خىمىيىلىك پار چۆكمىسى

ئېپىتاكسىيە ئۆسۈشى، كۆپىنچە ئېپىتاكسىيە دەپمۇ ئاتىلىدۇ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار ۋە ئۈسكۈنىلەرنى ياساشتىكى ئەڭ مۇھىم جەريانلارنىڭ بىرى. ئېپىتاكسىيە ئۆسۈشى دەپ ئاتىلىدىغان بۇ جەريان بەلگىلىك شارائىتتا يەككە كىرىستاللىق ئاساستا يەككە مەھسۇلاتلىق پىلاستىنكا قەۋىتىنىڭ ئۆسۈش جەريانى بولۇپ، يەككە كىرىستاللىق پىلاستىنكىنىڭ ئۆسۈشى ئېپىتاكسىيە قەۋىتى دەپ ئاتىلىدۇ. ئېپىتاكسىيە تېخنىكىسى 1960-يىللارنىڭ باشلىرىدا كرېمنىي يەككە كىرىستاللىق نېپىز پىلاستىنكا تەتقىقاتىنىڭ بارلىققا كېلىشى ئاساسىدا بارلىققا كەلگەن بولۇپ، تەخمىنەن يېرىم ئەسىردىن بۇيان، كىشىلەر بەلگىلىك شارائىتتا ھەر خىل يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پىلاستىنكىلارنى ئىشلەپ چىقىرىشقا مۇۋەپپەق بولدى. ئېپىتاكسىيە تېخنىكىسى يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئايرىم زاپچاسلار ۋە بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولىدىكى نۇرغۇن مەسىلىلەرنى ھەل قىلىپ، ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارىنى زور دەرىجىدە ياخشىلىدى. ئېپىتاكسىيە پىلاستىنكىسى ئۇنىڭ قېلىنلىقى ۋە قوشۇلۇش خۇسۇسىيىتىنى تېخىمۇ توغرا كونترول قىلالايدۇ، بۇ خۇسۇسىيەت يېرىم ئۆتكۈزگۈچ بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولىنىڭ تېز تەرەققىي قىلىشىغا، تېخىمۇ مۇكەممەل باسقۇچقا كىرىشىگە تۈرتكە بولدى. كرېمنىي يەككە كىرىستالىنى كېسىش، ئۇۋىلاش، سىلىقلاش ۋە باشقا بىر تەرەپ قىلىش تېخنىكىلىرى ئارقىلىق سىلىقلانغان تاختا ھاسىل قىلىپ، ئۇنىڭ ئۈستىدە ئايرىم زاپچاسلار ۋە بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى ياسىغىلى بولىدۇ. لېكىن نۇرغۇن ئەھۋاللاردا بۇ سىلىقلانغان قەغەز پەقەت ئاساسىي قاتلامنىڭ مېخانىكىلىق تىرەش رولىنى ئوينايدۇ، بۇنىڭدا ئالدى بىلەن ماس كېلىدىغان ئۆتكۈزۈشچانلىق ۋە قارشىلىق تىپىدىكى يەككە كىرىستاللىق پەردە قەۋىتىنى ئۆستۈرۈش، ئاندىن ئايرىم زاپچاسلار ياكى يەككە كىرىستاللىق پەردە شەكلىدە ئىشلەپچىقىرىلغان بىر گەۋدىلەشكەن توك يولىنى ئۆستۈرۈش كېرەك. بۇ ئۇسۇل، مەسىلەن، كرېمنىي يۇقىرى چاستوتىلىق يۇقىرى قۇۋۋەتلىك ترانسىستورلارنى ئىشلەپچىقىرىشتا ئىشلىتىلىدۇ، بۇ بۇزۇلۇش توك بېسىمى بىلەن تىزىلىش قارشىلىقى ئوتتۇرىسىدىكى توقۇنۇشنى ھەل قىلىدۇ. ترانسىستورنىڭ توپلىغۇچىسى يۇقىرى بۇزۇلۇش توك بېسىمىنى تەلەپ قىلىدۇ، بۇ كرېمنىي تاختىسىنىڭ pn تۇتاشتۇرۇش ئېغىزىنىڭ قارشىلىقى بىلەن بەلگىلىنىدۇ. بۇ تەلەپنى قاندۇرۇش ئۈچۈن يۇقىرى قارشىلىق ماتېرىياللىرى تەلەپ قىلىنىدۇ. ئېغىر قوشۇلغان n تىپلىق تۆۋەن قارشىلىق ماتېرىياللىرىدىكى كىشىلەر بىر قانچە مىكروندىن ئون نەچچە مىكرونغىچە قېلىنلىقتىكى يېنىك قوشۇلغان يۇقىرى قارشىلىق n تىپلىق قەۋەتتىكى ئېپىتاكسىيال قەۋەتتە ترانسىستور ئىشلەپچىقىرىدۇ، بۇ يۇقىرى قارشىلىق تەلەپ قىلىدىغان يۇقىرى بۇزۇلۇش توك بېسىمى بىلەن تۆۋەن كوللېكتور تىزىلىش قارشىلىقى تەلەپ قىلىدىغان ئاساسىي قاتلام قارشىلىقى ئوتتۇرىسىدىكى زىددىيەتنى ھەل قىلىدۇ.

گاز باسقۇچىدىكى ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ساھەسىدە تېخىمۇ پىشقان ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش تېخنىكىسىنىڭ ئەڭ دەسلەپكى قوللىنىلىشى بولۇپ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ پەننىڭ تەرەققىياتىدا مۇھىم رول ئوينايدۇ، يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللار ۋە ئۈسكۈنىلەرنىڭ سۈپىتى ۋە ئۇلارنىڭ ئىقتىدارىنى ياخشىلاشقا زور تۆھپە قوشىدۇ. ھازىر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەككە كىرىستاللىق ئېپىتاكسىيال پەردىسىنى تەييارلاش خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈشنىڭ ئەڭ مۇھىم ئۇسۇلى. خىمىيىلىك پارغا چۆكتۈرۈش دەپ ئاتىلىدىغان ئۇسۇل، يەنى قاتتىق يۈزىدە گاز شەكىللىك ماددىلارنى ئىشلىتىش، قاتتىق چۆكتۈرۈش ھاسىل قىلىش جەريانى. CVD تېخنىكىسى يۇقىرى سۈپەتلىك يەككە كىرىستاللىق پەردىلەرنى ئۆستۈرۈپ، لازىملىق قوشۇلما تىپى ۋە ئېپىتاكسىيال قېلىنلىقىغا ئېرىشەلەيدۇ، كۆپ مىقداردا ئىشلەپچىقىرىشنى ئاسانلا ئەمەلگە ئاشۇرغىلى بولىدۇ، شۇڭا سانائەتتە كەڭ قوللىنىلىپ كەلدى. سانائەتتە، CVD تەرىپىدىن تەييارلانغان ئېپىتاكسىيال ۋافېردا كۆپىنچە بىر ياكى بىردىن ئارتۇق كۆمۈلگەن قەۋەتلەر بولىدۇ، بۇلار دىففۇزىيە ياكى ئىئون ئىمپلانتاتسىيەسى ئارقىلىق ئۈسكۈنە قۇرۇلمىسى ۋە قوشۇلما تەقسىملىنىشىنى كونترول قىلىشقا ئىشلىتىلىدۇ؛ CVD ئېپىتاكسىيال قەۋىتىنىڭ فىزىكىلىق خۇسۇسىيىتى كۆپ مىقداردىكى ماتېرىيالنىڭكىدىن پەرقلىنىدۇ، ئېپىتاكسىيال قەۋىتىدىكى ئوكسىگېن ۋە كاربون مىقدارى ئادەتتە ئىنتايىن تۆۋەن، بۇ ئۇنىڭ ئەۋزەللىكى. قانداقلا بولمىسۇن، يۈرەك قان تومۇرلىرى ئېپىتاكسىيال قەۋىتىنى ئۆزلۈكىدىن قوشۇش ئاسان، ئەمەلىي قوللىنىشتا ئېپىتاكسىيال قەۋەتنىڭ ئۆزلۈكىدىن قوشۇشىنى ئازايتىش ئۈچۈن بەلگىلىك تەدبىرلەرنى قوللىنىش كېرەك. يۈرەك قان تومۇرلىرى تېخنىكىسى يەنىلا بەزى جەھەتلەردە ئەمەلىي جەريان ھالىتىدە تۇرماقتا، شۇڭا يۈرەك قان تومۇرلىرى تېخنىكىسىنىڭ تەرەققىياتىنى داۋاملاشتۇرۇش ئۈچۈن تېخىمۇ چوڭقۇر تەتقىقات ئېلىپ بېرىشقا توغرا كېلىدۇ.

CVD ئۆسۈش مېخانىزمى ئىنتايىن مۇرەككەپ بولۇپ، خىمىيىلىك رېئاكسىيەدە ئادەتتە ھەر خىل تەركىبلەر ۋە ماددىلارنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، بىر قاتار ئارىلىق مەھسۇلاتلارنى ھاسىل قىلالايدۇ، تېمپېراتۇرا، بېسىم، گاز ئېقىمى سۈرئىتى قاتارلىق نۇرغۇن مۇستەقىل ئۆزگەرگۈچى مىقدارلار بار، ئېپىتاكسىيە جەريانى بىر قاتار ئارقا-ئارقىدىن ئىلگىرىلەش ۋە ئىلگىرىلەشلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ، بىر-بىرىنى تەرەققىي قىلدۇرۇش ۋە ياخشىلاش. ئېپىتاكسىيە جەريانى نۇرغۇن ئارقا-ئارقىدىن كېڭىيىدىغان ۋە مۇكەممەللىشىدىغان باسقۇچلارغا ئىگە. CVD ئېپىتاكسىيە ئۆسۈش جەريانى ۋە مېخانىزمىنى تەھلىل قىلىش ئۈچۈن، ئالدى بىلەن گاز باسقۇچىدىكى رېئاكتىپ ماددىلارنىڭ ئېرىشچانلىقىنى، ھەر خىل گازلارنىڭ تەڭپۇڭلۇق پارسىل بېسىمىنى، ئېنىق كىنېتىك ۋە تېرمودىنامىكىلىق جەريانلارنى ئېنىقلاش؛ ئاندىن رېئاكتىپ گازلارنىڭ گاز باسقۇچىدىن ئاساسىي قاتلام يۈزىگە يۆتكىلىشىنى، گاز ئېقىمىنىڭ چېگرا قەۋىتى ۋە ئاساسىي قاتلام يۈزىنىڭ شەكىللىنىشىنى، يادرونىڭ ئۆسۈشىنى، شۇنداقلا يۈزەكى رېئاكسىيە، تارقىلىش ۋە كۆچۈشنى چۈشىنىش ۋە ئاخىرىدا ئارزۇ قىلىنغان پەردىنى ھاسىل قىلىش كېرەك. CVD ئۆسۈش جەريانىدا، رېئاكتورنىڭ تەرەققىياتى ۋە ئىلگىرىلىشى مۇھىم رول ئوينايدۇ، بۇ ئاساسلىقى ئېپىتاكسىيە قەۋىتىنىڭ سۈپىتىنى بەلگىلەيدۇ. ئېپىتاكسىيال قەۋەتنىڭ يۈزەكى شەكلى، تور شەكىللىك كەمتۈكلۈكلەر، ئارىلاشمىلارنىڭ تارقىلىشى ۋە كونترول قىلىنىشى، ئېپىتاكسىيال قەۋەتنىڭ قېلىنلىقى ۋە بىردەكلىكى ئۈسكۈنىنىڭ ئىقتىدارى ۋە ئۈنۈمىگە بىۋاسىتە تەسىر كۆرسىتىدۇ.

– بۇ ماقالە نەشر قىلغۇچى تەرىپىدىن تارقىتىلدىۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىگۇاڭدۇڭ جېنخۇا