Dünnschicht-Solarzellen waren schon immer ein Forschungsschwerpunkt der Branche. Einige Dünnschichtbatterietechnologien weisen einen Umwandlungswirkungsgrad von über 20 % auf. Cadmiumtellurid-Dünnschichtbatterien (CdTe) und Kupfer-Indium-Gallium-Diselenid-Dünnschichtbatterien (CICS, Abkürzung Cu, In, Ga, Se) nehmen einen gewissen Marktanteil ein. Eine weitere Dünnschichtbatterie, die Chalkogenid-Batterie, gilt als wichtige Technologie der nächsten Generation. Hier sind die CdTe-Dünnschichtbatterien.
CdTe ist ein Halbleiter mit direkter Bandlücke, einem hohen Absorptionskoeffizienten für Sonnenlicht und einer verbotenen Bandbreite von 1,5 eV, was für die Absorption des oberflächlichen Sonnenspektrums günstig ist. CdTe benötigt für eine effektive Lichtabsorption nur eine Schichtdicke von weniger als 3 µm, was deutlich geringer ist als die Schichtdicke von kristallinem Silizium von 150–180 µm, wodurch Material gespart wird.
Der TCO-Film und die Metallkontaktschicht werden mittels CVD und PVD abgeschieden. Lichtabsorbierende CdTe-Filme werden mittels Aufdampfen, Sputtern und elektrochemischer Abscheidung abgeschieden. Industrielle Aufdampfverfahren sind gängiger. Es gibt zwei Hauptverfahren: die Sublimationsmethode mit engem Abstand und die Gasphasentransportabscheidung.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsanlagenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungszeit: 13. Oktober 2023