Selamat datang ke Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
sepanduk_tunggal

Pengenalan prinsip PVD

Sumber artikel:Zhenhua vacuum
Baca:10
Diterbitkan: 23-06-29

pengenalan:

 1312大图

Dalam dunia kejuruteraan permukaan termaju, Pemendapan Wap Fizikal (PVD) muncul sebagai kaedah yang sesuai untuk meningkatkan prestasi dan ketahanan pelbagai bahan. Pernahkah anda terfikir bagaimana teknik canggih ini berfungsi? Hari ini, kami menyelidiki mekanik rumit PVD, memberikan pemahaman menyeluruh tentang operasinya dan faedah yang ditawarkannya. Teruskan membaca untuk mengetahui cara kerja dalaman PVD dan kepentingannya dalam pelbagai industri.

 

Memahami PVD:

 

Pemendapan Wap Fizikal, biasanya dikenali sebagai PVD, ialah teknik pemendapan filem nipis yang melibatkan pemindahan atom atau molekul daripada sumber pepejal ke permukaan melalui cara fizikal. Teknik ini digunakan secara meluas untuk meningkatkan sifat permukaan pelbagai bahan, seperti logam, plastik, seramik dan banyak lagi. Proses PVD dilakukan di bawah keadaan vakum, memastikan kawalan tepat ke atas pembentukan filem nipis.

 

Proses PVD:

 

Proses PVD boleh dikategorikan kepada empat langkah utama: penyediaan, penyejatan, pemendapan, dan pertumbuhan. Mari kita periksa setiap fasa secara terperinci.

 

1. Penyediaan:

Sebelum memulakan proses pemendapan, bahan yang akan disalut menjalani pembersihan yang teliti. Langkah ini memastikan permukaan bebas daripada bahan cemar, seperti gris, lapisan oksida atau zarah asing, yang boleh menghalang lekatan. Permukaan yang bersih adalah penting untuk mencapai salutan berkualiti tinggi dan jangka hayat bahan yang berpanjangan.

 

2. Penyejatan:

Pada peringkat ini, bahan yang digunakan untuk membentuk salutan, dipanggil bahan sumber, disejat. Bahan sumber diletakkan di dalam ruang vakum, di mana ia tertakluk kepada tenaga haba atau pancaran elektron terkawal. Akibatnya, atom atau molekul daripada bahan sumber diwap, membentuk fluks.

 

3. Pemendapan:

Setelah bahan sumber tersejat, wap bergerak melalui ruang vakum dan mencapai permukaan substrat. Substrat, selalunya bahan yang akan disalut, diletakkan berdekatan dengan sumber wap. Pada ketika ini, zarah wap terkena permukaan substrat, mengakibatkan pemendapan filem nipis.

 

4. Pertumbuhan:

Dengan setiap atom atau molekul mendarat pada substrat, filem nipis secara beransur-ansur tumbuh. Dinamik proses pertumbuhan ini boleh dimanipulasi dengan melaraskan parameter seperti masa pemendapan, suhu dan tekanan. Parameter ini membolehkan kawalan ke atas ketebalan, keseragaman dan komposisi filem, yang akhirnya membawa kepada sifat yang disesuaikan untuk memenuhi keperluan khusus.


Masa siaran: Jun-29-2023