Система вакуумного покрытия — это технология, используемая для нанесения тонкой пленки или покрытия на поверхность в вакуумной среде. Этот процесс обеспечивает высококачественное, однородное и долговечное покрытие, что имеет решающее значение в различных отраслях промышленности, таких как электроника, оптика, автомобилестроение и аэрокосмическая промышленность. Существуют различные ...
Системы нанесения оптических покрытий в вакууме с магнетронным распылением являются передовой технологией, используемой для нанесения тонких пленок на различные подложки, они широко используются в таких отраслях, как оптика, электроника и материаловедение. Ниже приведен подробный обзор: Компоненты и характеристики: 1...
(3) Радиочастотное плазменное химическое осаждение из газовой фазы (RFCVD) RF может использоваться для генерации плазмы двумя различными методами: методом емкостной связи и методом индуктивной связи. В радиочастотном плазменном химическом осаждении из газовой фазы используется частота 13,56 МГц. Преимущество радиочастотной плазмы заключается в том, что она распространяется на гораздо большую площадь, чем микроволновая плазма...
Химическое осаждение из газовой фазы с использованием горячей нити является самым ранним и популярным методом выращивания алмаза при низком давлении. 1982 Мацумото и др. нагрели тугоплавкую металлическую нить до температуры более 2000°C, при которой газ H2, проходящий через нить, легко производит атомы водорода. Производство атомарного водорода в ходе...
Технология вакуумного покрытия представляет собой технологию нанесения тонкопленочных материалов на поверхность подложки в условиях вакуума, которая широко используется в электронике, оптике, упаковке, декорировании и других областях. Оборудование для вакуумного покрытия можно в основном разделить на следующие типы...
Оборудование для вакуумного покрытия представляет собой вид оборудования для модификации поверхности с использованием вакуумной технологии, которое в основном включает в себя вакуумную камеру, вакуумную систему, систему источника тепла, материал покрытия и т. д. В настоящее время оборудование для вакуумного покрытия широко используется в автомобилестроении, мобильных телефонах, оптике, се...
1.Принцип технологии вакуумного ионного покрытия Используя технологию вакуумного дугового разряда в вакуумной камере, на поверхности материала катода генерируется дуговой свет, который приводит к образованию атомов и ионов на материале катода. Под действием электрического поля атомные и ионные пучки бомбардируют...
Вакуумное магнетронное распыление особенно подходит для реактивного осаждения покрытий. Фактически, этот процесс может осаждать тонкие пленки любых оксидных, карбидных и нитридных материалов. Кроме того, этот процесс также особенно подходит для осаждения многослойных пленочных структур, включая опти...
«DLC — это аббревиатура от слова «АЛМАЗОПОДОБНЫЙ УГЛЕРОД», вещества, состоящего из углеродных элементов, по своей природе схожего с алмазом и имеющего структуру атомов графита. Алмазоподобный углерод (DLC) — это аморфная пленка, которая привлекла внимание трибологической общественности...
Электрические свойства и применение алмазных пленок Алмаз также имеет запрещенную зону, высокую подвижность носителей заряда, хорошую теплопроводность, высокую скорость дрейфа электронов насыщения, малую диэлектрическую проницаемость, высокое напряжение пробоя и подвижность электронов-дырок и т. д. Его напряжение пробоя составляет два или...
Алмаз, образованный прочной химической связью, обладает особыми механическими и упругими свойствами. Твердость, плотность и теплопроводность алмаза являются самыми высокими среди известных материалов. Алмаз также имеет самый высокий модуль упругости среди всех материалов. Коэффициент трения алмаза ...
Эффективность преобразования энергии в аккумуляторной батарее на основе арсенида галлия (GaAs) Ⅲ ~ V составляет до 28%. Материал на основе соединения GaAs имеет идеальную оптическую ширину запрещенной зоны, а также высокую эффективность поглощения, высокую устойчивость к облучению, нечувствителен к теплу, подходит для изготовления высокоэффективных однопереходных ба...
Были разработаны солнечные элементы третьего поколения, первое поколение - это монокристаллические кремниевые солнечные элементы, второе поколение - аморфные кремниевые и поликристаллические кремниевые солнечные элементы, а третье поколение - это медно-сталь-галлий-селенид (CIGS) в качестве представителя...
На механические свойства мембранного слоя влияют адгезия, напряжение, плотность агрегации и т. д. Из соотношения между материалом мембранного слоя и технологическими факторами видно, что если мы хотим улучшить механическую прочность мембранного слоя, мы должны сосредоточиться на...
Эпитаксиальный рост, часто также называемый эпитаксией, является одним из важнейших процессов в производстве полупроводниковых материалов и приборов. Так называемый эпитаксиальный рост происходит в определенных условиях в монокристаллической подложке на процессе роста слоя пленки одного продукта, т...