پارغا ئايلىنىش مەنبەسىدىكى پەردە قەۋىتى پارغا ئايلىنىشنى قىزىتىش ئارقىلىق، پەردە زەررىچىلىرىنى ئاتوم (ياكى مولېكۇلا) شەكلىدە گاز باسقۇچى بوشلۇقىغا كىرگۈزەلەيدۇ. پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ يۇقىرى تېمپېراتۇرىسى ئاستىدا، پەردە يۈزىدىكى ئاتوم ياكى مولېكۇلا يۈزەكى تارتىش كۈچىنى يېڭىپ، يۈزەكى پارغا ئايلىنىشقا يېتەرلىك ئېنېرگىيەگە ئېرىشىدۇ. بۇ پارغا ئايلىنىشقا ئۇچرىغان ئاتوم ياكى مولېكۇلا ۋاكۇئۇم، يەنى گاز باسقۇچى بوشلۇقىدا گاز ھالىتىدە مەۋجۇت بولىدۇ. مېتال ياكى مېتال ئەمەس ماتېرىياللار.
ۋاكۇئۇم مۇھىتىدا، پەردە ماتېرىياللىرىنىڭ قىزىتىش ۋە پارغا ئايلىنىش جەريانلىرىنى ياخشىلىغىلى بولىدۇ. ۋاكۇئۇم مۇھىتى ئاتموسفېرا بېسىمىنىڭ پارغا ئايلىنىش جەريانىغا بولغان تەسىرىنى ئازايتىپ، پارغا ئايلىنىش جەريانىنى ئاسانلاشتۇرىدۇ. ئاتموسفېرا بېسىمىدا، گازنىڭ قارشىلىقىنى يېڭىش ئۈچۈن ماتېرىيالغا تېخىمۇ چوڭ بېسىم ئىشلىتىش كېرەك، ۋاكۇئۇم مۇھىتىدا بولسا، بۇ قارشىلىق زور دەرىجىدە تۆۋەنلەيدۇ، بۇ ماتېرىيالنىڭ پارغا ئايلىنىشىنى ئاسانلاشتۇرىدۇ. پارغا ئايلىنىش قاپلاش جەريانىدا، پارغا ئايلىنىش مەنبەسى ماتېرىيالىنىڭ پارغا ئايلىنىش تېمپېراتۇرىسى ۋە پار بېسىمى پارغا ئايلىنىش مەنبەسى ماتېرىيالىنى تاللاشتىكى مۇھىم ئامىل. Cd (Se, s) قاپلاش ئۈچۈن، ئۇنىڭ پارغا ئايلىنىش تېمپېراتۇرىسى ئادەتتە 1000 ~ 2000 ℃ ئەتراپىدا بولىدۇ، شۇڭا ماس كېلىدىغان پارغا ئايلىنىش تېمپېراتۇرىسىغا ئىگە پارغا ئايلىنىش مەنبەسى ماتېرىيالىنى تاللاش كېرەك. مەسىلەن، ئاتموسفېرا بېسىمى پارغا ئايلىنىش تېمپېراتۇرىسى 2400 ℃ بولغان ئاليۇمىن، ئەمما ۋاكۇئۇم شارائىتىدا، ئۇنىڭ پارغا ئايلىنىش تېمپېراتۇرىسى كۆرۈنەرلىك تۆۋەنلەيدۇ. بۇنىڭ سەۋەبى، ۋاكۇئۇم توسۇلۇشىدا ئاتموسفېرا مولېكۇلاسى يوق، شۇڭا ئاليۇمىن ئاتوملىرى ياكى مولېكۇلالىرى يۈزدىن ئاسان پارغا ئايلىنىدۇ. بۇ ھادىسە ۋاكۇئۇم پارغا ئايلىنىش قاپلاش ئۈچۈن مۇھىم ئەۋزەللىك. ۋاكۇئۇم ئاتموسفېراسىدا، پىلاستىنكا ماتېرىيالىنىڭ پارغا ئايلىنىشى ئاسانلىشىدۇ، شۇڭا تۆۋەن تېمپېراتۇرىدا نېپىز پىلاستىنكىلار ھاسىل بولىدۇ. بۇ تۆۋەن تېمپېراتۇرا ماتېرىيالنىڭ ئوكسىدلىنىشى ۋە پارچىلىنىشىنى ئازايتىپ، يۇقىرى سۈپەتلىك پىلاستىنكىلارنى تەييارلاشقا تۆھپە قوشىدۇ.
ۋاكۇئۇم قاپلاش جەريانىدا، قاتتىق ياكى سۇيۇق جىسىمدا پىلاستىنكا ماتېرىيالىنىڭ پارلىرىنىڭ تەڭپۇڭلىشىش بېسىمى شۇ تېمپېراتۇرىدىكى تويۇنۇش پار بېسىمى دەپ ئاتىلىدۇ. بۇ بېسىم مەلۇم تېمپېراتۇرىدىكى پارغا ئايلىنىش ۋە قويۇقلىشىشنىڭ دىنامىك تەڭپۇڭلۇقىنى ئەكىس ئەتتۈرىدۇ. ئادەتتە، ۋاكۇئۇم كامېراسىنىڭ باشقا قىسىملىرىدىكى تېمپېراتۇرا پارغا ئايلىنىش مەنبەسىنىڭ تېمپېراتۇرىسىدىن خېلىلا تۆۋەن بولىدۇ، بۇ پارغا ئايلىنىۋاتقان پەردە ئاتوملىرى ياكى مولېكۇلالىرىنىڭ كامېرانىڭ باشقا قىسىملىرىدا قويۇقلىشىشىنى ئاسانلاشتۇرىدۇ. بۇ خىل ئەھۋالدا، ئەگەر پارغا ئايلىنىش سۈرئىتى قويۇقلىشىش سۈرئىتىدىن يۇقىرى بولسا، ئۇنداقتا دىنامىك تەڭپۇڭلۇقتا پار بېسىمى تويۇنۇش پار بېسىمىغا يېتىدۇ. يەنى، بۇ خىل ئەھۋالدا، پارغا ئايلىنىۋاتقان ئاتوم ياكى مولېكۇلا سانى قويۇقلىشىش سانىغا تەڭ بولۇپ، دىنامىك تەڭپۇڭلۇققا ئېرىشىدۇ.
– بۇ ماقالە نەشر قىلغۇچى تەرىپىدىن تارقىتىلدىۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىگۇاڭدۇڭ جېنخۇا
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 9-ئاينىڭ 27-كۈنى