Sél surya pilem ipis sok janten hotspot panalungtikan industri, sababaraha efisiensi konvérsi tiasa ngahontal langkung ti 20% tina téknologi batré pilem ipis, kalebet cadmium telluride (CdTe) batré pilem ipis sareng indium gallium selenide tambaga (CICS, Cu, In, Ga, Se singketan) batré pilem ipis, nempatan bagian anu penting tina cha-cogenide pasar, anu mangrupikeun batré pilem ipis anu sanés. téhnologi generasi saterusna, hayu urang ngenalkeun batré pilem ipis CdTe.
CdTe nyaéta semikonduktor bandgap langsung kalayan koefisien nyerep cahya panonpoé anu luhur sareng rubakpita anu dilarang 1.5eV, anu nguntungkeun pikeun nyerep spéktrum surya permukaan. CdTe ngan peryogi kirang ti 3um ketebalan pilem pikeun nyerep lampu éféktif, nu leuwih handap tina 150 ~ 180pm ketebalan silikon kristalin, nyimpen bahan.
Film TCO sareng lapisan kontak logam disimpen ku CVD sareng PVD. Film CdTe anu nyerep cahaya disimpen ku plating évaporasi, sputtering sareng déposisi éléktrokimia. Metoda plating évaporasi Industrial leuwih umum, aya dua métode plating évaporasi utama nyaéta dua: métode sublimation spasi sempit jeung déposisi angkutan fase gas.
– Tulisan ieu dikaluarkeun kuprodusén mesin palapis vakumGuangdong Zhenhua
waktos pos: Oct-13-2023