သတ္တုပါးလွှာသောဖလင်များ၏ လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်စွမ်း ဝိသေသလက္ခဏာများ

အလွှာပါးများ၏ အီလက်ထရွန်းနစ်ဂုဏ်သတ္တိများသည် အစုလိုက်အပြုံလိုက်ပစ္စည်းများ၏ ဂုဏ်သတ္တိများနှင့် သိသိသာသာ ကွာခြားပြီး အလွှာပါးများပေါ်တွင် ပြသထားသော ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ အကျိုးသက်ရောက်မှုအချို့ကို အလွှာပါးပစ္စည်းများတွင် ရှာဖွေရန် ခက်ခဲပါသည်။

သတ္တုအမြောက်အမြားအတွက် အပူချိန်ကျဆင်းခြင်းကြောင့် ခုခံမှုလျော့ကျသွားသည်။ အပူချိန်မြင့်မားသောအခါ ခုခံမှုသည် အပူချိန်နှင့်အတူ တစ်ကြိမ်သာ လျော့ကျပြီး အပူချိန်နိမ့်သောအခါ ခုခံမှုသည် အပူချိန်နှင့်အတူ ငါးဆလျော့ကျသွားသည်။ သို့သော် အလွှာပါးများအတွက်မူ လုံးဝကွဲပြားသည်။ တစ်ဖက်တွင် အလွှာပါးများ၏ ခုခံမှုသည် အလွှာပါးသတ္တုများထက် ပိုမိုမြင့်မားပြီး အခြားတစ်ဖက်တွင် အပူချိန်ကျဆင်းပြီးနောက် အလွှာပါးသတ္တုများထက် အလွှာပါးများ၏ ခုခံမှုသည် ပိုမိုမြန်ဆန်စွာ လျော့ကျသွားသည်။ အကြောင်းမှာ အလွှာပါးများ၏ကိစ္စတွင် မျက်နှာပြင်ပြန့်ကျဲမှု၏ ခုခံမှုပံ့ပိုးမှု ပိုမိုများပြားသောကြောင့်ဖြစ်သည်။

ပုံမှန်မဟုတ်သော အလွှာပါးလျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း၏ နောက်ထပ်ထင်ရှားမှုတစ်ခုမှာ သံလိုက်စက်ကွင်းသည် အလွှာပါးခုခံမှုအပေါ် သက်ရောက်မှုဖြစ်သည်။ ပြင်ပသံလိုက်စက်ကွင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်အောက်တွင် အလွှာပါး၏ ခုခံမှုသည် ဘလောက်ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းထက် ပိုမိုများပြားသည်။ အကြောင်းရင်းမှာ ဖလင်သည် ခရုပတ်လမ်းကြောင်းတစ်လျှောက် ရှေ့သို့ရွေ့လျားသောအခါ၊ ၎င်း၏ ခရုပတ်မျဉ်း၏ အချင်းဝက်သည် ဖလင်၏အထူထက် ပိုမိုများပြားသရွေ့၊ ရွေ့လျားမှုလုပ်ငန်းစဉ်အတွင်း အီလက်ထရွန်များသည် မျက်နှာပြင်တွင် ပြန့်ကျဲသွားမည်ဖြစ်ပြီး၊ အပိုခုခံမှုတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်လာပြီး ၎င်းသည် ဖလင်၏ခုခံမှုသည် ဘလောက်ကဲ့သို့သော ပစ္စည်းထက် ပိုမိုများပြားစေသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ သံလိုက်စက်ကွင်း၏ လုပ်ဆောင်ချက်မရှိဘဲ ဖလင်၏ခုခံမှုထက်လည်း ပိုမိုများပြားလိမ့်မည်။ ဖလင်ခုခံမှုသည် သံလိုက်စက်ကွင်းအပေါ် ဤမှီခိုမှုကို Magnetoresistance effect ဟုခေါ်ပြီး ၎င်းကို သံလိုက်စက်ကွင်းအစွမ်းသတ္တိကို တိုင်းတာရန် များသောအားဖြင့် အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ a-Si၊ CulnSe2 နှင့် CaSe အလွှာပါးဆိုလာဆဲလ်များအပြင် Al203 CeO၊ CuS၊ CoO2၊ CO3O4၊ CuO၊ MgF2၊ SiO၊ TiO2၊ ZnS၊ ZrO စသည်တို့ဖြစ်သည်။