Pin mặt trời màng mỏng luôn là điểm nóng nghiên cứu của ngành công nghiệp, một số công nghệ pin màng mỏng có hiệu suất chuyển đổi có thể đạt hơn 20%, bao gồm pin màng mỏng cadmium telluride (CdTe) và pin màng mỏng đồng indium gallium selenide (CICS, viết tắt là Cu, In, Ga, Se), chiếm một thị phần nhất định. Loại pin màng mỏng khác là pin chalcogenide được coi là công nghệ thế hệ tiếp theo quan trọng, hãy cùng tìm hiểu về pin màng mỏng CdTe.
CdTe là chất bán dẫn có khe năng lượng trực tiếp với hệ số hấp thụ ánh sáng mặt trời cao và dải băng cấm 1,5eV, rất thuận lợi cho việc hấp thụ phổ mặt trời trên bề mặt. CdTe chỉ cần độ dày màng dưới 3µm để hấp thụ ánh sáng hiệu quả, thấp hơn nhiều so với độ dày 150-180µm của silicon tinh thể, giúp tiết kiệm vật liệu.
Lớp màng TCO và lớp tiếp xúc kim loại được lắng đọng bằng phương pháp CVD và PVD. Màng CdTe hấp thụ ánh sáng được lắng đọng bằng phương pháp mạ bay hơi, lắng đọng phún xạ và lắng đọng điện hóa. Phương pháp mạ bay hơi trong công nghiệp phổ biến hơn, có hai phương pháp mạ bay hơi chính: phương pháp thăng hoa trong không gian hẹp và phương pháp lắng đọng vận chuyển pha khí.
–Bài viết này được phát hành bởiNhà sản xuất máy phủ chân khôngQuảng Đông Chấn Hoa
Thời gian đăng bài: 13 tháng 10 năm 2023