O le tuputupu aʻe o le epitaxial, e masani ona taʻua o le epitaxy, o se tasi o faiga sili ona taua i le fausiaina o mea semiconductor ma masini. O le mea ua taʻua o le tuputupu aʻe o le epitaxial o loʻo i ai i nisi tulaga i totonu o le tioata tasi substrate i luga o le tuputupu aʻe o se vaega o se oloa gaosi oloa faagasologa e tasi, o le tuputupu aʻe o le ata tioata tasi e taʻua o le epitaxial layer epitaxial tekinolosi o le amataga o le 1960 i le suʻesuʻega ata tifaga tasi-crystal manifinifi silika i luga o le faavae o le tulai mai o le atinaʻeina o le toetoe o le afa seneturi i le taimi nei, o tagata ua mafai ona iloa se ituaiga o ata epitaxial i le taimi nei. tuputupu a'e. Epitaxial tekinolosi ua foia le tele o faafitauli i semiconductor discrete parts ma integrated circuits, faʻaleleia atili le faʻatinoga o le masini. Epitaxial ata tifaga e mafai ona sili atu le saʻo pulea lona mafiafia ma doping meatotino, o lenei vaega ua taitai atu ai i le atinae vave o semiconductor integrated circuits, i se tulaga sili atu ona atoatoa. Silicon tasi tioata e ala i slicing, olo, polesi ma isi faiga faiga, e maua ai le pepa polesi, e mafai ona e faia vaega tu'ufa'atasi ma feso'ota'iga i luga. Ae i le tele o taimi, o lenei laupepa faʻalelei naʻo se lagolago faʻainisinia mo le substrate, lea e tatau ai ona tupu muamua se vaega o le ata tioata tasi ma le ituaiga talafeagai o le conductivity ma le resistivity, ona sosoo ai lea ma vaega tuʻufaʻatasia poʻo taʻaloga tuʻufaʻatasia e gaosia i se ata tioata tasi. O lenei metotia e faʻaaogaina, mo se faʻataʻitaʻiga, i le gaosiga o le silicon high-frequency high-power transistors, foia le feteenaiga i le va o le malepelepe voltage ma le faʻasologa o le tetee. O le aoina o le transistor e manaʻomia le maualuga o le gau, lea e faʻamoemoeina e le resistivity o le pn junction o le silicon wafer. Ina ia faʻamalieina lenei manaʻoga, e manaʻomia ni mea faʻafefe maualuga. Tagata i le mamafa doped n-ituaiga mea maualalo-tetee i luga o le epitaxial e tele i le sefulu microns mafiafia mama doped maualuga-tetee n-ituaiga layer, gaosiga transistor i le vaega epitaxial, lea e foia le maualuga gau gau manaomia e le maualuga resistivity ma le maualalo collector faasologa tetee manaomia e le substrate resistivity maualalo o le feteenaiga i le va.
O le tuputupu aʻe o le epitaxial gas-phase o le faʻaoga muamua lea i le semiconductor field o se tekinolosi tuputupu aʻe epitaxial e sili atu ona matua, lea e taua tele i le atinaʻeina o le saienisi semiconductor, e tele sona sao i le lelei o mea semiconductor ma masini ma a latou faʻaleleia atili o galuega. I le taimi nei, o le sauniuniga o le ata tifaga epitaxial tioata semiconductor o le auala pito sili ona taua o le faʻaaogaina o ausa vailaʻau. O le mea e taʻua o le vailaʻau vailaʻau, o lona uiga, o le faʻaaogaina o mea kasa i luga o le faʻamaʻa o le gaioiga faʻasolosolo, o le faʻagasologa o le gaosia o mea teu malu. Tekinolosi CVD e mafai ona tupu maualuga ata tifaga tasi-maila, e maua ai le ituaiga doping manaomia ma epitaxial mafiafia, faigofie ona iloa le tele o gaosiga, ma o lea ua faaaogaina lautele i alamanuia. I totonu o alamanuia, o le epitaxial wafer saunia e le CVD e masani ona i ai se tasi pe sili atu o loʻo tanumia lapisi, lea e mafai ona faʻaaogaina e pulea ai le fausaga o le masini ma le tufatufaina atu o le doping e ala i le faʻasalalau poʻo le faʻapipiʻiina o ion; o mea faʻaletino o le CVD epitaxial layer e ese mai i latou o mea tetele, ma o le okesene ma le carbon i totonu o le epitaxial layer e masani lava ona maualalo, o lona lelei. Ae ui i lea, o le CVD epitaxial layer e faigofie ona fausia e le tagata lava ia, i talosaga aoga e manaʻomia le faia o ni faiga faʻapitoa e faʻaitiitia ai le epitaxial layer o le self-doping, o loʻo i ai pea le tekinolosi CVD i nisi o vaega o le tulaga faʻapitoa, e manaʻomia le faia atili o suʻesuʻega loloto, ina ia faʻaauau pea ona maua le atinaʻeina o le tekonolosi CVD.
O le tuputupu aʻe o le CVD e matua faigata lava, i le vailaʻau faʻamaʻi e masani ona aofia ai le tele o vaega ma mea, e mafai ona maua ai le tele o oloa vaeluaga, ma e tele fesuiaiga tutoatasi, e pei o le vevela, mamafa, fua o le kesi, ma isi, epitaxial process ei ai se numera o tua ma luma faasolosolo, o le tasi i le isi e atiina ae ma faaleleia. O le fa'agasologa o le epitaxial e tele la'asaga fa'asolosolo, fa'alauteleina ma fa'aatoatoaina. Iloiloina le faagasologa ma le faiga o le tuputupu aʻe o le epitaxial CVD, muamua lava, ia faamanino le solubility o mea reactive i le vaega o le kesi, le paleni vaega mamafa o kasa eseese, manino kinetic ma thermodynamic faagasologa; ona malamalama lea i le kasa reactive mai le vaega o le kesi i luga o le substrate felauaiga tele, o le faavaeina o le vaega tuaoi o le tafe kesi ma luga o le substrate, le tuputupu ae o le nucleus, faapea foi ma le tali i luga, diffusion ma femalagaiga, ma o lea e iu ai ina maua le ata tifaga manaomia. I le faagasologa o le tuputupu aʻe o le CVD, o le atinaʻeina ma le alualu i luma o le reactor o loʻo i ai se sao taua, lea e tele lava ina iloa ai le lelei o le epitaxial layer. O le morphology i luga o le epitaxial layer, lattice defects, tufatufaga ma le puleaina o mea le mama, mafiafia ma le tutusa o le epitaxial layer e aafia tonu ai le faatinoga o le masini ma le fua.
–O lenei tusiga ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaGuangdong Zhenhua
Taimi meli: Me-04-2024