A crescita epitassiale, spessu chjamata ancu epitaxia, hè unu di i prucessi i più impurtanti in a fabricazione di materiali è dispositivi semiconduttori. A cusì chjamata crescita epitassiale hè in certe cundizioni in u sustratu di cristallu unicu nantu à a crescita di un stratu di film di pruduttu unicu, a crescita di u film di cristallu unicu hè chjamata stratu epitassiale tecnulugia epitassiale hè à l'iniziu di l'anni 1960 in a ricerca di film sottile di cristallu unicu di siliciu nantu à a basa di l'emergenza di u sviluppu di quasi mezu seculu avà, a ghjente hè stata capace di realizà una varietà di film semiconduttori in certe cundizioni di crescita epitassiale. A tecnulugia epitassiale hà risoltu parechji prublemi in cumpunenti discreti di semiconduttori è circuiti integrati, migliurendu assai e prestazioni di u dispositivu. U film epitassiale pò cuntrullà più precisamente u so spessore è e proprietà di doping, sta caratteristica hà purtatu à u rapidu sviluppu di circuiti integrati di semiconduttori, in una fase più perfetta. U cristallu unicu di siliciu per via di affettà, macinà, lucidà è altre tecniche di trasfurmazione, per ottene fogli lucidati, pudete fà cumpunenti discreti è circuiti integrati. Ma in parechje occasioni sta foglia lucidata solu cum'è supportu meccanicu per u substratu, in u quale hè necessariu di cresce prima un stratu di film monocristallinu cù u tipu apprupriatu di cunduttività è resistività, è dopu cumpunenti discreti o circuiti integrati prudutti in un film monocristallinu. Stu metudu hè adupratu, per esempiu, in a pruduzzione di transistor di alta frequenza di siliciu d'alta putenza, risolvendu u cunflittu trà a tensione di rottura è a resistenza in serie. U cullettore di u transistor richiede una alta tensione di rottura, chì hè determinata da a resistività di a giunzione pn di a fetta di siliciu. Per risponde à questu requisitu, sò richiesti materiali d'alta resistenza. E persone in i materiali di bassa resistenza di tipu n fortemente drogati nantu à u stratu epitassiale di tipu n d'alta resistenza ligeramente drogatu da parechji à una decina di micron di spessore, a pruduzzione di transistor in u stratu epitassiale, chì risolve l'alta tensione di rottura necessaria da l'alta resistività è a bassa resistenza in serie di cullettore necessaria da a bassa resistività di u substratu di a cuntradizione trà.
A crescita epitassiale in fase gassosa hè a prima applicazione in u campu di i semiconduttori di una tecnulugia di crescita epitassiale più matura, chì ghjoca un rolu impurtante in u sviluppu di a scienza di i semiconduttori, cuntribuendu assai à a qualità di i materiali è dispositivi semiconduttori è à u miglioramentu di e so prestazioni. Attualmente, a preparazione di film epitassiale monocristallino semiconduttore hè u metudu più impurtante di deposizione chimica da vapore. A cusì detta deposizione chimica da vapore, vale à dì, l'usu di sustanzi gassosi nantu à a superficia solida di a reazione chimica, u prucessu di generazione di depositi solidi. A tecnulugia CVD pò fà cresce film monocristallini di alta qualità, per ottene u tipu di doping è u spessore epitassiale richiesti, faciule da realizà a pruduzzione di massa, è dunque hè stata largamente aduprata in l'industria. In l'industria, a cialda epitassiale preparata da CVD hà spessu unu o più strati sepolti, chì ponu esse aduprati per cuntrullà a struttura di u dispositivu è a distribuzione di u doping per diffusione o impiantazione ionica; e proprietà fisiche di u stratu epitassiale CVD sò diverse da quelle di u materiale in massa, è u cuntenutu di ossigenu è di carbone di u stratu epitassiale hè generalmente assai bassu, chì hè u so vantaghju. Tuttavia, u stratu epitassiale CVD hè faciule da furmà autodoping, in applicazioni pratiche ci vole à piglià certe misure per riduce u stratu epitassiale di l'autodoping, a tecnulugia CVD hè sempre in certi aspetti di u statu di prucessu empiricu, ci vole à fà una ricerca più approfondita, affinchì cuntinui à ottene u sviluppu di a tecnulugia CVD.
U mecanismu di crescita CVD hè assai cumplessu, in a reazione chimica include di solitu una varietà di cumpunenti è sustanze, pò pruduce un numeru di prudutti intermedi, è ci sò parechje variabili indipendenti, cum'è a temperatura, a pressione, u flussu di gas, ecc., u prucessu epitaxiale hà un numeru di avanti è indietro successivamente, l'unu l'altru per sviluppà è migliurà. U prucessu epitaxiale hà parechji passi successivi, mutualmente espansi è perfezziunati. Per analizà u prucessu è u mecanismu di crescita epitaxiale CVD, prima di tuttu, per chiarificà a solubilità di e sustanze reattive in a fase gassosa, a pressione parziale d'equilibriu di vari gas, chjari i prucessi cinetichi è termodinamichi; dopu per capisce u trasportu di massa di i gas reattivi da a fase gassosa à a superficia di u substratu, a furmazione di u stratu limite di u flussu di gas è a superficia di u substratu, a crescita di u nucleu, è ancu a reazione superficiale, a diffusione è a migrazione, è cusì infine generà u film desideratu. In u prucessu di crescita di CVD, u sviluppu è u prugressu di u reattore ghjocanu un rolu cruciale, chì determina in larga misura a qualità di u stratu epitaxiale. A morfologia superficiale di u stratu epitassiale, i difetti di reticolo, a distribuzione è u cuntrollu di l'impurità, u spessore è l'uniformità di u stratu epitassiale influenzanu direttamente e prestazioni è u rendimentu di u dispusitivu.
–Questu articulu hè statu publicatu dafabricatore di macchine di rivestimentu à vuotoGuangdong Zhenhua
Data di publicazione: 04 di maghju 2024