Фотоны эхэн үед фотоволтайк эсийг голчлон сансрын, цэргийн болон бусад салбарт ашиглаж байсан - Сүүлийн 20 жилд фотоволтайк эсийн өртөг дэлхийн өргөн хүрээний хэрэглээнд сансрын агуйн үсрэлт фотоволтайкийг дэмжих зорилгоор эрс буурсан. 2019 оны эцэс гэхэд дэлхий даяарх нарны фотоволтайкийн нийт суурилагдсан хүчин чадал 616 ГВт-д хүрсэн бөгөөд 2050 он гэхэд дэлхийн нийт цахилгаан үйлдвэрлэх хүчин чадлын 50%-д хүрнэ гэж тооцоолж байна. Фотоволтайкийн хагас дамжуулагч материалын улмаас гэрлийг шингээх нь голчлон хэдэн микроноос хэдэн зуун микрон хүртэл зузаантай байдаг бөгөөд хагас дамжуулагч материалын эсийн гадаргуугийн гүйцэтгэл маш чухал тул вакуум нимгэн хальсан технологи нь нарны цахилгаан үйлдвэрлэхэд өргөн хүрээний хэрэглээтэй байдаг.
Аж үйлдвэржсэн фотоволтайк эсүүд нь хоёр үндсэн ангилалд хуваагддаг: талст цахиурын нарны эсүүд болон нимгэн хальсан нарны эсүүд. Хамгийн сүүлийн үеийн талст цахиурын эсийн технологид идэвхгүй ялгаруулагч ба арын эс (PERC) технологи, гетеро холболтын (HJT) технологи, идэвхгүй ялгаруулагч арын бүрэн диффузийн (PERT) технологи, туннелийн исэл идэвхгүй холбоо барих (Topcon) эсийн технологи орно. Талст цахиурын эсүүд дэх нимгэн хальсны функцүүдэд голчлон идэвхгүйжүүлэлт, ойлтыг бууруулах, P/N хольц, дамжуулах чадвар орно. Нимгэн хальсан батерейны гол технологид кадмийн теллурид, зэсийн индий галлий селенид, халькогенид орно. Нимгэн хальсыг голчлон тэдгээрт гэрэл шингээх давхарга, дамжуулагч давхарга гэх мэт болгон ашигладаг. Фотоволтайк эсүүдэд нимгэн хальс бэлтгэх ажлыг вакуум бүрхүүлийн янз бүрийн төрлийн технологид илүү их ашигладаг.
-Энэ нийтлэлийг нийтэлсэнвакуум бүрэх машин үйлдвэрлэгчГуандун Жэнхуа
Нийтэлсэн цаг: 2023 оны 9-р сарын 12