Plasma Eegeschaften
D'Natur vum Plasma an der Plasma verstäerkter chemescher Dampdepositioun ass datt et op d'kinetesch Energie vun den Elektronen am Plasma hänkt fir déi chemesch Reaktiounen an der Gasphase ze aktivéieren.Zënter Plasma ass eng Sammlung vun Ionen, Elektronen, neutralen Atomer a Molekülen, ass et elektresch neutral um makroskopesche Niveau.An engem Plasma gëtt eng grouss Quantitéit un Energie an der interner Energie vum Plasma gespäichert.Plasma ass ursprénglech a waarm Plasma a kal Plasma opgedeelt.am PECVD System ass et kale Plasma deen duerch nidderegen Drock Gasentladung geformt gëtt.Dëst Plasma produzéiert vun engem nidderegen Drock Offlossquantitéit ënnert e puer honnert Pa ass en Net-Gläichgewiicht Gas Plasma.
D'Natur vun dësem Plasma ass wéi follegt:
(1) Onregelméisseg thermesch Bewegung vun Elektronen an Ionen iwwerschreift hir geriichtte Bewegung.
(2) Säin Ioniséierungsprozess gëtt haaptsächlech duerch d'Kollisioun vu schnelle Elektronen mat Gasmoleküle verursaacht.
(3) Déi duerchschnëttlech thermesch Bewegungsenergie vun Elektronen ass 1 bis 2 Uerderen méi héich wéi déi vu schwéiere Partikelen, wéi Molekülen, Atomer, Ionen a fräi Radikale.
(4) Den Energieverloscht no der Kollisioun vun Elektronen a schwéiere Partikel kann aus dem elektresche Feld tëscht Kollisiounen kompenséiert ginn.
Et ass schwéier e Low-Temperatur Net-Gläichgewiicht Plasma mat enger klenger Zuel vu Parameteren ze charakteriséieren, well et eng niddereg-Temperatur Net-Gläichgewiicht Plasma an engem PECVD System ass, wou d'Elektronen Temperatur Te net d'selwecht ass wéi d'Temperatur Tj vun de schwéier Partikel.An der PECVD Technologie ass d'Haaptfunktioun vum Plasma fir chemesch aktiv Ionen a fräi Radikale ze produzéieren.Dës Ionen a fräi Radikale reagéiere mat aneren Ionen, Atomer a Molekülen an der Gasphase oder verursaache Gitterschued a chemesch Reaktiounen op der Substratoberfläche, an d'Ausbezuelung vum aktive Material ass eng Funktioun vun der Elektronendicht, der Reaktantkonzentratioun an der Ausbezuelungskoeffizient.An anere Wierder, d'Ausbezuele vum aktive Material hänkt vun der elektrescher Feldstäerkt, dem Gasdrock an dem duerchschnëttleche fräie Beräich vun de Partikelen zur Zäit vun der Kollisioun of.Wéi de Reaktantgas am Plasma dissoziéiert wéinst der Kollisioun vun héichenergetesch Elektronen, kann d'Aktivatiounsbarriär vun der chemescher Reaktioun iwwerwonne ginn an d'Temperatur vum Reaktantgas kann reduzéiert ginn.Den Haaptunterschied tëscht PECVD a konventionell CVD ass datt déi thermodynamesch Prinzipien vun der chemescher Reaktioun anescht sinn.D'Dissoziatioun vu Gasmolekülen am Plasma ass net-selektiv, sou datt d'Filmschicht, déi vum PECVD deposéiert ass, komplett anescht ass wéi konventionell CVD.D'Phase Zesummesetzung produzéiert vu PECVD kann net Gläichgewiicht eenzegaarteg sinn, a seng Formation ass net méi limitéiert duerch d'Gläichgewiichtkinetik.Déi typesch Filmschicht ass amorphen Zoustand.
PECVD Funktiounen
(1) Niddereg Oflagerungstemperatur.
(2) Reduzéieren den internen Stress verursaacht duerch de Mëssverständnis vum linear Expansiounskoeffizient vun der Membran / Basismaterial.
(3) D'Oflagerungsquote ass relativ héich, besonnesch d'Temperaturablagerung, déi hëllefe fir amorphen a mikrokristalline Filmer ze kréien.
Wéinst dem nidderegen Temperaturprozess vu PECVD kann thermesch Schued reduzéiert ginn, géigesäiteg Diffusioun a Reaktioun tëscht der Filmschicht an dem Substratmaterial kënne reduzéiert ginn, etc., sou datt elektronesch Komponenten souwuel éier se gemaach ginn oder wéinst der Bedierfness beschichtet kënne ginn. fir Neiaarbechten.Fir d'Fabrikatioun vun ultra-grouss-Skala integréiert Kreesleef (VLSI, ULSI), PECVD Technologie ass erfollegräich fir d'Bildung vun Silicon Nitride Film (SiN) als Finale Schutzfilm no der Bildung vun Al Elektroden wiring applizéiert, souwéi Offlaachung an der Bildung vu Siliziumoxidfilm als Interlayer Isolatioun.Als Dënnfilmgeräter ass PECVD Technologie och erfollegräich fir d'Fabrikatioun vun Dënnfilm Transistoren (TFTs) fir LCD Displays, etc.Mat der Entwécklung vun integréierte Circuiten zu méi grousser Skala a méi héijer Integratioun an der wäiter Notzung vu Compound Hallefleitgeräter, ass PECVD erfuerderlech fir bei méi nidderegen Temperaturen a méi héijer Elektronenenergieprozesser ausgefouert ze ginn.Fir dës Ufuerderung z'erreechen, sollen Technologien entwéckelt ginn, déi méi héich Flaachheetsfilmer bei méi nidderegen Temperaturen synthetiséieren.D'SiN a SiOx Filmer goufen extensiv studéiert mat ECR Plasma an enger neier Plasma Chemical Vapor Deposition (PCVD) Technologie mat engem helical Plasma, an hunn e prakteschen Niveau erreecht an der Notzung vun Interlayer Isolatiounsfilmer fir méi grouss Skala integréiert Circuiten, etc.
Post Zäit: Nov-08-2022