Фотоэлектрические элементы на заре своего существования в основном использовались в космосе, военной сфере и других областях. За последние 20 лет стоимость фотоэлектрических элементов резко снизилась, что способствовало широкому распространению фотоэлектрических технологий в космическом секторе. К концу 2019 года общая установленная мощность солнечных фотоэлектрических систем в мире достигла 616 ГВт, и ожидается, что к 2050 году она составит 50% от общей мировой мощности электроэнергетики. Поскольку поглощение света полупроводниковым материалом фотоэлектрических элементов происходит в основном в диапазоне толщин от нескольких микрон до сотен микрон, а характеристики поверхности полупроводникового материала имеют очень важное значение для работы элемента, технология вакуумных тонких пленок нашла широкое применение в производстве солнечной электроэнергии.
Промышленные фотоэлектрические элементы делятся на две основные категории: солнечные элементы на основе кристаллического кремния и тонкопленочные солнечные элементы. К современным технологиям кристаллических кремниевых элементов относятся технология пассивированного эмиттера и тыльной стороны (PERC), технология гетероперехода (HJT), технология пассивированного эмиттера и тыльной стороны с полной диффузией (PERT) и технология туннельного оксидного пассивированного контакта (Topcon). Функции тонких пленок в кристаллических кремниевых элементах в основном включают пассивацию, снижение отражения, легирование P/N и проводимость. К основным технологиям тонкопленочных батарей относятся теллурид кадмия, селенид меди-индия-галлия и халькогениды. Тонкие пленки в них в основном используются в качестве светопоглощающего слоя, проводящего слоя и т. д. Для получения тонких пленок в фотоэлектрических элементах чаще всего используется различные виды вакуумного напыления.
– Данная статья опубликованапроизводитель вакуумных напыляемых машинГуандун Чжэньхуа
Дата публикации: 12 сентября 2023 г.