Дар аввали фотонҳо, ҳуҷайраҳои фотоэлектрикӣ асосан дар соҳаҳои кайҳонӣ, низомӣ ва дигар соҳаҳо истифода мешуданд - дар 20 соли охир, арзиши ҳуҷайраҳои фотоэлектрикӣ барои пешбурди фотоэлектрикҳои кайҳонӣ дар доираи васеи барномаҳои ҷаҳонӣ ба таври назаррас коҳиш ёфтааст. Дар охири соли 2019, иқтидори умумии насбшудаи фотоэлектрикҳои офтобӣ дар саросари ҷаҳон ба 616 ГВт расид ва интизор меравад, ки то соли 2050 ба 50% иқтидори умумии истеҳсоли нерӯи барқ дар ҷаҳон бирасад. Аз сабаби ҷабби нури маводи нимноқилии фотоэлектрикӣ, ғафсии онҳо асосан аз чанд микрон то садҳо микрон аст ва сатҳи маводи нимноқилӣ хеле муҳим аст, аз ин рӯ, технологияи плёнкаи тунуки вакуумӣ доираи васеи барномаҳоро дар истеҳсоли нерӯи барқи офтобӣ дорад.
Ҳуҷайраҳои фотоэлектрикии саноатӣ ба ду категорияи асосӣ тақсим мешаванд: ҳуҷайраҳои офтобии кремнийи кристаллӣ ва ҳуҷайраҳои офтобии плёнкаи тунук. Технологияҳои муосири ҳуҷайраҳои кремнийи кристаллӣ технологияи эмиттери пассившуда ва ҳуҷайраҳои пушти сар (PERC), технологияи гетерогузариш (HJT), технологияи диффузияи пурраи пушти эмиттери пассившуда (PERT) ва технологияи ҳуҷайраҳои пассившудаи оксиди туннелӣ (Topcon)-ро дар бар мегиранд. Вазифаҳои плёнкаҳои тунук дар ҳуҷайраҳои кремнийи кристаллӣ асосан пассиватсия, коҳиши инъикос, допинг P/N ва гузаронандагиро дар бар мегиранд. Технологияҳои асосии батареяҳои плёнкаи тунук теллуриди кадмий, селениди галлийи индий мис ва халкогенидро дар бар мегиранд. Плёнкаҳои тунук асосан ҳамчун қабати ҷаббандаи нур, қабати гузаронанда ва ғайра дар онҳо истифода мешаванд. Тайёр кардани плёнкаҳои тунук дар ҳуҷайраҳои фотоэлектрикӣ бештар дар намудҳои гуногуни технологияи пӯшонидани вакуумӣ истифода мешавад.
- Ин мақола аз ҷониби нашр шудаастистеҳсолкунандаи мошини пӯшонидани вакуумӣГуандун Чжэнхуа
Вақти нашр: 12 сентябри соли 2023