Эпитаксиаль үсеш, еш эпитакси дип тә аталалар, ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар ясауда иң мөһим процессларның берсе. Эпитаксиаль үсеш дип аталган бер кристалл субстратта бер продукт кино катламы үсүендә билгеле бер шартларда, бер кристалл фильмның үсеше эпитаксиаль катлам эпитаксиаль технология дип атала 1960-нчы еллар башында кремний кристалл нечкә кино тикшеренүләре, ярты гасыр чамасы үсеш шартлары нигезендә, кешеләр ярымүткәргеч фильмнарның төрле үсешен тормышка ашыра алганнар. Эпитаксиаль технология ярымүткәргеч дискрет компонентларда һәм интеграль схемаларда күп проблемаларны чиште, җайланманың эшләвен сизелерлек яхшыртты. Эпитаксиаль фильм аның калынлыгын һәм допинг үзлекләрен төгәлрәк контрольдә тота ала, бу үзенчәлек ярымүткәргеч интеграль схемаларның тиз үсешенә китерде, камил этапка. Кремний бер кристаллны кисү, тарту, бизәү һәм башка эшкәртү ысуллары белән, чистартылган таблицаны алу өчен, сез дискрет компонентлар һәм интеграль схемалар ясый аласыз. Ләкин күп очракта бу чистартылган таблица субстратка механик таяныч булып кына тора, анда башта үткәрүчәнлек һәм каршылык төре белән бер кристалл пленка катламын үстерергә, аннары дискрет компонентларны яки бер кристалл пленкада җитештерелгән интеграль схемаларны аерырга кирәк. Бу ысул, мәсәлән, кремний югары ешлыктагы югары көчле транзисторлар җитештерүдә кулланыла, ватылу көчәнеше һәм серия каршылыгы арасындагы конфликтны чишә. Транзистор коллекторы кремний ваферның pn тоташуының каршылыгы белән билгеләнгән югары ватылу көчәнешен таләп итә. Бу таләпне канәгатьләндерү өчен, югары каршылык материаллары кирәк. Эпитаксиалдагы каты допедлы түбән типтагы түбән каршылыклы материаллар берничә-дистә микрон калынлыктагы җиңел доплы югары типтагы катлам, эпитаксиаль катламда транзистор производствосы, бу югары каршылык таләп иткән югары ватылу көчәнешен һәм түбән коллектор сериясенең каршылыгы түбән субстрат каршылыгы таләп итә.
Газ-фазалы эпитаксиаль үсеш - ярымүткәргеч фән үсешендә мөһим роль уйный торган, ярымүткәргеч материаллар һәм приборларның сыйфатын һәм аларның эшләвен яхшыртуда зур роль уйнаган эпитаксиаль үсеш технологиясенең ярымүткәргеч өлкәсендә иң беренче кулланылышы. Хәзерге вакытта ярымүткәргеч бер кристалл эпитаксиаль пленка әзерләү - химик парны чүпләүнең иң мөһим ысулы. Химик пар парламенты дип атала, ягъни химик реакциянең каты өслегендә газлы матдәләр куллану, каты чыганаклар чыгару процессы. CVD технологиясе югары сыйфатлы бер кристалл фильмнарны үстерә ала, кирәкле допинг төрен һәм эпитаксиаль калынлыкны алу өчен, массакүләм җитештерүне тормышка ашыру җиңел, шуңа күрә сәнәгатьтә киң кулланыла. Промышленностьта, CVD тарафыннан әзерләнгән эпитаксиаль вафин еш кына бер яки берничә күмелгән катламга ия, алар җайланма структурасын һәм допинг таратуны контрольдә тоту өчен кулланыла ала, диффузия яки ион имплантациясе белән; CVD эпитаксиаль катламының физик үзлекләре күпчелек материалдан аерылып тора, һәм эпитаксиаль катламның кислород һәм углерод күләме гадәттә бик түбән, бу аның өстенлеге. Ләкин, CVD эпитаксиаль катламы үз-үзен допинг формалаштыру җиңел, практик кушымталарда үз-допингның эпитаксиаль катламын киметү өчен кайбер чаралар күрергә кирәк, CVD технологиясе әле дә эмпирик процесс торышының кайбер аспектларында, тагын да тирәнрәк тикшеренүләр үткәрергә кирәк, шуңа күрә ул CVD технологиясе үсешен дәвам итә.
CVD үсеш механизмы бик катлаулы, химик реакциядә, гадәттә, төрле компонентлар һәм матдәләр керә, берничә арадаш продуктлар җитештерә ала, һәм температура, басым, газ агымы һ.б. кебек күп мөстәкыйль үзгәрүләр бар, эпитаксиаль процесс бер-бер артлы үсеш ала һәм яхшыра. Эпитаксиаль процессның бер-бер артлы, бер-берсен киңәйтү һәм камилләштерү адымнары бар. CVD эпитаксиаль үсеш процессын һәм механизмын анализлау, беренче чиратта, газ фазасында реактив матдәләрнең эрүчәнлеген, төрле газларның тигезлек өлешчә басымы, кинетик һәм термодинамик процессларны ачыклау; аннары газ фазасыннан субстрат массалы транспорт өслегенә реактив газларны, газ агымының чик катламын һәм субстрат өслеген формалаштыру, ядро үсеше, шулай ук өслек реакциясе, диффузия һәм миграцияне аңлау, һәм ахыр чиктә кирәкле фильм булдыру. CVD үсеш процессында реакторның үсеше һәм алга китүе мөһим роль уйный, бу эпитаксиаль катламның сыйфатын күпчелекне билгели. Эпитаксиаль катламның өслек морфологиясе, такталар җитешсезлекләре, пычракларны тарату һәм контрольдә тоту, эпитаксиаль катламның калынлыгы һәм бердәмлеге җайланманың эшенә һәм уңышына турыдан-туры тәэсир итә.
IsБу мәкалә бастырылганвакуум каплау машинасы җитештерүчеГуандун Чжэнхуа
Пост вакыты: Май-04-2024