აორთქლების წყაროში არსებული ფირის ფენა აორთქლების გათბობის შედეგად მემბრანის ნაწილაკებს ატომების (ან მოლეკულების) სახით აირისებრ სივრცეში გადაჰყავს. აორთქლების წყაროს მაღალი ტემპერატურის პირობებში, მემბრანის ზედაპირზე არსებული ატომები ან მოლეკულები იღებენ საკმარის ენერგიას ზედაპირული დაჭიმულობის დასაძლევად და ზედაპირიდან აორთქლებისთვის. ეს აორთქლებული ატომები ან მოლეკულები აირისებრ მდგომარეობაში არსებობენ ვაკუუმში, ანუ აირისებრ სივრცეში. მეტალის ან არამეტალის მასალები.
ვაკუუმურ გარემოში შესაძლებელია მემბრანული მასალების გათბობისა და აორთქლების პროცესების გაუმჯობესება. ვაკუუმური გარემო ამცირებს ატმოსფერული წნევის გავლენას აორთქლების პროცესზე, რაც აადვილებს აორთქლების პროცესის განხორციელებას. ატმოსფერული წნევის დროს, გაზის წინააღმდეგობის დასაძლევად, მასალაზე უფრო დიდი წნევაა საჭირო, ხოლო ვაკუუმში ეს წინააღმდეგობა მნიშვნელოვნად მცირდება, რაც აადვილებს მასალის აორთქლებას. აორთქლების საფარის პროცესში, აორთქლების წყარო მასალის აორთქლების ტემპერატურა და ორთქლის წნევა მნიშვნელოვანი ფაქტორია აორთქლების წყარო მასალის შერჩევისას. Cd (Se, s) საფარისთვის, მისი აორთქლების ტემპერატურა, როგორც წესი, 1000 ~ 2000 ℃-ია, ამიტომ უნდა აირჩიოთ აორთქლების წყარო მასალა შესაფერისი აორთქლების ტემპერატურით. მაგალითად, ალუმინი ატმოსფერული წნევის აორთქლების ტემპერატურაზე 2400 ℃, მაგრამ ვაკუუმურ პირობებში, მისი აორთქლების ტემპერატურა მნიშვნელოვნად დაეცემა. ეს იმიტომ ხდება, რომ ვაკუუმურ დაბრკოლებაში ატმოსფერული მოლეკულები არ არის, ამიტომ ალუმინის ატომები ან მოლეკულები უფრო ადვილად აორთქლდება ზედაპირიდან. ეს ფენომენი ვაკუუმური აორთქლების საფარის მნიშვნელოვანი უპირატესობაა. ვაკუუმურ ატმოსფეროში, ფირის მასალის აორთქლება უფრო ადვილი ხდება, რის გამოც თხელი ფირები უფრო დაბალ ტემპერატურაზე შეიძლება ჩამოყალიბდეს. ეს დაბალი ტემპერატურა ამცირებს მასალის დაჟანგვას და დაშლას, რითაც ხელს უწყობს უფრო მაღალი ხარისხის ფირების მომზადებას.
ვაკუუმური საფარის დროს, წნევას, რომლის დროსაც ფირის მასალის ორთქლი მყარ ან სითხეში წონასწორობას აღწევს, ამ ტემპერატურაზე გაჯერებული ორთქლის წნევა ეწოდება. ეს წნევა ასახავს აორთქლებისა და კონდენსაციის დინამიურ წონასწორობას მოცემულ ტემპერატურაზე. როგორც წესი, ვაკუუმური კამერის სხვა ნაწილებში ტემპერატურა გაცილებით დაბალია აორთქლების წყაროს ტემპერატურაზე, რაც აადვილებს აორთქლებული მემბრანის ატომების ან მოლეკულების კონდენსაციას კამერის სხვა ნაწილებში. ამ შემთხვევაში, თუ აორთქლების სიჩქარე კონდენსაციის სიჩქარეზე მეტია, მაშინ დინამიურ წონასწორობაში ორთქლის წნევა მიაღწევს გაჯერებული ორთქლის წნევას. ანუ, ამ შემთხვევაში, აორთქლებული ატომების ან მოლეკულების რაოდენობა ტოლია კონდენსირებული რაოდენობისა და მიიღწევა დინამიური წონასწორობა.
- ეს სტატია გამოქვეყნებულიავაკუუმური საფარის მანქანის მწარმოებელიგუანგდონგ ჟენხუა
გამოქვეყნების დრო: 2024 წლის 27 სექტემბერი