọn igbese kan lati dinku fẹlẹfẹlẹ epitaxial ti doping ara ẹni, imọ-ẹrọ CVD tun wa ni diẹ ninu awọn apakan ti ipo ilana imudaniloju, nilo lati ṣe iwadii jinle diẹ sii, ki o tẹsiwaju lati gba idagbasoke ti imọ-ẹrọ CVD.
Ìlànà ìdàgbàsókè CVD jẹ́ ohun tó díjú gan-an, nínú ìṣesí kẹ́míkà, ó sábà máa ń ní onírúurú èròjà àti ohun èlò, ó lè ṣe ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ọjà àárín, àti ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn oníyípadà aláìdádúró ló wà, bíi iwọ̀n otútù, ìfúnpá, ìwọ̀n ìṣàn gaasi, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ, ìlànà epitaxial ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìpadà àti síwájú ní ìtẹ̀léra, ara wọn láti mú kí ó dàgbàsókè àti mú sunwọ̀n síi. Ìlànà epitaxial ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ ìgbésẹ̀ tí ó tẹ̀lé ara wọn, tí ó ń fẹ̀ síi àti tí ó ń mú kí ó pé. Láti ṣàyẹ̀wò ìlànà àti ìlànà ìdàgbàsókè epitaxial CVD, ní àkọ́kọ́, láti ṣàlàyé bí àwọn ohun tí ń ṣe àtúnṣe ṣe ń yọ́ nínú ìpele gaasi, ìwọ̀n ìfúnpá díẹ̀ ti onírúurú gaasi, àwọn ìlànà kinetic àti thermodynamic tí ó mọ́ kedere; lẹ́yìn náà láti lóye àwọn gaasi tí ń ṣe àtúnṣe láti ìpele gaasi sí ojú ìgbesẹ̀ substrate mass transport, ìṣẹ̀dá ìpele ààlà ti ìṣàn gaasi àti ojú ìpele substrate, ìdàgbàsókè ti nucleus, àti ìṣesí ojú ilẹ̀, ìtànkálẹ̀ àti ìṣípò, àti nípa báyìí ó ń mú fíìmù tí a fẹ́ jáde nígbẹ̀yìn gbẹ́yín. Nínú ìlànà ìdàgbàsókè CVD, ìdàgbàsókè àti ìlọsíwájú ti reactor ṣe ipa pàtàkì, èyí tí ó ń pinnu dídára ìpele epitaxial. Ìrísí ojú ilẹ̀ ti ìpele epitaxial, àbùkù lattice, ìpínkiri àti ìṣàkóso àwọn èérí, sisanra àti ìbáramu ti ìpele epitaxial ní ipa taara lórí iṣẹ́ àti ìbísí ẹ̀rọ náà.
–A gbé àpilẹ̀kọ yìí jáde láti ọwọ́ẹrọ fifọ ideri igbaleGuangdong Zhenhua
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: May-04-2024