به شرکت فناوری گوانگدونگ ژنهوا خوش آمدید.
بنر_صفحه

اخبار

  • فناوری پوشش نوری: جلوه‌های بصری پیشرفته

    در دنیای پرشتاب امروز که محتوای بصری تأثیر زیادی دارد، فناوری پوشش نوری نقش مهمی در بهبود کیفیت نمایشگرهای مختلف ایفا می‌کند. از گوشی‌های هوشمند گرفته تا صفحه نمایش تلویزیون‌ها، پوشش‌های نوری شیوه درک و تجربه محتوای بصری ما را متحول کرده‌اند. ...
    ادامه مطلب
  • بهبود پوشش‌دهی اسپاترینگ مگنترون با منبع تغذیه تخلیه قوسی

    بهبود پوشش‌دهی اسپاترینگ مگنترون با منبع تغذیه تخلیه قوسی

    پوشش‌دهی با روش کندوپاش مگنترونی به صورت تخلیه تابشی، با چگالی جریان تخلیه کم و چگالی پلاسمای پایین در محفظه پوشش‌دهی انجام می‌شود. این امر باعث می‌شود فناوری کندوپاش مگنترونی دارای معایبی مانند نیروی اتصال کم لایه نازک به زیرلایه، نرخ یونیزاسیون فلز پایین و نرخ رسوب پایین باشد...
    ادامه مطلب
  • استفاده از تخلیه RF

    استفاده از تخلیه RF

    1. برای پاشش و آبکاری فیلم عایق مفید است. تغییر سریع قطبیت الکترود می‌تواند برای پاشش مستقیم اهداف عایق برای به دست آوردن فیلم‌های عایق استفاده شود. اگر از منبع تغذیه DC برای پاشش و رسوب فیلم عایق استفاده شود، فیلم عایق مانع از ورود یون‌های مثبت می‌شود...
    ادامه مطلب
  • مشخصات فنی پوشش تبخیر در خلاء

    مشخصات فنی پوشش تبخیر در خلاء

    1. فرآیند پوشش‌دهی تبخیر در خلاء شامل تبخیر مواد فیلم، انتقال اتم‌های بخار در خلاء بالا و فرآیند هسته‌زایی و رشد اتم‌های بخار روی سطح قطعه کار است. 2. درجه خلاء رسوب پوشش تبخیر در خلاء بالا است، به طور کلی...
    ادامه مطلب
  • انواع پوشش‌های سخت

    انواع پوشش‌های سخت

    TiN اولین پوشش سخت مورد استفاده در ابزارهای برش است که دارای مزایایی مانند استحکام بالا، سختی بالا و مقاومت در برابر سایش می‌باشد. این اولین ماده پوشش سخت صنعتی و پرکاربرد است که به طور گسترده در ابزارهای پوشش داده شده و قالب‌های پوشش داده شده استفاده می‌شود. پوشش سخت TiN در ابتدا در دمای 1000 درجه سانتیگراد رسوب داده شد...
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌های اصلاح سطح با پلاسما

    ویژگی‌های اصلاح سطح با پلاسما

    پلاسمای پرانرژی می‌تواند مواد پلیمری را بمباران و پرتودهی کند، زنجیره‌های مولکولی آنها را بشکند، گروه‌های فعال تشکیل دهد، انرژی سطحی را افزایش دهد و باعث ایجاد حکاکی شود. عملیات سطحی پلاسما بر ساختار داخلی و عملکرد ماده حجیم تأثیر نمی‌گذارد، بلکه فقط به طور قابل توجهی ...
    ادامه مطلب
  • فرآیند پوشش یونی منبع قوس کوچک

    فرآیند پوشش یونی منبع قوس کوچک

    فرآیند پوشش یونی منبع قوس کاتدی اساساً مشابه سایر فناوری‌های پوشش‌دهی است و برخی عملیات مانند نصب قطعات کار و جاروبرقی کشیدن دیگر تکرار نمی‌شوند. 1. تمیز کردن بمباران قطعات کار قبل از پوشش‌دهی، گاز آرگون با ... وارد محفظه پوشش‌دهی می‌شود.
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌ها و روش‌های تولید جریان الکترون قوسی

    ویژگی‌ها و روش‌های تولید جریان الکترون قوسی

    ۱. ویژگی‌های جریان الکترون نور قوس چگالی جریان الکترون، جریان یون و اتم‌های خنثی پرانرژی در پلاسمای قوس تولید شده توسط تخلیه قوس بسیار بیشتر از تخلیه تابان است. یون‌های گازی و یون‌های فلزی یونیزه شده، اتم‌های پرانرژی برانگیخته و گروه‌های فعال مختلف بیشتری وجود دارد...
    ادامه مطلب
  • زمینه‌های کاربردی اصلاح سطح پلاسما

    زمینه‌های کاربردی اصلاح سطح پلاسما

    ۱) اصلاح سطح پلاسما عمدتاً به اصلاحات خاصی در کاغذ، فیلم‌های آلی، منسوجات و الیاف شیمیایی اشاره دارد. استفاده از پلاسما برای اصلاح منسوجات نیازی به استفاده از فعال‌کننده‌ها ندارد و فرآیند تصفیه به ویژگی‌های خود الیاف آسیب نمی‌رساند. ...
    ادامه مطلب
  • کاربرد پوشش یونی در زمینه لایه‌های نازک نوری

    کاربرد پوشش یونی در زمینه لایه‌های نازک نوری

    کاربرد لایه‌های نازک نوری بسیار گسترده است و از عینک‌ها، لنزهای دوربین، دوربین‌های تلفن همراه، صفحه نمایش‌های LCD برای تلفن‌های همراه، رایانه‌ها و تلویزیون‌ها، روشنایی LED، دستگاه‌های بیومتریک گرفته تا پنجره‌های صرفه‌جویی در انرژی در خودروها و ساختمان‌ها و همچنین ابزارهای پزشکی، ... را شامل می‌شود.
    ادامه مطلب
  • فیلم‌های نمایش اطلاعات و فناوری پوشش یونی

    فیلم‌های نمایش اطلاعات و فناوری پوشش یونی

    ۱. نوع فیلم در نمایش اطلاعات علاوه بر فیلم‌های نازک TFT-LCD و OLED، نمایش اطلاعات شامل فیلم‌های الکترود سیم‌کشی و فیلم‌های الکترود پیکسلی شفاف در پنل نمایش نیز می‌شود. فرآیند پوشش‌دهی، فرآیند اصلی نمایشگرهای TFT-LCD و OLED است. با پیشرفت مداوم...
    ادامه مطلب
  • قانون رشد لایه فیلم پوشش تبخیر در خلاء

    قانون رشد لایه فیلم پوشش تبخیر در خلاء

    در طول پوشش‌دهی تبخیری، هسته‌زایی و رشد لایه فیلم اساس فناوری‌های مختلف پوشش‌دهی یونی است. 1. هسته‌زایی در فناوری پوشش‌دهی تبخیری در خلاء، پس از اینکه ذرات لایه فیلم به شکل اتم از منبع تبخیر تبخیر شدند، مستقیماً به سمت ... پرواز می‌کنند.
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌های مشترک فناوری پوشش یونی تخلیه تابشی بهبود یافته

    ویژگی‌های مشترک فناوری پوشش یونی تخلیه تابشی بهبود یافته

    ۱. بایاس قطعه کار کم است. به دلیل افزودن وسیله‌ای برای افزایش نرخ یونیزاسیون، چگالی جریان تخلیه افزایش یافته و ولتاژ بایاس به ۰.۵ تا ۱ کیلوولت کاهش می‌یابد. پاشش برگشتی ناشی از بمباران بیش از حد یون‌های پرانرژی و اثر آسیب بر روی سطح قطعه کار...
    ادامه مطلب
  • مزایای اهداف استوانه‌ای

    مزایای اهداف استوانه‌ای

    1) اهداف استوانه‌ای میزان استفاده بالاتری نسبت به اهداف مسطح دارند. در فرآیند پوشش‌دهی، چه از نوع مغناطیسی چرخشی باشد و چه از نوع لوله دوار، تمام قسمت‌های سطح لوله هدف به طور مداوم از ناحیه پاشش ایجاد شده در مقابل ... عبور می‌کنند.
    ادامه مطلب
  • فرآیند پلیمریزاسیون مستقیم پلاسما

    فرآیند پلیمریزاسیون مستقیم پلاسما

    فرآیند پلیمریزاسیون مستقیم پلاسما فرآیند پلیمریزاسیون پلاسما برای تجهیزات پلیمریزاسیون الکترود داخلی و تجهیزات پلیمریزاسیون الکترود خارجی نسبتاً ساده است، اما انتخاب پارامتر در پلیمریزاسیون پلاسما اهمیت بیشتری دارد، زیرا پارامترها تأثیر بیشتری دارند...
    ادامه مطلب