Salvete ad Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd.
vexillo_paginae

Nuntii Industriae

  • Genera tegumentorum durorum

    Genera tegumentorum durorum

    TiN est prima materia obductiva dura in instrumentis secandis adhibita, cum commodis ut magna firmitas, alta duritia, et resistentia attritionis. Prima est materia obductiva dura industrializata et late adhibita, late in instrumentis obductis et formis obductis adhibita. Obductiva dura TiN initio ad 1000°C deposita est...
    Plura lege
  • Characteres Modificationis Superficiei Plasmatis

    Characteres Modificationis Superficiei Plasmatis

    Plasma altae energiae materias polymericas bombardare et irradiare potest, catenas moleculares frangens, greges activos formans, energiam superficialem augens, et corrosionem generans. Tractatio superficiei plasmatis structuram internam et functionem materiae principalis non afficit, sed tantum significanter...
    Plura lege
  • Processus Obductionis Ionum Fontis Arcus Parvi

    Processus Obductionis Ionum Fontis Arcus Parvi

    Processus obductionis ionum fontis arcus cathodici fere idem est ac aliarum technologiarum obductionis, et quaedam operationes, ut installatio partium laboris et purgatio vacuum, non amplius repetuntur. 1. Purgatio bombardamento partium laboris Ante obductionem, gas argon in cameram obductionis introducitur cum...
    Plura lege
  • Characteres et Methodi Generationis Fluxus Electronum Arcus

    Characteres et Methodi Generationis Fluxus Electronum Arcus

    1. Characteres fluxus electronici lucis arcualis Densitas fluxus electronici, fluxus ionici, et atomorum neutrorum altae energiae in plasma arcuali generato per emissionem arcualis multo maior est quam ea emissionis luminis. Plures iones gasii et iones metallici ionizati, atomi altae energiae excitati, et variae grow activae...
    Plura lege
  • Campi Applicationis Modificationis Superficiei Plasmatis

    Campi Applicationis Modificationis Superficiei Plasmatis

    1) Modificatio superficiei plasmaticae imprimis ad quasdam modificationes chartae, pellicularum organicarum, textilium, et fibrarum chemicarum refertur. Usus plasmatis ad modificationem textilium non requirit usum activatorum, et processus tractationis ipsas fibrarum proprietates non laedit. ...
    Plura lege
  • Applicatio obductionis ionicae in campo pellicularum tenuium opticarum

    Applicatio obductionis ionicae in campo pellicularum tenuium opticarum

    Usus tenuium pellicularum opticarum latissimus est, a vitris, lentibus camerarum, cameris telephonorum mobilium, tegumentis LCD pro telephonis mobilibus, computatris et televisionibus, luminibus LED, instrumentis biometricis, ad fenestras energiae conservantes in autocinetis et aedificiis, necnon instrumenta medica, te...
    Plura lege
  • Pelliculae ostentationis informationum et technologia obductionis ionum

    Pelliculae ostentationis informationum et technologia obductionis ionum

    1. Genus pelliculae in ostensione informationis Praeter pelliculas tenues TFT-LCD et OLED, ostensio informationis etiam pelliculas electrodorum filorum et pelliculas electrodorum pixelorum perspicuas in tabula ostensionis includit. Processus obductionis est processus principalis ostensionis TFT-LCD et OLED. Cum progressu continuo...
    Plura lege
  • Lex accretionis strati pelliculae evaporationis vacui obductae

    Lex accretionis strati pelliculae evaporationis vacui obductae

    Per evaporationem, nucleatio et incrementum pelliculae fundamentum sunt variarum technologiarum ionum obductionis. 1. Nucleatio In technologia evaporationis vacui obductionis, postquam particulae pelliculae ex fonte evaporationis in forma atomorum evaporantur, directe ad... volant.
    Plura lege
  • Communia technologiae amplificatae obductionis ionum emissionis luminescentis

    Communia technologiae amplificatae obductionis ionum emissionis luminescentis

    1. Inclinatio partis fabricandae humilis est. Ob additionem instrumenti ad augendam ratem ionizationis, densitas currentis exonerationis augetur, et tensio polaritatis ad 0.5~1kV reducitur. Pulverisatio inversa, quae a nimia ionica energiae bombardamento et effectu damni in superficiem partis fabricandae oritur...
    Plura lege
  • Commoda scoporum cylindricorum

    Commoda scoporum cylindricorum

    1) Scopi cylindrici maiorem usum habent quam scopi plani. In processu obductionis, sive scopum magneticum rotatorium sive scopum cylindricum tubulare rotatorium sit, omnes partes superficiei tubi scopi continue per aream pulverisationis ante... generatam transeunt.
    Plura lege
  • Processus polymerizationis plasmatis directae

    Processus polymerizationis plasmatis directae

    Processus polymerizationis plasmatis directae Processus polymerizationis plasmatis relative simplex est tam pro apparatu polymerizationis electrodi interni quam pro apparatu polymerizationis electrodi externi, sed selectio parametrorum maioris momenti est in polymerizatione plasmatis, quia parametri maiorem habent...
    Plura lege
  • Technologia depositionis vaporis chemici plasmatis aucti arcu filorum calidorum

    Technologia depositionis vaporis chemici plasmatis aucti arcu filorum calidorum

    Technologia depositionis vaporis chemici plasmatis aucti arcu filorum calidorum utitur sclopeto arcus filorum calidorum ad plasmam arcus emittendum, abbreviato ut technologia PECVD arcus filorum calidorum. Haec technologia similis est technologiae obductionis ionum sclopeti arcus filorum calidorum, sed differentia est quod pellicula solida per arcum filorum obtenta...
    Plura lege
  • Introductio ad Technicas Conventionales ad Deponendas Tegumenta Dura

    Introductio ad Technicas Conventionales ad Deponendas Tegumenta Dura

    1. Technologia CVD thermica Obductio dura plerumque est obductio metallo-ceramica (TiN, etc.), quae per reactionem metalli in obductione et gasificationem reactivam formantur. Primo, technologia CVD thermica adhibita est ad energiam activationis reactionis combinationis per energiam thermalem ad ... praebendam.
    Plura lege
  • Quid est obductio resistentiae evaporationis fontis?

    Quid est obductio resistentiae evaporationis fontis?

    Obductio fontis evaporationis resistentiae est methodus fundamentalis obductionis evaporationis vacui. "Evaporatio" significat methodum praeparationis pelliculae tenuis in qua materia obductionis in camera vacui calefacta et evaporatur, ita ut atomi vel moleculae materiae vaporentur et effugiantur ex...
    Plura lege
  • Introductio ad Technologiam Depositionis Ionicae Arcus Cathodici

    Introductio ad Technologiam Depositionis Ionicae Arcus Cathodici

    Technologia obductionis ionum arcus cathodici technologiam exonerationis arcus campi frigidi adhibet. Prima applicatio technologiae exonerationis arcus campi frigidi in campo obductionis a Societate Multi Arc in Civitatibus Foederatis Americae facta est. Nomen Anglicum huius processus est arc ionplating (AIP). Obductio ionum arcus cathodici...
    Plura lege