Susū mai i le Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
fu'a_tasi

Fa'aputuga ausa vaila'au fa'ateleina i le plasma

Punaoa o le tusiga: Zhenhua vacuum
Faitau:10
Lomia:22-11-08

Meatotino o le plasma
O le natura o le plasma i le fa'aputuga o le ausa vaila'au fa'amalosia e le plasma, o lona fa'alagolago lea i le malosiaga fa'atino o eletise i le plasma e fa'agaoioia ai tali fa'akemikolo i le vaega kesi. Talu ai o le plasma o se fa'aputuga o ions, eletise, atoma e le fa'aitu'au ma molela'au, e leai sona fa'aitu'au eletise i le tulaga macroscopic. I totonu o se plasma, o le tele o le malosiaga e teuina i le malosiaga i totonu o le plasma. O le plasma e muamua vaevaeina i le plasma vevela ma le plasma malulu. I le faiga PECVD o le plasma malulu lea e fausia e ala i le fa'asa'olotoina o le kesi maualalo le mamafa. O lenei plasma e gaosia e ala i le fa'asa'olotoina o le mamafa maualalo i lalo ifo o ni nai selau Pa o se plasma kesi e le paleni.
O le natura o lenei plasma e faʻapea:
(1) O le gaioiga fa'avevela lē tumau o eletise ma ion e sili atu nai lo la latou gaioiga fa'atonuina.
(2) O lona faagasologa o le ionization e mafua tele lava i le feto'ai o eletise vave ma molekula kasa.
(3) O le averesi o le malosiaga o le fegasoloa'iga o le vevela o eletise e 1 i le 2 fa'atonuga o le malosi e sili atu nai lo o vaega mamafa, e pei o molela'au, atomu, ion ma radicals saoloto.
(4) O le malosi e leiloa pe a uma le feto'ai o eletise ma vaega mamafa e mafai ona toe fa'aleleia mai le fanua eletise i le va o feto'ai.
E faigata ona fa'ailoa se plasma e le paleni le vevela maualalo ma ni nai parakalafa, aua o se plasma e le paleni le vevela maualalo i totonu o se faiga PECVD, lea e le tutusa ai le vevela o le eletise Te ma le vevela Tj o vaega mamafa. I le tekinolosi PECVD, o le galuega autu a le plasma o le gaosia lea o ions ma free-radicals e gaoioi fa'akemikolo. O nei ions ma free-radicals e tali atu ma isi ions, atoms ma molecules i le vaega kesi pe mafua ai le fa'aleagaina o le lattice ma tali fa'akemikolo i luga o le substrate, ma o le fua o mea galue o se galuega tauave o le electron density, reactant concentration ma le yield coefficient. I se isi faaupuga, o le fua o mea galue e fa'alagolago i le malosi o le eletise, le mamafa o le kesi, ma le averesi o le sa'olotoga o vaega i le taimi o le feto'ai. A'o vavae'ese le kesi reactant i le plasma ona o le feto'ai o electrons e maualuga le malosi, e mafai ona faatoilaloina le pa puipui o le tali fa'akemikolo ma e mafai ona fa'aitiitia le vevela o le kesi reactant. O le eseesega autu i le va o le PECVD ma le CVD masani o le eseese o mataupu faavae thermodynamic o le tali fa'akemikolo. O le vavae'eseina o molela'au kesi i totonu o le plasma e lē filifilia, o lea la, o le vaega ata tifaga na fa'aputuina e le PECVD e matuā ese lava mai le CVD masani. O le tuufaatasiga o vaega na gaosia e le PECVD atonu e tulaga ese e lē paleni, ma o lona fa'atulagaina e lē toe fa'atapula'aina e le kinetics paleni. O le vaega ata tifaga masani lava o le tulaga amorphous.

Fa'aputuga ausa vaila'au fa'ateleina i le plasma

Fa'aaliga o le PECVD
(1) Vevela maualalo o le teuina.
(2) Fa'aitiitia le atuatuvale i totonu e mafua mai i le le fetaui o le fua fa'atatau o le fa'alauteleina o le membrane/mea fa'avae.
(3) E maualuga tele le fua faatatau o le teuina, aemaise lava le teuina i le vevela maualalo, lea e fesoasoani i le mauaina o ata tifaga e leai ni foliga ma ni ata tifaga laiti.

Ona o le faiga maualalo o le vevela o le PECVD, e mafai ona faʻaitiitia ai le faʻaleagaina o le vevela, faʻaitiitia ai le sosolo faʻatasi ma le tali atu i le va o le vaega o le ata tifaga ma le mea o loʻo i lalo, ma isi mea faapena, ina ia mafai ona ufiufi vaega eletise aʻo leʻi faia pe ona o le manaʻomia o le toe faia. Mo le gaosiga o matagaluega tuʻufaʻatasi tetele (VLSI, ULSI), ua faʻaaogaina ma le manuia le tekinolosi PECVD i le fausiaina o le ata silicon nitride (SiN) o le ata puipui mulimuli pe a uma ona fausia le uaea eletise Al, faʻapea foʻi ma le faʻapaleina ma le fausiaina o le ata silicon oxide o se mea e faʻamafanafana ai vaega. I le avea ai ma masini manifinifi, ua faʻaaogaina foʻi ma le manuia le tekinolosi PECVD i le gaosiga o transistors manifinifi (TFTs) mo faʻaaliga LCD, ma isi mea faapena, e faʻaaoga ai le tioata o le mea o loʻo i lalo i le metotia o le active matrix. Faatasi ai ma le atinaʻeina o matagaluega tuʻufaʻatasi i le tele o le lautele ma le tuʻufaʻatasiga maualuga ma le faʻaaogaina lautele o masini semiconductor tuʻufaʻatasi, e manaʻomia le faia o le PECVD i le vevela maualalo ma le malosi eletise maualuga. Ina ia ausia lenei manaʻoga, o tekinolosi e mafai ona faʻapipiʻiina ata mafolafola maualuga i le vevela maualalo e tatau ona atiaʻe. Ua suʻesuʻeina loloto ata tifaga SiN ma SiOx e faʻaaoga ai le ECR plasma ma se tekinolosi fou o le plasma chemical vapor deposition (PCVD) faʻatasi ai ma se helical plasma, ma ua oʻo atu i se tulaga aoga i le faʻaaogaina o ata tifaga interlayer insulation mo matagaluega tetele faʻapipiʻi, ma isi.


Taimi na lafoina ai: Nov-08-2022