TiN — самое раннее твердое покрытие, используемое в режущих инструментах, с такими преимуществами, как высокая прочность, высокая твердость и износостойкость. Это первый промышленный и широко используемый материал для твердого покрытия, широко используемый в покрытых инструментах и покрытых формах. Твердое покрытие TiN первоначально наносилось при температуре 1000 ℃...
Высокоэнергетическая плазма может бомбардировать и облучать полимерные материалы, разрывая их молекулярные цепи, образуя активные группы, увеличивая поверхностную энергию и вызывая травление. Плазменная обработка поверхности не влияет на внутреннюю структуру и эксплуатационные характеристики объемного материала, а лишь существенно...
Процесс нанесения ионного покрытия с использованием катодной дуги в основном такой же, как и при использовании других технологий нанесения покрытий, а некоторые операции, такие как установка заготовок и вакуумирование, больше не повторяются. 1. Бомбардировочная очистка заготовок Перед нанесением покрытия в камеру нанесения покрытия вводится газ аргон с помощью...
1.Характеристики потока электронов дугового света Плотность потока электронов, потока ионов и высокоэнергетических нейтральных атомов в плазме дуги, генерируемой дуговым разрядом, намного выше, чем в тлеющем разряде. Больше ионизированных ионов газа и ионов металла, возбужденных высокоэнергетических атомов и различных активных групп...
1) Плазменная модификация поверхности в основном относится к определенным модификациям бумаги, органических пленок, текстиля и химических волокон. Использование плазмы для модификации текстиля не требует использования активаторов, а процесс обработки не наносит ущерба характеристикам самих волокон. ...
Применение оптических тонких пленок весьма обширно: от очков, объективов фотоаппаратов, камер мобильных телефонов, ЖК-экранов для мобильных телефонов, компьютеров и телевизоров, светодиодного освещения, биометрических устройств до энергосберегающих окон в автомобилях и зданиях, а также медицинских инструментов, те...
1. Тип пленки в информационном дисплее В дополнение к тонким пленкам TFT-LCD и OLED, информационный дисплей также включает в себя пленки электродов проводки и прозрачные пленки пиксельных электродов в панели дисплея. Процесс нанесения покрытия является основным процессом TFT-LCD и OLED-дисплея. Благодаря непрерывной прог...
При нанесении покрытий методом испарения зародышеобразование и рост пленочного слоя являются основой различных технологий ионного покрытия. 1. Зародышеобразование В технологии нанесения покрытий методом вакуумного испарения после того, как частицы пленочного слоя испаряются из источника испарения в виде атомов, они летят прямо в...
1. Смещение заготовки низкое. Благодаря добавлению устройства для увеличения скорости ионизации увеличивается плотность тока разряда, а напряжение смещения снижается до 0,5~1 кВ. Обратное распыление, вызванное чрезмерной бомбардировкой высокоэнергетическими ионами, и повреждающее воздействие на поверхность заготовки...
1) Цилиндрические мишени имеют более высокий коэффициент использования, чем плоские мишени. В процессе нанесения покрытия, будь то распылительная мишень вращающегося магнитного типа или вращающегося трубчатого типа, все части поверхности трубки мишени непрерывно проходят через область распыления, образованную перед...
Процесс прямой плазменной полимеризации Процесс плазменной полимеризации относительно прост как для оборудования для полимеризации с внутренним электродом, так и для оборудования для полимеризации с внешним электродом, но выбор параметров более важен при плазменной полимеризации, поскольку параметры имеют большее...
Технология химического осаждения паров плазмы с использованием горячей проволоки использует пистолет с горячей проволокой для испускания дуговой плазмы, сокращенно называемая технологией PECVD с горячей проволокой. Эта технология похожа на технологию ионного покрытия с использованием горячей проволоки, но разница заключается в том, что твердая пленка, полученная с помощью горячей проволоки,...
1. Технология термического CVD Твердые покрытия в основном представляют собой металлокерамические покрытия (TiN и т. д.), которые образуются в результате реакции металла в покрытии и реактивной газификации. Сначала технология термического CVD использовалась для обеспечения энергии активации реакции сочетания тепловой энергией при ...
Покрытие с использованием источника резистивного испарения является основным методом вакуумного испарения. «Испарение» относится к методу подготовки тонкой пленки, при котором материал покрытия в вакуумной камере нагревается и испаряется, так что атомы или молекулы материала испаряются и выходят из...
Технология катодного дугового ионного покрытия использует технологию холодного дугового разряда. Самое раннее применение технологии холодного дугового разряда в области покрытий было осуществлено компанией Multi Arc Company в Соединенных Штатах. Английское название этой процедуры — arc ionplating (AIP). Катодное дуговое ионное покрытие...