เทคโนโลยีการเคลือบ ITO (อินเดียมทินออกไซด์) สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิกอนผลึก

อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) เป็นออกไซด์ตัวนำโปร่งใส (TCO) ที่ใช้กันอย่างแพร่หลาย ซึ่งผสมผสานทั้งความนำไฟฟ้าสูงและความโปร่งใสทางแสงที่ยอดเยี่ยม ออกไซด์นี้มีความสำคัญอย่างยิ่งในเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนผลึก (c-Si) ซึ่งมีบทบาทสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงพลังงานโดยทำหน้าที่เป็นอิเล็กโทรดโปร่งใสหรือชั้นสัมผัส

ในเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนผลึก การเคลือบ ITO มักใช้เป็นชั้นสัมผัสด้านหน้าเพื่อรวบรวมตัวพาที่สร้างขึ้นในขณะที่ให้แสงผ่านเข้าไปในชั้นซิลิคอนแอ็คทีฟได้มากที่สุด เทคโนโลยีนี้ได้รับความสนใจอย่างมาก โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับเซลล์ประเภทประสิทธิภาพสูง เช่น เฮเทอโรจันก์ชัน (HJT) และเซลล์แสงอาทิตย์แบบสัมผัสด้านหลัง

ข้อดีของการเคลือบ ITO สำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนผลึก
ความโปร่งใสสูง:

ITO มีความโปร่งใสสูงในสเปกตรัมแสงที่มองเห็นได้ (ประมาณ 85-90%) ซึ่งช่วยให้มั่นใจได้ว่าชั้นซิลิกอนด้านล่างจะดูดซับแสงได้มากขึ้น จึงช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน
ความต้านทานต่ำ:

ITO มีคุณสมบัติในการนำไฟฟ้าที่ดี ช่วยให้เก็บอิเล็กตรอนจากพื้นผิวซิลิกอนได้อย่างมีประสิทธิภาพ ค่าความต้านทานไฟฟ้าที่ต่ำทำให้สูญเสียพลังงานน้อยที่สุดเนื่องจากมีชั้นสัมผัสด้านหน้า

เสถียรภาพทางเคมีและทางกล:

สารเคลือบ ITO มีคุณสมบัติทนทานต่อการเสื่อมสภาพจากสิ่งแวดล้อม เช่น การกัดกร่อน และมีความเสถียรภายใต้อุณหภูมิสูงและแสงยูวี ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญสำหรับการใช้งานกับพลังงานแสงอาทิตย์ที่ต้องทนต่อสภาวะกลางแจ้งที่รุนแรง
การทำให้พื้นผิวเฉื่อย:

นอกจากนี้ ITO ยังช่วยทำให้พื้นผิวของซิลิกอนเกิดปฏิกิริยาเฉื่อยได้ โดยลดการรวมตัวของพื้นผิว และปรับปรุงประสิทธิภาพโดยรวมของเซลล์แสงอาทิตย์