ເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບ ITO (Indium Tin Oxide) ສຳລັບແຜງແສງອາທິດຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກ

ອິນດຽມ ທິນ ອັອກໄຊ (ITO) ເປັນອົກໄຊທີ່ນຳໄຟຟ້າໄດ້ຢ່າງແພ່ຫຼາຍ (TCO) ເຊິ່ງລວມທັງຄວາມນຳໄຟຟ້າສູງ ແລະ ຄວາມໂປ່ງໃສທາງດ້ານແສງທີ່ດີເລີດ. ມັນມີຄວາມສຳຄັນໂດຍສະເພາະໃນແຜງໂຊລາເຊວຊິລິກອນ (c-Si), ບ່ອນທີ່ມັນມີບົດບາດສຳຄັນໃນການປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງການປ່ຽນພະລັງງານໂດຍການເປັນເອເລັກໂຕຣດທີ່ໂປ່ງໃສ ຫຼື ຊັ້ນຕິດຕໍ່.

ໃນແຜງໂຊລາເຊວຊິລິກອນທີ່ເປັນຜລຶກ, ການເຄືອບ ITO ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ເປັນຊັ້ນຕິດຕໍ່ດ້ານໜ້າເພື່ອເກັບກຳຕົວນຳທີ່ສ້າງຂຶ້ນ ໃນຂະນະທີ່ປ່ອຍໃຫ້ແສງສະຫວ່າງຜ່ານໄປຫາຊັ້ນຊິລິກອນທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວໄດ້ຫຼາຍເທົ່າທີ່ຈະຫຼາຍໄດ້. ເທັກໂນໂລຢີນີ້ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ໂດຍສະເພາະສຳລັບແຜງໂຊລາເຊວທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ ເຊັ່ນ: ແຜງໂຊລາເຊວແບບ heterojunction (HJT) ແລະ ແຜງໂຊລາເຊວແບບຕິດຕໍ່ກັບຄືນ.

ຂໍ້ດີຂອງການເຄືອບ ITO ສຳລັບແຜງໂຊລາເຊວຊິລິໂຄນທີ່ເປັນຜລຶກ
ຄວາມໂປ່ງໃສສູງ:

ITO ມີຄວາມໂປ່ງໃສສູງໃນສະເປກຕຣຳແສງທີ່ເບິ່ງເຫັນໄດ້ (ປະມານ 85-90%), ເຊິ່ງຮັບປະກັນວ່າຊັ້ນຊິລິໂຄນທີ່ຢູ່ດ້ານລຸ່ມສາມາດດູດຊຶມແສງໄດ້ຫຼາຍຂຶ້ນ, ເຊິ່ງຊ່ວຍປັບປຸງປະສິດທິພາບການປ່ຽນພະລັງງານ.
ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າ:

ITO ສະເໜີການນຳໄຟຟ້າທີ່ດີ, ຮັບປະກັນການເກັບກຳເອເລັກຕຣອນຢ່າງມີປະສິດທິພາບຈາກໜ້າດິນຊິລິໂຄນ. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່າຂອງມັນຮັບປະກັນການສູນເສຍພະລັງງານໜ້ອຍທີ່ສຸດເນື່ອງຈາກຊັ້ນຕິດຕໍ່ດ້ານໜ້າ.

ຄວາມໝັ້ນຄົງທາງເຄມີ ແລະ ກົນຈັກ:

ການເຄືອບ ITO ສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີເລີດຕໍ່ການເສື່ອມສະພາບຂອງສິ່ງແວດລ້ອມ ເຊັ່ນ: ການກັດກ່ອນ ແລະ ມີຄວາມໝັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມສູງ ແລະ ການສຳຜັດກັບລັງສີ UV. ນີ້ແມ່ນສິ່ງສຳຄັນຫຼາຍສຳລັບການນຳໃຊ້ພະລັງງານແສງຕາເວັນທີ່ຕ້ອງທົນທານຕໍ່ສະພາບກາງແຈ້ງທີ່ຮຸນແຮງ.
ການເຮັດໃຫ້ພື້ນຜິວເປັນຮູບຕົວ:

ITO ຍັງສາມາດຊ່ວຍເຮັດໃຫ້ໜ້າຜິວຂອງຊິລິໂຄນບໍ່ເຄື່ອນໄຫວ, ຫຼຸດຜ່ອນການລວມຕົວຂອງໜ້າຜິວ ແລະ ປັບປຸງປະສິດທິພາບໂດຍລວມຂອງເຊວແສງຕາເວັນ.