Fotowoltaik öýjükleri esasan irki fotonda kosmosda, harby we beýleki ugurlarda ulanyldy - Soňky 20 ýylda, global amalyýetleriň giňişliginde kosmos gowagyndan bökmek fotowoltaikini öňe sürmek üçin fotowoltaik öýjükleriň bahasy ep-esli azaldy. 2019-njy ýylyň ahyrynda dünýäde gün energiýasy bilen işleýän PV-iň umumy kuwwaty 616 GW-a ýetdi we 2050-nji ýyla çenli dünýädäki elektrik öndüriş kuwwatynyň 50% -ine ýeter diýlip garaşylýar. Lightagtylygyň siňdirilmegi boýunça fotowoltaik ýarymgeçiriji materialy esasan birnäçe mikrondan ýüzlerçe mikron galyňlyk aralygynda bolýar we öýjügiň öndürijiliginiň ýarym elektrik geçirijisi, wakuum inçe film tehnologiýasy üçin gaty möhümdir.
Senagat taýdan ösen fotoelektrik öýjükleri iki esasy kategoriýa bölünýär: kristal kremniý gün öýjükleri we inçe film gün öýjükleri. Döwrebap kristal kremniy öýjük tehnologiýalaryna passiw emitter we arka öýjük (PERC) tehnologiýasy, heterojunksiýa (HJT) tehnologiýasy, passiw emitter arka tarapdan doly diffuziýa (PERT) tehnologiýasy we tunellenen oksid passiw kontakt (Topcon) öýjük tehnologiýasy girýär. Kristal kremniý öýjüklerindäki inçe filmleriň funksiýalaryna esasan passiwasiýa, şöhlelenmäni azaltmak, P / N doping we geçirijilik degişlidir. Esasy inçe filmli batareýa tehnologiýalarynda kadmium tellurid, mis indiý gallium selenid we halkogenid bar. Inçe filmler, esasan, ýagtylygy siňdiriji gatlak, geçiriji gatlak we ş.m. hökmünde ulanylýar. Fotowoltaik öýjüklerde inçe filmleri taýýarlamak wakuum örtük tehnologiýasynyň dürli görnüşlerinde köplenç ulanylýar.
IsBu makala çap edildivakuum örtük maşyn öndürijisiGuangdong Zhenhua
Iş wagty: 12-2023-nji sentýabr