၂၀၀၉ ခုနှစ်တွင် ကယ်လ်ဆိုက်အလွှာပါးဆဲလ်များ ပေါ်လာသောအခါ ပြောင်းလဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်မှာ ၃.၈% သာရှိပြီး အလွန်လျင်မြန်စွာ မြင့်တက်လာခဲ့သည်။ ယူနစ် ၂၀၁၈ အရ ဓာတ်ခွဲခန်းစွမ်းဆောင်ရည်မှာ ၂၃% ကျော်လွန်ခဲ့သည်။ ချယ်လ်ကိုဂျင်နိုက်ဒြပ်ပေါင်း၏ အခြေခံမော်လီကျူးဖော်မြူလာမှာ ABX3 ဖြစ်ပြီး A နေရာသည် များသောအားဖြင့် Cs+ သို့မဟုတ် Rb+ ကဲ့သို့သော သတ္တုအိုင်းယွန်း သို့မဟုတ် အော်ဂဲနစ်လုပ်ဆောင်ချက်အုပ်စု ဖြစ်သည်။ (CH3NH3;), [CH (NH2)2]+ ကဲ့သို့သော; B နေရာသည် များသောအားဖြင့် Pb2+ နှင့် Sn2+ အိုင်းယွန်းများကဲ့သို့သော divalent cations များ; X နေရာသည် များသောအားဖြင့် Br-, I-, Cl- ကဲ့သို့သော halogen anions များဖြစ်သည်။ ဒြပ်ပေါင်းများ၏ အစိတ်အပိုင်းများကို ပြောင်းလဲခြင်းဖြင့် ချယ်လ်ကိုဂျင်နိုက်ဒြပ်ပေါင်းများ၏ တားမြစ်ထားသော bandwidth ကို 1.2 မှ 3.1 eV အကြား ချိန်ညှိနိုင်သည်။ ကွဲပြားသော ပုံဆောင်ခဲ ဆီလီကွန် ဆဲလ်များကဲ့သို့သော လှိုင်းအလျားရှည်များတွင် ထူးချွန်သော ပြောင်းလဲမှုစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော ဆဲလ်များနှင့် ထပ်တူကျနေသော chalcogenide ဆဲလ်များ၏ လှိုင်းအလျားတိုများတွင် မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော photovoltaic ပြောင်းလဲခြင်းသည် သီအိုရီအရ 30% ထက်ပိုသော photovoltaic ပြောင်းလဲမှု စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိနိုင်ပြီး ပုံဆောင်ခဲ ဆီလီကွန် ဆဲလ်များ၏ သီအိုရီအရ 29.4% ၏ conversion စွမ်းဆောင်ရည် ကန့်သတ်ချက်ကို ချိုးဖောက်နိုင်သည်။ ၂၀၂၀ ခုနှစ်တွင် ဤ stacked ဘက်ထရီသည် ဂျာမနီနိုင်ငံ၊ Heimholtz ရှိ ဘာလင်ဓာတ်ခွဲခန်းတွင် 29.15% ၏ conversion စွမ်းဆောင်ရည်ကို ရရှိပြီးဖြစ်ပြီး chalcogenide-crystalline silicon Stacked cell သည် နောက်မျိုးဆက်၏ အဓိက ဘက်ထရီနည်းပညာများထဲမှ တစ်ခုအဖြစ် သတ်မှတ်ခံထားရသည်။
chalcogenide film layer ကို အဆင့်နှစ်ဆင့်ဖြင့် ဖော်ထုတ်နိုင်ခဲ့သည်- ပထမဦးစွာ porous Pbl2 နှင့် CsBr film များကို ပွယောင်းယောင်းမျက်နှာပြင်ရှိသော heterojunction ဆဲလ်များ၏ မျက်နှာပြင်ပေါ်တွင် co-evaporation ဖြင့် ထားပြီးနောက် spin-coating ဖြင့် organohalide solution (FAI, FABr) ဖြင့် ဖုံးအုပ်ထားသည်။ organic halide solution သည် vapor-deposited inorganic film ၏ pores များထဲသို့ ထိုးဖောက်ဝင်ရောက်ပြီးနောက် 150 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင် ဓာတ်ပြုပြီး crystallizes လုပ်ကာ chalcogenide film layer တစ်ခုဖွဲ့စည်းသည်။ ထို့ကြောင့် ရရှိလာသော chalcogenide film ၏ အထူမှာ 400-500 nm ရှိပြီး current matching ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင် underlying heterojunction cell နှင့် series ဖြင့် ချိတ်ဆက်ထားသည်။ chalcogenide film ပေါ်ရှိ electron transport layer များမှာ LiF နှင့် C60 ဖြစ်ပြီး thermal vapor deposition ဖြင့် အဆက်မပြတ်ရရှိကာ buffer layer Sn02 ၏ atomic layer deposition နှင့် TCO ကို transparent front electrode အဖြစ် magnetron sputtering ပြုလုပ်သည်။ ဤအလွှာလိုက်ဆဲလ်၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုသည် chalcogenide တစ်လွှာဆဲလ်ထက် ပိုကောင်းသော်လည်း ရေငွေ့၊ အလင်းနှင့် အပူတို့၏ ပတ်ဝန်းကျင်လွှမ်းမိုးမှုများအောက်တွင် chalcogenide အလွှာ၏ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန် လိုအပ်နေသေးသည်။
ပို့စ်တင်ချိန်: အောက်တိုဘာ ၂၀၊ ၂၀၂၃