Nazik təbəqəli günəş batareyaları həmişə sənayenin tədqiqat mərkəzi olub, bir neçə çevrilmə səmərəliliyi nazik təbəqəli batareya texnologiyasının 20%-dən çoxuna çata bilər, o cümlədən kadmium tellurid (CdTe) nazik təbəqəli batareya və mis indium qallium selenid (CICS, Cu, In, Ga, Se qısaltması) nazik təbəqəli batareya bazarın müəyyən bir hissəsini tutur, digər nazik təbəqəli batareya olan xalkogenid batareyası vacib bir yeni nəsil texnologiya hesab olunur, gəlin CdTe nazik təbəqəli batareyalarını təqdim edək.
CdTe, günəş işığının yüksək udma əmsalına və 1,5 eV qadağan olunmuş bant genişliyinə malik birbaşa bant boşluğu yarımkeçiricisidir ki, bu da səth günəş spektrini udmaq üçün əlverişlidir. CdTe, işığı effektiv şəkildə udmaq üçün yalnız 3 um-dan az film qalınlığına ehtiyac duyur ki, bu da kristal silikonun 150-180 pm qalınlığından xeyli aşağıdır və materiallara qənaət edir.
TCO filmi və metal təmas təbəqəsi CVD və PVD ilə çökdürülür. İşığı udma qabiliyyətinə malik CdTe filmləri buxarlanma örtüyü, püskürtmə və elektrokimyəvi çökdürmə yolu ilə çökdürülür. Sənaye buxarlanma örtüyü üsulu daha çox yayılmışdır, iki əsas buxarlanma örtüyü üsulu var: dar məkan sublimasiya üsulu və qaz fazalı nəqliyyat çökdürmə üsulu.
–Bu məqalə dərc olunubvakuum örtük maşını istehsalçısıGuangdong Zhenhua
Yayımlanma vaxtı: 13 oktyabr 2023