Erilaisten tyhjiöpumppujen suorituskyvyssä on muitakin eroja kuin kyky pumpata tyhjiötä kammioon. Siksi on erittäin tärkeää selvittää pumpun tyhjiöjärjestelmässä tekemä työ, ja pumpun rooli eri työaloilla on tiivistetty seuraavasti.
1. Järjestelmän pääpumppuna toimiminen
Pääpumppu on tyhjiöpumppu, joka pumppaa suoraan tyhjiöjärjestelmän pumpattavaa kammiota saavuttaakseen prosessivaatimusten täyttämiseen tarvittavan tyhjiöasteen.
2, Karkea pumppauspumppu
Karkea pumppauspumppu on tyhjiöpumppu, joka alkaa laskea ilmanpaineesta ja tyhjiöjärjestelmän paine saavuttaa toisen pumppausjärjestelmän, joka voi alkaa toimia.
3, Esivaihepumppu
Esivaihepumppu on tyhjiöpumppu, jota käytetään pitämään toisen pumpun esivaihepaine sen suurimman sallitun esivaihepaineen alapuolella.
4, Pidätyspumppu
Pitopumppu on pumppu, joka ei pysty tehokkaasti käyttämään pääesivaihepumppua, kun tyhjiöjärjestelmän pumppaus on hyvin pieni. Tästä syystä tyhjiöjärjestelmässä käytetään toisenlaista apu-esivaihepumppua, jonka pumppausnopeus on pienempi, ylläpitämään pääpumpun normaalia toimintaa tai tyhjennetyn säiliön vaatimaa matalaa painetta.
5, Karkea tyhjiöpumppu tai matala tyhjiöpumppu
Karkea- tai matalatyhjiöpumppu on tyhjiöpumppu, joka käynnistyy ilmasta ja toimii matalan tai karkean tyhjiöpaineen alueella pumpattavan säiliön paineen alentamisen jälkeen.
6, korkea tyhjiöpumppu
Suurtyhjiöpumpulla tarkoitetaan tyhjiöpumppua, joka toimii korkeatyhjiöalueella.
7, Erittäin korkea tyhjiöpumppu
Erittäin korkea tyhjiöpumppu viittaa erittäin korkealla tyhjiöalueella toimivaan tyhjiöpumppuun.
8, Tehostepumppu
Tehostepumpulla tarkoitetaan yleensä tyhjiöpumppua, joka toimii matalapainepumpun ja korkeapainepumpun välissä ja lisää pumppausjärjestelmän pumppauskapasiteettia keskipainealueella tai vähentää edellisen pumpun pumppausnopeusvaatimusta.
Johdatus ionipuhdistimeen
Plasmapuhdistin
1. Plasma on ionisoitunut kaasu, jossa positiivisten ionien ja elektronien tiheydet ovat suunnilleen yhtä suuret. Se koostuu ioneista, elektroneista, vapaista radikaaleista ja neutraaleista hiukkasista.
2. Se on aineen neljäs olomuoto. Koska plasma on kaasua korkeamman energian yhdistelmä, plasmaympäristössä oleva aine voi saada enemmän fysikaalis-kemiallisia ja muita reaktio-ominaisuuksia.
3. Plasmapuhdistuskoneen mekanismi perustuu materiaalin "plasmatilan" "aktivointivaikutukseen" pintatahrojen poistamiseksi.
4. Plasmapuhdistus on myös pohjattomin irrotusmenetelmä kaikista puhdistusmenetelmistä. Sitä voidaan käyttää laajalti puolijohde-, mikroelektroniikka-, painopiste-, LCD-, LCM- ja LED-prosesseissa.
5. Tarkkuuspuhdistus ennen laitteiden pakkaamista, tyhjiöelektroniikka, liittimet ja releet, aurinkosähköteollisuus, muovi-, kumi-, metalli- ja keraamisten pintojen puhdistus, syövytyskäsittely, tuhkakäsittely, pinnan aktivointi ja muut biotieteellisten kokeiden alat.
Julkaisun aika: 07.11.2022