Àwọn sẹ́ẹ̀lì fọ́tòvoltaic ni a sábà máa ń lò ní ààyè, ológun àti àwọn pápá mìíràn ní ìgbà àkọ́kọ́ fọ́tòn - Ní ogún ọdún sẹ́yìn, iye owó àwọn sẹ́ẹ̀lì fọ́tòvoltaic ti dínkù gidigidi láti gbé fọ́tòvoltaic ihò space jump sókè ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò kárí ayé. Ní òpin ọdún 2019, àpapọ̀ agbára PV oòrùn tí a fi sori ẹrọ kárí ayé dé 616GW, a sì retí pé yóò dé 50% gbogbo agbára ìṣẹ̀dá agbára kárí ayé ní ọdún 2050. Nítorí ohun èlò fọ́tòvoltaic semiconductor, fífa ìmọ́lẹ̀ mọ́lẹ̀ máa ń wáyé ní ìwọ̀n díẹ̀ sí ọgọ́rùn-ún microns ní ìwọ̀n nínípọn àti ojú ohun èlò semiconductor ti iṣẹ́ sẹ́ẹ̀lì ṣe pàtàkì gan-an, nítorí náà, ìmọ̀ ẹ̀rọ fíìmù oníwọ̀n vacuum ní ọ̀pọ̀lọpọ̀ àwọn ohun èlò nínú ṣíṣe iná mànàmáná oòrùn.
Àwọn sẹ́ẹ̀lì fọ́tòvoltaic tí a ti ṣe iṣẹ́-ọnà sí pín sí oríṣi méjì pàtàkì: àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn silicon crystalline àti àwọn sẹ́ẹ̀lì oòrùn thin film. Àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ sẹ́ẹ̀lì silicon crystalline tí ó ti pẹ́ ní ìmọ̀-ẹ̀rọ passivated emitter àti backside cell (PERC), ìmọ̀-ẹ̀rọ heterojunction (HJT), ìmọ̀-ẹ̀rọ passivated emitter backside full diffusion (PERT), àti ìmọ̀-ẹ̀rọ sẹ́ẹ̀lì passivated oxide (Topcon). Àwọn iṣẹ́ àwọn fíìmù thinstream nínú àwọn sẹ́ẹ̀lì silicon crystalline ní pàtàkì pẹ̀lú passivation, reflection reflection, P/N doping, àti conductivity. Àwọn ìmọ̀-ẹ̀rọ bátìrì thin-film Mainstream ní cadmium telluride, copper indium gallium selenide, àti chalcogenide. Àwọn fíìmù thinstream ni a sábà máa ń lò gẹ́gẹ́ bí fẹlẹfẹlẹ tí ń fa ìmọ́lẹ̀, conductive layer, àti bẹ́ẹ̀ bẹ́ẹ̀ lọ nínú wọn. Ìpèsè àwọn fíìmù thin nínú àwọn sẹ́ẹ̀lì photovoltaic ni a sábà máa ń lò nínú onírúurú ìmọ̀-ẹ̀rọ ìbòrí vacuum.
–A gbé àpilẹ̀kọ yìí jáde láti ọwọ́ẹrọ fifọ ideri igbaleGuangdong Zhenhua
Àkókò ìfìwéránṣẹ́: Oṣù Kẹsàn-12-2023