HiPIMS Tekonolosi Folasaga

Nu.1 Fa'avae o le maneta fa'amalo malosi maualuga
O le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering technique e faʻaaogaina ai le maualuga o le malosi o le pulupulu (2-3 poloaiga o le maualuga maualuga atu nai lo le faʻafefeteina o le magnetron masani) ma le taʻamilosaga o tiute maualalo (0.5% -10%) e ausia ai le maualuga o le dissociation uʻamea (> 50%), lea e maua mai i le magnetron sputtering uiga, e pei ona faʻaalia i le Pic 1, lea o loʻo faʻaalia i le Pic 1. o le fa'asa'oina o le voltage U, I = kUn (n o se feso'ota'iga faifaipea i le fausaga o le cathode, maneta ma meafaitino). I le maualalo o le malosi (voltage maualalo) o le tau n e masani lava ile va ole 5 i le 15; fa'atasi ai ma le fa'atuputeleina o le voluma fa'asao, o le maualuga o lo'o i ai nei ma le malosi o le malosi e fa'ateleina vave, ma i le maualuga maualuga o le tau o le n e avea ma 1 ona o le leiloa o le fa'agata maneta. Afai i le maualalo o le malosi densities, o le kesi lafoaia e fuafuaina e kasa ions o loʻo i totonu o le masani pulsed discharge mode; pe afai i le maualuga o le malosi, o le tele o ion uʻamea i totonu o le plasma e faʻatupulaʻia ma o nisi mea e fesuiaʻi, o loʻo i totonu o le faʻaogaina o le tagata lava ia, ie O le plasma o loʻo tausia e ala i le faʻapipiʻiina o mea e le tutusa ma le uʻamea lona lua, ma faʻaoga kasa e pei o Ar e faʻaaogaina naʻo le faʻamumuina o le plasma, pe a maeʻa le sputtered o loʻo faʻapipiʻiina i tua o le uʻamea. taulaʻi i lalo o le gaioiga a le maneta ma le eletise eletise e faʻamautu ai le maualuga o le faʻaaogaina o le taimi nei, ma o le plasma o ni vaega uʻamea maualuga. Ona o le sputtering faagasologa o le vevela aafiaga i luga o le sini, ina ia mautinoa ai le faagaoioiga mautu o le sini i talosaga tau alamanuia, le malosi malosi e faaaoga tuusao i le sini e le mafai ona tele tele, e masani ona tuusaʻo vai malulu ma mea autu conductivity vevela e tatau ona i le tulaga o le 25 W / cm2 i lalo, malulu vai le tuusao, mea autu autu conductivity vevela o loo i ai le leaga, taulaiga e mafua mai i vaega vaevaega vevela po o le mamafa o mea e mafua mai i vaega o le vevela. e mafai ona na'o i le 2 ~ 15 W / cm2 i lalo, mamao i lalo o mana'oga o le malosi maualuga. E mafai ona foia le faafitauli o le overheating sini e ala i le faʻaaogaina o pulus malosi maualuga. Anders faauigaina maualuga-mana pulsed magnetron sputtering o se ituaiga o pulsed sputtering lea e sili atu le mamafa o le malosi maualuga i le averesi malosi density e 2 i le 3 poloaiga o le tele, ma o le sputtering ion sini pulea le faagasologa sputtering, ma le sini sputtering atoms e matua dissociated.

Nu.2 O uiga o le mana maualuga pulsed magnetron sputtering coating deposition

O le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering e mafai ona maua ai le plasma ma le maualuga o le dissociation rate ma le maualuga o le malosi o le ion, ma e mafai ona faʻaogaina le faʻaituau e faʻavaveina ai ion ua molia, ma o le faʻaogaina o le faʻapipiʻiina o loʻo faʻapipiʻiina e vaega maualuga-malosi, o se tekinolosi masani IPVD. O le malosi o le ion ma le tufatufaina atu o loʻo i ai se aafiaga taua tele i le lelei o le ufiufi ma le faʻatinoga.
E uiga i le IPVD, e faʻavae i luga o le taʻutaʻua Thorton faʻataʻitaʻiga itulagi, na faʻatulagaina e Anders se faʻataʻitaʻiga o le itulagi e aofia ai le plasma deposition ma le ion etching, faʻalauteleina le sootaga i le va o le faʻapipiʻiina o le vevela ma le vevela ma le mamafa o le ea i totonu o le Thorton structural region model i le sootaga i le va o le faʻapipiʻiina o le fausaga, vevela ma le malosi o le ion, e pei ona faʻaalia i le Pic 2. Faatasi ai ma le faateleina o le vevela o le tuu, o le suiga mai le itulagi 1 (faʻamaʻi faʻamaʻi alava matala) i le itulagi T (faʻamaʻi tioata fiber mafiafia), itulagi 2 (kolumnar tioata) ma le itulagi 3 (recrystallization itulagi); fa'atasi ai ma le fa'ateleina o le fa'aputuga o le malosi o le ion, o le suiga o le vevela mai le itulagi 1 i le itulagi T, itulagi 2 ma le itulagi 3 fa'aitiitia. O tioata fiber maualuga ma tioata columnar e mafai ona saunia i le maualalo o le vevela. Pe a faʻateleina le malosi o ions teuina i le faʻatonuga o le 1-10 eV, o le osofaʻiga ma le faʻaogaina o ion i luga o le faʻapipiʻiina o mea faʻapipiʻi e faʻaleleia ma faʻateleina le mafiafia o paʻu.

Nu.3 Sauniuniga o le fa'alava fa'alava fa'amalo e ala i le malosi maualuga pulsed magnetron sputtering technology
O le faʻapipiʻiina e saunia e le eletise eletise magnetron sputtering eletise maualuga e sili atu ona mafiafia, ma sili atu mea faʻainisinia ma maualuga le mautu o le vevela. E pei ona faaalia i le Pic 3, o le magnetron sputtered TiAlN coating masani o se fausaga tioata columnar ma le maaa o le 30 GPa ma a Young modulus o le 460 GPa; o le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e 34 GPa maaa ae o le Young's modulus e 377 GPa; o le fua faatatau i le va o le maaa ma le modulus a Young o le fua lea o le faigata o le faʻapipiʻi. O le maualuga o le ma'a'a ma le la'ititi o Young's modulus o lona uiga e sili atu le malosi. O le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e sili atu le mautu o le vevela maualuga, faʻatasi ai ma AlN vaega hexagonal faʻafefe i le TiAlN faʻapipiʻi masani ina ua maeʻa togafitiga faʻafefete maualuga ile 1,000 °C mo le 4 itula. O le maaa o le ufiufi e faʻaitiitia i le maualuga o le vevela, ae o le HIPIMS-TiAlN faʻapipiʻi e tumau pea e le suia pe a maeʻa togafitiga vevela i le vevela tutusa ma le taimi. O le HIPIMS-TiAlN fa'apipi'i e iai fo'i le maualuga o le vevela amata o le fa'ama'iina o le vevela maualuga nai lo le fa'alavalava masani. O le mea lea, o le HIPIMS-TiAlN coating o loʻo faʻaalia ai le sili atu le lelei o le faʻatinoga i meafaigaluega faʻapipiʻi maualuga nai lo isi meafaigaluega faʻapipiʻi saunia e le PVD process.