قىزىق تالالىق CVD تۆۋەن بېسىمدا ئالماس ئۆستۈرۈشنىڭ ئەڭ دەسلەپكى ۋە ئەڭ ئالقىشقا ئېرىشكەن ئۇسۇلى. 1982-يىلى ماتسۇموتو قاتارلىقلار ئوتقا چىداملىق مېتال تالانى 2000 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىغا قىزىتقان، بۇ تېمپېراتۇرىدا تالادىن ئۆتىدىغان H2 گازى ئاسانلا ۋودورود ئاتوملىرىنى ھاسىل قىلىدۇ. گىدروكاربون پىرولىز جەريانىدا ئاتوم گىدروگېنىنىڭ ئىشلەپچىقىرىلىشى ئالماس پەردىسىنىڭ چۆكۈش سۈرئىتىنى ئاشۇرغان. ئالماس تاللاپ چۆكتۈرۈلۈپ، گرافىتنىڭ شەكىللىنىشى توسقۇنلۇققا ئۇچرايدۇ، نەتىجىدە ئالماس پەردىسىنىڭ چۆكۈش سۈرئىتى mm/h تەرتىپىدە بولىدۇ، بۇ سانائەتتە كۆپ ئىشلىتىلىدىغان ئۇسۇللار ئۈچۈن ئىنتايىن يۇقىرى چۆكۈش سۈرئىتى. HFCVD مېتان، پروپان، ئاتسېتىلېن ۋە باشقا گىدروكاربونلار قاتارلىق ھەر خىل كاربون مەنبەلىرى، ھەتتا ئاتسېتون، ئېتانول ۋە مېتانول قاتارلىق بەزى ئوكسىگېن تەركىبىدىكى گىدروكاربونلار ئارقىلىق ئېلىپ بېرىلسا بولىدۇ. ئوكسىگېن تەركىبىدىكى گۇرۇپپىلارنىڭ قوشۇلۇشى ئالماس چۆكۈشنىڭ تېمپېراتۇرا دائىرىسىنى كېڭەيتىدۇ.
ئادەتتىكى HFCVD سىستېمىسىدىن باشقا، HFCVD سىستېمىسىغا بىر قاتار ئۆزگەرتىشلەر كىرگۈزۈلگەن. ئەڭ كۆپ ئۇچرايدىغىنى DC پلازما ۋە HFCVD بىرلەشتۈرۈلگەن سىستېمىسى. بۇ سىستېمىدا، ئاساسىي قاتلام ۋە تالاغا بىر خىل بېسىم كۈچى قوللىنىلىشى مۇمكىن. ئاساسىي قاتلامدىكى مۇقىم مۇسبەت بېسىم كۈچى ۋە تالادىكى مەلۇم بىر مەنپىي بېسىم كۈچى ئېلېكترونلارنىڭ ئاساسىي قاتلامنى بومباردىمان قىلىشىغا سەۋەب بولۇپ، يۈزەكى ۋودورودنىڭ دېسوربىيەلىنىشىگە يول قويىدۇ. دېسوربىيەنىڭ نەتىجىسى ئالماس پەردىسىنىڭ چۆكمە سۈرئىتىنىڭ ئېشىشى (تەخمىنەن 10 مىللىمېتىر/سائەت) بولۇپ، بۇ تېخنىكا ئېلېكترون ياردەملىك HFCVD دەپ ئاتىلىدۇ. بېسىم كۈچى مۇقىم پلازما قويۇپ بېرىش ھاسىل قىلىش ئۈچۈن يېتەرلىك يۇقىرى بولغاندا، H2 ۋە كاربون سۇ بىرىكمىلىرىنىڭ پارچىلىنىشى كۆرۈنەرلىك دەرىجىدە ئاشىدۇ، بۇ ئاخىرىدا ئۆسۈش سۈرئىتىنىڭ ئېشىشىغا ئېلىپ كېلىدۇ. بېسىم كۈچىنىڭ قۇتۇپلۇقى تەتۈر بولغاندا (ئاساسلىق مەنپىي بېسىم كۈچى)، ئاساسىي قاتلامدا ئىئون بومباردىمان قىلىنىشى يۈز بېرىدۇ، بۇ ئالماس بولمىغان ئاساسىي قاتلاملاردا ئالماس يادروسىنىڭ ئېشىشىغا ئېلىپ كېلىدۇ. يەنە بىر ئۆزگەرتىش بولسا، بىرلا قىزىق تالانى بىر قانچە خىل تالا بىلەن ئالماشتۇرۇش بولۇپ، بۇنىڭ بىلەن بىردەك چۆكمە ھاسىل بولىدۇ ۋە ئاخىرىدا ئالماس پەردىسىنىڭ كەڭ دائىرىسى ھاسىل بولىدۇ. HFCVD نىڭ كەمچىلىكى شۇكى، تالانىڭ ئىسسىقلىق پارغا ئايلىنىشى ئالماس پەردىسىدە بۇلغىنىش پەيدا قىلىشى مۇمكىن.
(2) مىكرو دولقۇنلۇق پلازما CVD (MWCVD)
1970-يىللاردا، ئالىملار ئاتوم ۋودورودىنىڭ قويۇقلۇقىنى DC پلازمىسى ئارقىلىق ئاشۇرۇشقا بولىدىغانلىقىنى بايقىغان. نەتىجىدە، پلازما H2 نى ئاتوم ۋودورودىغا پارچىلاش ۋە كاربون ئاساسلىق ئاتوم گۇرۇپپىلىرىنى ئاكتىپلاشتۇرۇش ئارقىلىق ئالماس پەردىسىنىڭ شەكىللىنىشىنى ئىلگىرى سۈرۈشنىڭ يەنە بىر ئۇسۇلىغا ئايلانغان. DC پلازمىسىدىن باشقا، يەنە ئىككى خىل پلازمامۇ دىققەتكە سازاۋەر بولغان. مىكرو دولقۇنلۇق پلازما CVD نىڭ قوزغىتىش چاستوتىسى 2.45 GHz، RF پلازما CVD نىڭ قوزغىتىش چاستوتىسى 13.56 MHz. مىكرو دولقۇنلۇق پلازما مىكرو دولقۇنلۇق چاستوتىسى ئېلېكترون تەۋرىنىشىنى كەلتۈرۈپ چىقىرىشى بىلەن ئۆزگىچە. ئېلېكترونلار گاز ئاتوملىرى ياكى مولېكۇلالىرى بىلەن سوقۇلغاندا، يۇقىرى ئايرىلىش سۈرئىتى ھاسىل بولىدۇ. مىكرو دولقۇنلۇق پلازما كۆپىنچە «قىزىق» ئېلېكترون، «سوغۇق» ئىئون ۋە نېيترال زەررىچىلەردىن تەركىب تاپقان ماددا دەپ ئاتىلىدۇ. نېپىز پەردە چۆكمىسى جەريانىدا، مىكرو دولقۇنلۇق نۇرلار پلازما كۈچەيتىلگەن CVD سىنتېز كامېراسىغا دېرىزىدىن كىرىدۇ. نۇر چىقىرىدىغان پلازما ئادەتتە شار شەكلىدە بولىدۇ، شارنىڭ چوڭلۇقى مىكرو دولقۇن كۈچى بىلەن چوڭىيىدۇ. ئالماس نېپىز پەردىلەر نۇر چاچىدىغان رايوننىڭ بۇلۇڭىدىكى ئاساستا ئۆستۈرۈلىدۇ، ئاساسنىڭ نۇر چاچىدىغان رايون بىلەن بىۋاسىتە ئۇچرىشىشى شەرت ئەمەس.
– بۇ ماقالە نەشر قىلغۇچى تەرىپىدىن تارقىتىلدىۋاكۇئۇم قاپلاش ماشىنىسى ئىشلەپچىقارغۇچىگۇاڭدۇڭ جېنخۇا
ئېلان قىلىنغان ۋاقىت: 2024-يىلى 6-ئاينىڭ 19-كۈنى