၁။ ဖုန်စုပ်အိုင်းယွန်းအပေါ်ယံလွှာနည်းပညာ၏ အခြေခံမူ
vacuum chamber တွင် vacuum arc discharge နည်းပညာကို အသုံးပြုခြင်းဖြင့် cathode ပစ္စည်း၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် arc အလင်းကို ထုတ်ပေးပြီး cathode ပစ္စည်းပေါ်တွင် အက်တမ်များနှင့် အိုင်းယွန်းများ ဖြစ်ပေါ်လာစေသည်။ လျှပ်စစ်စက်ကွင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် အက်တမ်နှင့် အိုင်းယွန်းရောင်ခြည်များသည် workpiece ၏ မျက်နှာပြင်ကို anode အဖြစ် မြန်နှုန်းမြင့် ပစ်ခတ်သည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ reaction gas ကို vacuum chamber ထဲသို့ ထည့်သွင်းပြီး workpiece ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဂုဏ်သတ္တိများရှိသော coating အလွှာတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာသည်။
၂။ ဖုန်စုပ်အိုင်းယွန်းအပေါ်ယံလွှာ၏ ဝိသေသလက္ခဏာများ
(၁) အပေါ်ယံလွှာ ကပ်ငြိမှု ကောင်းမွန်သောကြောင့် ဖလင်လွှာ ကျွတ်ထွက်ရန် မလွယ်ကူပါ။
(၂) အပေါ်ယံလွှာ ကောင်းမွန်စွာ ဖုံးအုပ်နိုင်ပြီး မျက်နှာပြင် ဖုံးအုပ်မှု ပိုမိုကောင်းမွန်ခြင်း။
(၃) အပေါ်ယံလွှာ အရည်အသွေး ကောင်းမွန်ခြင်း။
(၄) အနည်ကျနှုန်းမြင့်မားပြီး အလွှာဖွဲ့စည်းမှု မြန်ဆန်သည်။
(၅) သင့်လျော်သော အောက်ခံပစ္စည်းနှင့် အပေါ်ယံလွှာအတွက် ဖလင်ပစ္စည်းများ အမျိုးမျိုး
ကြီးမားသော multi-arc magnetron လက်ဗွေရာဆန့်ကျင်ရေးပေါင်းစပ်အလွှာပစ္စည်းကိရိယာများ
လက်ဗွေရာမပါဝင်သည့် မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း အပေါ်ယံလွှာစက်သည် အလတ်စားကြိမ်နှုန်း မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း၊ multi-arc ion နှင့် AF နည်းပညာတို့ကို ပေါင်းစပ်အသုံးပြုထားပြီး ဟာ့ဒ်ဝဲလုပ်ငန်း၊ စားပွဲတင်ပစ္စည်း ဟာ့ဒ်ဝဲ၊ တိုက်တေနီယမ် သံမဏိပြား၊ သံမဏိ ရေစုပ်ကန်နှင့် သံမဏိပြားကြီးများကို ပြုပြင်ထုတ်လုပ်ခြင်းတွင် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ၎င်းသည် ကပ်ငြိမှုကောင်းမွန်ခြင်း၊ ထပ်ခါတလဲလဲလုပ်ဆောင်နိုင်ခြင်း၊ သိပ်သည်းဆနှင့် ဖလင်အလွှာ၏ တစ်ပြေးညီဖြစ်ခြင်း၊ မြင့်မားသောအထွက်နှုန်းနှင့် မြင့်မားသောထုတ်ကုန်အထွက်နှုန်းတို့ရှိသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၄ ခုနှစ်၊ မေလ ၃၁ ရက်