ခေတ်သစ် မျက်နှာပြင်အင်ဂျင်နီယာပညာတွင်၊ Physical Vapor Deposition (PVD) သည် ၎င်း၏ အလွန်ကောင်းမွန်သော ဖလင်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သော ဝိသေသလက္ခဏာများကြောင့် အဓိကလေဟာနယ်အပေါ်ယံလွှာနည်းပညာအဖြစ် ပေါ်ထွက်လာခဲ့သည်။ ဤဆောင်းပါးသည် PVD နည်းပညာ၏ မူများ၊ အမျိုးအစားခွဲခြားမှုများနှင့် ပုံမှန်အသုံးချမှုများကို နက်နက်ရှိုင်းရှိုင်း ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာထားပြီး ဤနယ်ပယ်ရှိ ပညာရှင်များအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ အတွေးအမြင်များကို ပေးဆောင်ပါသည်။
PVD နည်းပညာ၏ နံပါတ် ၁ အခြေခံမူများ
PVD သည် လေဟာနယ်အခြေအနေ (ပုံမှန်အားဖြင့် ≤10⁻³ Pa) အောက်တွင် ဆောင်ရွက်သော လုပ်ငန်းစဉ်တစ်ခုဖြစ်ပြီး အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းကို ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာအားဖြင့် အငွေ့ပျံပြီးနောက် အလွှာမျက်နှာပြင်ပေါ်သို့ စုပုံစေပြီး အစိုင်အခဲပါးလွှာသော အလွှာတစ်ခု ဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ဤနည်းပညာ၏ သွင်ပြင်လက္ခဏာမှာ-
နှိုင်းယှဉ်ရလျှင် နိမ့်သော အနည်ကျအပူချိန် (ယေဘုယျအားဖြင့် <၅၀၀°C)
ဖလင်သန့်စင်မှုမြင့်မားပြီး ထိန်းချုပ်နိုင်သော ပါဝင်ပစ္စည်းများ
ပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်သည် (ရေဆိုးများ စွန့်ထုတ်မှု မရှိပါ)
နာနိုမီတာအဆင့် တိကျမှုထိန်းချုပ်မှု
နံပါတ် ၂ အမျိုးအစားခွဲခြားမှုများPVD ပစ္စည်းကိရိယာများတီလုပ်ငန်းစဉ်များ
၁။ ဖုန်စုပ်အငွေ့ပျံခြင်းအပေါ်ယံလွှာ
လေဟာနယ်အငွေ့ပျံခြင်းတွင် အပေါ်ယံလွှာပစ္စည်းသည် ၎င်း၏ပြည့်ဝသောအငွေ့ဖိအားသို့ရောက်ရှိပြီး အငွေ့ပျံသွားသည်အထိ အပူပေးခြင်းပါဝင်သည်။ အဖြစ်များသော အမျိုးအစားများတွင် အောက်ပါတို့ပါဝင်သည်-
အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိစွာ အငွေ့ပျံခြင်း
တန်စတင် သို့မဟုတ် မိုလစ်ဒီနမ်ကဲ့သို့သော အပူပေးဒြပ်စင်များအဖြစ် ပြုပြင်၍မရသော သတ္တုများကို အသုံးပြုသည်။ အလူမီနီယမ် (Al) နှင့် ငွေ (Ag) ကဲ့သို့သော အရည်ပျော်မှတ်နည်းသော ပစ္စည်းများအတွက် သင့်လျော်သည်။
အီလက်ထရွန်ရောင်ခြည်အငွေ့ပျံခြင်း (EB-PVD)
ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို ဗုံးကြဲရန် အီလက်ထရွန်သေနတ် (10–30 kV) ကို အသုံးပြုပြီး 3000°C ကျော်တွင် ဒေသတွင်းအပူချိန်များကို ထုတ်ပေးပါသည်။ အရည်ပျော်မှတ် မြင့်မားသော အောက်ဆိုဒ်များအတွက် အသင့်တော်ဆုံးဖြစ်သည်။
မော်လီကျူးရောင်ခြည် Epitaxy (MBE)
အလွန်မြင့်မားသော လေဟာနယ် (≤10⁻⁸ Pa) အောက်တွင် လုပ်ဆောင်သော အလွန်တိကျသော နည်းပညာ၊ epitaxial film ကြီးထွားမှုအတွက် အက်တမ်အဆင့် ထိန်းချုပ်မှုကို ခွင့်ပြုသည်။
၂။ ဖြန်းထုတ်ခြင်း
စပတာရိုက်ခြင်းတွင် ပစ်မှတ်ပစ္စည်းကို ဗုံးကြဲတိုက်ခိုက်ပြီး အောက်ခံပေါ်တွင် တင်နေသော အက်တမ်များကို စွန့်ထုတ်သည့် မြင့်မားသောစွမ်းအင်ရှိသော အမှုန်များ ပါဝင်သည်။ အဓိက စပတာအမျိုးအစားများတွင် အောက်ပါတို့ ပါဝင်သည်-
DC Sputtering (တိုက်ရိုက်လျှပ်စီးကြောင်း)
အခြေခံ sputtering နည်းလမ်း၊ ပစ်မှတ်သည် လျှပ်စစ်စီးကူးနိုင်ရမည်။
RF Sputtering (ရေဒီယို ကြိမ်နှုန်း)
13.56 MHz တွင် လုပ်ဆောင်ပြီး လျှပ်ကာပစ္စည်းများကို ဖြန်းထုတ်နိုင်သည်။
မဂ္ဂနက်ထရွန် စပတာရင်း
ဟန်ချက်ညီသော အမျိုးအစား- ပစ်မှတ်မျက်နှာပြင်တစ်လျှောက် 100–300 Gauss သံလိုက်စက်ကွင်းအစွမ်းသတ္တိ
မညီမျှသောအမျိုးအစား- ပိုမိုကောင်းမွန်သောအနည်ကျမှုအတွက် ပလာစမာပျံ့နှံ့မှုကို မြှင့်တင်ထားသည်
Mid-Frequency Twin Cathode: reactive sputtering တွင် “target poisoning” ပြဿနာကို ဖြေရှင်းပေးသည်
High Power Impulse Magnetron Sputtering (HIPIMS): Ionization rates >90% ဖြင့် အလွန်သိပ်သည်းသော၊ non-columnar films များကို ထုတ်လုပ်ပေးပါသည်။
နံပါတ် ၃ PVD နည်းပညာ၏ ပုံမှန်အသုံးချမှုများ
ကိရိယာအပေါ်ယံလွှာများ
TiN၊ TiAlN ကဲ့သို့သော မာကျောသော အပေါ်ယံလွှာများ (မာကျောမှု >3000 HV)
ဖြတ်တောက်သည့်ကိရိယာများနှင့် မှိုမျက်နှာပြင်မြှင့်တင်ရန်အတွက် ကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်
အလှဆင်အလွှာများ
ZrN၊ TiZrN ကိုအသုံးပြု၍ ရွှေရောင်အပြီးသတ်မှုများ
မိုဘိုင်းဖုန်းဘောင်များ၊ ရေချိုးခန်းသုံးပစ္စည်းများနှင့် လူသုံးကုန်ပစ္စည်းများတွင် အသုံးပြုသည်
လုပ်ဆောင်နိုင်သော ပါးလွှာသော ဖလင်များ
ITO (Indium Tin Oxide) ပြားချပ်ချပ် လျှပ်ကူးပစ္စည်း ဖလင်များ <10 Ω/□ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
မြင်နိုင်သောအလင်းဖောက်ထွင်းမှု >99% ရှိသော အလင်းပြန်မှုဆန့်ကျင်သည့် အပေါ်ယံလွှာများ
တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းထုပ်ပိုးမှု
ဝေဖာအဆင့် သတ္တုစပ်ခြင်း (Al၊ Cu အပြန်အလှန်ချိတ်ဆက်မှုများ)
ပျံ့နှံ့မှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိစေရန် TaN၊ TiN ကိုအသုံးပြု၍ အတားအဆီးအလွှာတစ်ခု စုပုံခြင်း
- ဤဆောင်းပါးကို ထုတ်ဝေသူဖုန်စုပ်အပေါ်ယံလွှာစက်ထုတ်လုပ်သူ Zhenhua ဖုန်စုပ်စက်။
ပို့စ်တင်ချိန်: ၂၀၂၅ ခုနှစ်၊ ဇွန်လ ၁၈ ရက်