Benvinguts a Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
Notícies
-
Característiques i mètodes de generació del flux d'electrons d'arc
1. Característiques del flux d'electrons de llum d'arc La densitat del flux d'electrons, el flux d'ions i els àtoms neutres d'alta energia en el plasma d'arc generat per la descàrrega d'arc és molt més alta que la de la descàrrega luminescent. Hi ha més ions de gas i ions metàl·lics ionitzats, àtoms d'alta energia excitats i diversos grups actius...Llegir més -
Camps d'aplicació de la modificació de la superfície del plasma
1) La modificació de la superfície per plasma es refereix principalment a certes modificacions de paper, pel·lícules orgàniques, tèxtils i fibres químiques. L'ús de plasma per a la modificació tèxtil no requereix l'ús d'activadors i el procés de tractament no danya les característiques de les fibres en si. ...Llegir més -
Aplicació del recobriment iònic en el camp de les pel·lícules primes òptiques
L'aplicació de les pel·lícules primes òptiques és molt extensa, i abasta des d'ulleres, lents de càmera, càmeres de telèfons mòbils, pantalles LCD per a telèfons mòbils, ordinadors i televisors, il·luminació LED, dispositius biomètrics, fins a finestres d'estalvi d'energia en automòbils i edificis, així com instruments mèdics, te...Llegir més -
Pel·lícules de visualització d'informació i tecnologia de recobriment iònic
1. Tipus de pel·lícula a la pantalla d'informació A més de les pel·lícules primes TFT-LCD i OLED, la pantalla d'informació també inclou pel·lícules d'elèctrodes de cablejat i pel·lícules d'elèctrodes de píxels transparents al panell de la pantalla. El procés de recobriment és el procés central de la pantalla TFT-LCD i OLED. Amb el progrés continu...Llegir més -
La llei de creixement de la capa de pel·lícula de recobriment per evaporació al buit
Durant el recobriment per evaporació, la nucleació i el creixement de la capa de pel·lícula són la base de diverses tecnologies de recobriment iònic 1. Nucleació En la tecnologia de recobriment per evaporació al buit, després que les partícules de la capa de pel·lícula s'evaporin de la font d'evaporació en forma d'àtoms, volen directament cap a l'...Llegir més -
Característiques comunes de la tecnologia de recobriment d'ions de descàrrega luminescent millorada
1. El biaix de la peça és baix. A causa de l'addició d'un dispositiu per augmentar la velocitat d'ionització, la densitat de corrent de descàrrega augmenta i la tensió de polarització es redueix a 0,5 ~ 1 kV. La polvorització inversa causada pel bombardeig excessiu d'ions d'alta energia i l'efecte de dany a la superfície de la peça...Llegir més -
Avantatges de les dianes cilíndriques
1) Els objectius cilíndrics tenen una taxa d'utilització més alta que els objectius planars. En el procés de recobriment, tant si es tracta d'un objectiu de pulverització catòdica cilíndrica de tipus magnètic rotatiu com de tipus tub rotatiu, totes les parts de la superfície del tub objectiu passen contínuament per l'àrea de pulverització catòdica generada davant de...Llegir més -
Procés de polimerització directa per plasma
Procés de polimerització directa per plasma El procés de polimerització per plasma és relativament senzill tant per a equips de polimerització d'elèctrodes interns com per a equips de polimerització d'elèctrodes externs, però la selecció de paràmetres és més important en la polimerització per plasma, perquè els paràmetres tenen una major...Llegir més -
Tecnologia de deposició química de vapor per plasma millorada per arc de fil calent
La tecnologia de deposició química de vapor per plasma millorat per arc de fil calent utilitza la pistola d'arc de fil calent per emetre plasma d'arc, abreujada com a tecnologia PECVD d'arc de fil calent. Aquesta tecnologia és similar a la tecnologia de recobriment iònic de la pistola d'arc de fil calent, però la diferència és que la pel·lícula sòlida obtinguda per...Llegir més -
Introducció a les tècniques convencionals per al dipòsit de recobriments durs
1. Tecnologia CVD tèrmica Els recobriments durs són principalment recobriments metàl·lics ceràmics (TiN, etc.), que es formen per la reacció del metall en el recobriment i la gasificació reactiva. Al principi, la tecnologia CVD tèrmica es va utilitzar per proporcionar l'energia d'activació de la reacció combinada mitjançant energia tèrmica a...Llegir més -
Què és el recobriment de font d'evaporació per resistència?
El recobriment per font d'evaporació per resistència és un mètode bàsic de recobriment per evaporació al buit. "Evaporació" es refereix a un mètode de preparació de pel·lícules primes en què el material de recobriment de la cambra de buit s'escalfa i s'evapora, de manera que els àtoms o molècules del material s'evaporen i escapen del...Llegir més -
Introducció a la tecnologia de galvanoplàstia iònica per arc catòdic
La tecnologia de recobriment d'ions d'arc catòdic utilitza tecnologia de descàrrega d'arc de camp fred. La primera aplicació de la tecnologia de descàrrega d'arc de camp fred en el camp del recobriment va ser per Multi Arc Company als Estats Units. El nom anglès d'aquest procediment és arc ionplating (AIP). Recobriment d'ions d'arc catòdic...Llegir més -
L'aplicació de la pel·lícula fina òptica a la indústria dels vidres recoberts
Hi ha molts tipus de substrats per a ulleres i lents, com ara CR39, PC (policarbonat), 1.53 Trivex156, plàstic d'índex de refracció mitjà, vidre, etc. Per a les lents correctores, la transmitància de les lents de resina i de vidre és només d'aproximadament el 91%, i part de la llum es reflecteix pels dos...Llegir més -
Característiques de la màquina de recobriment al buit
1. La pel·lícula de recobriment al buit és molt fina (normalment 0,01-0,1 µm) | 2. El recobriment al buit es pot utilitzar per a molts plàstics, com ara ABS﹑PE﹑PP﹑PVC﹑PA﹑PC﹑PMMA, etc. 3. La temperatura de formació de la pel·lícula és baixa. A la indústria siderúrgica, la temperatura de recobriment de la galvanització en calent generalment és d'entre 400 ℃ i...Llegir més -
Introducció a la tecnologia de capa fina solar fotovoltaica
Després del descobriment de l'efecte fotovoltaic a Europa el 1863, els Estats Units van fabricar la primera cèl·lula fotovoltaica amb (Se) el 1883. En els primers temps, les cèl·lules fotovoltaiques s'utilitzaven principalment en els camps aeroespacial, militar i altres. En els darrers 20 anys, la forta disminució del cost de la fotovoltaica...Llegir més
