Dünnschichtsolarzellen waren schon immer ein Forschungsschwerpunkt der Branche, einige erreichen einen Wirkungsgrad von über 20 %. Dünnschichtbatterietechnologien, darunter Cadmiumtellurid (CdTe)-Dünnschichtbatterien und Kupfer-Indium-Gallium-Selenid (CICS, Abkürzung Cu, In, Ga, Se)-Dünnschichtbatterien, nehmen einen gewissen Marktanteil ein. Die andere Dünnschichtbatterie, die Chalkogenidbatterie, gilt als wichtige Technologie der nächsten Generation. Im Folgenden werden die CdTe-Dünnschichtbatterien näher erläutert.
CdTe ist ein Halbleiter mit direkter Bandlücke, einem hohen Absorptionskoeffizienten für Sonnenlicht und einer verbotenen Zone von 1,5 eV, was die Absorption des oberflächennahen Sonnenspektrums begünstigt. Für eine effektive Lichtabsorption benötigt CdTe nur eine Schichtdicke von weniger als 3 µm, was deutlich geringer ist als die 150–180 pm von kristallinem Silizium und somit Material spart.
Die TCO-Schicht und die Metallkontaktschicht werden mittels CVD und PVD abgeschieden. Lichtabsorbierende CdTe-Schichten werden durch Aufdampfen, Sputtern und elektrochemische Abscheidung aufgebracht. Das industrielle Aufdampfverfahren ist am weitesten verbreitet; es gibt zwei Hauptverfahren: die Sublimation in engen Räumen und die Gasphasentransportabscheidung.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 13. Oktober 2023