1. Ачыстка падкладкі бамбардзіроўкай 1.1) Машына для распылення выкарыстоўвае тлеючы разрад для ачысткі падкладкі. Гэта значыць, у камеру падаецца аргон, напружанне разраду складае каля 1000 В. Пасля ўключэння крыніцы харчавання генеруецца тлеючы разрад, і падкладка ачышчаецца...
Ужыванне аптычных тонкіх плёнак у бытавой электроніцы, такой як мабільныя тэлефоны, зрушылася з традыцыйных аб'ектываў для камер у больш разнастайны кірунак, напрыклад, у выглядзе аб'ектываў для камер, ахоўных плёнак для аб'ектываў, інфрачырвоных фільтраў (IR-CUT) і пакрыццяў NCVM на вечках акумулятараў мабільных тэлефонаў. Спецыяльнасць камеры...
Тэхналогія CVD-пакрыцця мае наступныя характарыстыкі: 1. Працэс працы абсталявання CVD адносна просты і гнуткі, і яно дазваляе рыхтаваць адзінкавыя або кампазітныя плёнкі, а таксама плёнкі са сплаваў з рознымі прапорцыямі; 2. CVD-пакрыццё мае шырокі спектр прымянення і можа быць выкарыстана для папярэдняй...
Працэс нанясення пакрыццяў у вакуумнай машыне падзяляецца на: вакуумнае выпарванне, вакуумнае распыленне і вакуумнае іённае пакрыццё. 1. Вакуумнае выпарванне. Вакуумнае выпарванне дазваляе выпарыць матэрыял, напрыклад, метал, металічны сплаў і г.д., а затым нанесці яго на паверхню падкладкі...
1. Што такое працэс вакуумнага пакрыцця? У чым яго функцыя? Так званы працэс вакуумнага пакрыцця выкарыстоўвае выпарэнне і распыленне ў вакуумным асяроддзі для вылучэння часціц плёнкавага матэрыялу, якія наносяцца на метал, шкло, кераміку, паўправаднікі і пластыкавыя дэталі для ўтварэння пласта пакрыцця для дэкарыравання...
Паколькі абсталяванне для вакуумнага пакрыцця працуе ў вакуумных умовах, яно павінна адпавядаць патрабаванням вакууму для навакольнага асяроддзя. Прамысловыя стандарты для розных тыпаў абсталявання для вакуумнага пакрыцця, распрацаваныя ў маёй краіне (у тым ліку агульныя тэхнічныя ўмовы для абсталявання для вакуумнага пакрыцця,...
Вакуумнае іённае пакрыццё (скарочана іённае пакрыццё) — гэта новая тэхналогія апрацоўкі паверхні, якая хутка развівалася ў 1970-х гадах і была прапанавана Д. М. Матаксам з кампаніі Somdia ў ЗША ў 1963 годзе. Яна адносіцца да працэсу выкарыстання крыніцы выпарэння або распыляльнай мішэні для выпарэння або распылення...
① Антыблікавая плёнка. Напрыклад, камеры, дыяпраектары, праектары, кінапраектары, тэлескопы, аглядныя шкла і аднаслаёвыя плёнкі MgF, нанесеныя на лінзы і прызмы розных аптычных прыбораў, а таксама двухслаёвыя або шматслаёвыя шырокапалосныя антыблікавыя плёнкі, якія складаюцца з SiOFrO2, AlO, ...
① Добрая кіравальнасць і паўтаральнасць таўшчыні плёнкі. Ці можна кантраляваць таўшчыню плёнкі на зададзеным значэнні, гэта называецца кіравальнасцю таўшчыні плёнкі. Патрэбную таўшчыню плёнкі можна паўтараць шмат разоў, што называецца паўтаральнасцю таўшчыні плёнкі. Паколькі разрад...
Тэхналогія хімічнага асаджэння з паравой фазы (CVD) — гэта тэхналогія плёнкаўтварэння, якая выкарыстоўвае награванне, плазменнае ўзмацненне, фотаасістэму і іншыя сродкі для таго, каб газападобныя рэчывы ўтваралі цвёрдыя плёнкі на паверхні падкладкі праз хімічную рэакцыю пры нармальным або нізкім ціску. Звычайна рэакцыя ў...
1. Хуткасць выпарэння ўплывае на ўласцівасці выпарванага пакрыцця. Хуткасць выпарэння мае вялікі ўплыў на напыленую плёнку. Паколькі структура пакрыцця, якая ўтвараецца пры нізкай хуткасці нанясення, з'яўляецца друзлай і лёгка ўтварае буйныя часціцы, вельмі бяспечна выбіраць больш высокую хуткасць выпарэння...
Абсталяванне для вакуумнага пакрыцця складаецца з мноства дакладных дэталяў, якія вырабляюцца з дапамогай розных працэсаў, такіх як зварка, шліфоўка, тачэнне, струганне, свідраванне, фрэзераванне і г.д. З-за гэтых работ паверхня дэталяў абсталявання непазбежна забруджваецца некаторымі забруджвальнымі рэчывамі, такімі як тлушч...
Працэс вакуумнага пакрыцця мае строгія патрабаванні да асяроддзя прымянення. Для звычайнага вакуумнага працэсу асноўнымі патрабаваннямі да вакуумнай санітарнай апрацоўкі з'яўляюцца: адсутнасць назапашвання крыніц забруджвання на дэталях або паверхні абсталявання ў вакууме, паверхня вакуумнай камеры...
Машына для іённага пакрыцця ўзнікла з тэорыі, прапанаванай Д. М. Матоксам у 1960-х гадах, і адпаведныя эксперыменты пачаліся ў той час; Да 1971 года Чэмберс і іншыя апублікавалі тэхналогію электронна-прамянёвага іённага пакрыцця; Тэхналогія рэактыўнага выпарвання (ARE) была адзначана ў Бу...