Fotogalvaanilisi elemente kasutati varases epohhias peamiselt kosmoses, sõjaväes ja muudes valdkondades. Viimase 20 aasta jooksul on fotogalvaaniliste elementide hind dramaatiliselt langenud, mis on soodustanud fotogalvaaniliste elementide laiaulatuslikku kasutamist kosmoses. 2019. aasta lõpuks ulatus päikesepaneelide koguvõimsus kogu maailmas 616 GW-ni ja eeldatavasti ulatub see 2050. aastaks 50%-ni maailma koguenergia tootmisvõimsusest. Fotogalvaanilise pooljuhtmaterjali valguse neeldumine toimub peamiselt mõnest mikronist kuni sadade mikroniteni paksuse vahemikus ning pooljuhtmaterjali pinna jõudlus on väga oluline, mistõttu vaakumõhukese kile tehnoloogial on päikeseenergia tootmisel lai valik rakendusi.
Tööstuslikult toodetud fotogalvaanilised elemendid jagunevad kahte põhikategooriasse: kristallilisest ränist päikesepatareid ja õhukese kilega päikesepatareid. Tipptasemel kristallilise räni patareide tehnoloogiate hulka kuuluvad passiveeriva emitteri ja tagakülje patarei (PERC) tehnoloogia, heterosiirde (HJT) tehnoloogia, passiveeriva emitteri tagakülje täieliku difusiooni (PERT) tehnoloogia ja tunneldatud oksiidpassiveeriva kontaktiga (Topcon) patareide tehnoloogia. Kristallilise räni patareide õhukeste kilede funktsioonide hulka kuuluvad peamiselt passiveerimine, peegelduse vähendamine, P/N-doping ja juhtivus. Peamised õhukese kilega aku tehnoloogiad hõlmavad kaadmiumtelluriidi, vaskindium-galliumseleniidi ja kalkogeniidi. Õhukesi kilesid kasutatakse neis peamiselt valgust neelava kihi, juhtiva kihina jne. Fotogalvaaniliste patareide õhukeste kilede valmistamist kasutatakse sagedamini erinevat tüüpi vaakumkatmistehnoloogias.
– Selle artikli avaldasvaakumkatmismasinate tootjaGuangdongi Zhenhua
Postituse aeg: 12. september 2023