კეთილი იყოს თქვენი მობრძანება Guangdong Zhenhua Technology Co., Ltd-ში.
ინდუსტრიის სიახლეები
-
AF თხელი ფირის აორთქლების ოპტიკური PVD ვაკუუმური საფარის მანქანა
AF თხელი ფენის აორთქლების ოპტიკური PVD ვაკუუმური საფარის დანადგარი შექმნილია მობილურ მოწყობილობებზე თხელი ფენის საფარის დასატანად ფიზიკური ორთქლის დეპონირების (PVD) პროცესის გამოყენებით. პროცესი გულისხმობს ვაკუუმური გარემოს შექმნას საფარის კამერაში, სადაც მყარი მასალები აორთქლდება და შემდეგ დეპონირდება...დაწვრილებით -
ალუმინის ვერცხლის ვაკუუმური საფარით დაფარული სარკის წარმოების მანქანა
ალუმინის ვერცხლის ვაკუუმური საფარით დაფარული სარკის დამამზადებელმა მანქანამ რევოლუცია მოახდინა სარკეების წარმოების ინდუსტრიაში თავისი მოწინავე ტექნოლოგიითა და ზუსტი ინჟინერიით. ეს ულტრათანამედროვე მანქანა შექმნილია მინის ზედაპირზე ალუმინის ვერცხლის თხელი ფენის დასატანად, რაც ქმნის მაღალი ხარისხის...დაწვრილებით -
ოპტიკური ვაკუუმური საფარის მანქანა
ოპტიკური ვაკუუმური მეტალიზატორი არის უახლესი ტექნოლოგია, რომელმაც რევოლუცია მოახდინა ზედაპირის საფარის ინდუსტრიაში. ეს მოწინავე მანქანა იყენებს ოპტიკური ვაკუუმური მეტალიზაციის პროცესს, რათა სხვადასხვა სუბსტრატზე წაუსვას ლითონის თხელი ფენა, რაც ქმნის მაღალამრეკლავ და გამძლე ზედაპირს...დაწვრილებით -
პლაზმის გაძლიერებული ქიმიური ორთქლის დეპონირება, თავი 2
ქიმიური ელემენტების უმეტესობა შეიძლება აორთქლდეს ქიმიურ ჯგუფებთან შერწყმით, მაგ. Si რეაგირებს H-თან SiH4-ის წარმოქმნით, ხოლო Al უერთდება CH3-ს Al(CH3)-ის წარმოქმნით. თერმული CVD პროცესში, ზემოთ ჩამოთვლილი აირები შთანთქავენ გარკვეულ რაოდენობას თერმული ენერგიისა, როდესაც ისინი გაცხელებულ სუბსტრატში გადიან და წარმოქმნიან...დაწვრილებით -
პლაზმური გაძლიერებული ქიმიური ორთქლის დეპონირება თავი 1
ქიმიური ორთქლის დეპონირება (CVD). როგორც სახელიდან ჩანს, ეს არის ტექნიკა, რომელიც იყენებს აირისებრი წინამორბედი რეაქტანტების გამოყენებას მყარი აპკების წარმოსაქმნელად ატომური და მოლეკულათშორისი ქიმიური რეაქციების საშუალებით. PVD-სგან განსხვავებით, CVD პროცესი ძირითადად ხორციელდება მაღალი წნევის (დაბალი ვაკუუმის) გარემოში...დაწვრილებით -
პროცესის ელემენტები და მოქმედების მექანიზმები, რომლებიც გავლენას ახდენენ თხელი ფირის მოწყობილობების ხარისხზე (ნაწილი 2)
3. სუბსტრატის ტემპერატურის გავლენა სუბსტრატის ტემპერატურა მემბრანის ზრდის ერთ-ერთი მნიშვნელოვანი პირობაა. ის უზრუნველყოფს მემბრანის ატომების ან მოლეკულების დამატებით ენერგიას და ძირითადად გავლენას ახდენს მემბრანის სტრუქტურაზე, აგლუტინაციის კოეფიციენტზე, გაფართოების კოეფიციენტზე და აგრეგაციაზე...დაწვრილებით -
თხელი ფირის მოწყობილობების ხარისხზე მოქმედი პროცესის ფაქტორები და მექანიზმები (ნაწილი 1)
ოპტიკური თხელი აპკის მოწყობილობების წარმოება ვაკუუმურ კამერაში ხორციელდება და აპკის ფენის ზრდა მიკროსკოპული პროცესია. თუმცა, ამჟამად, მაკროსკოპული პროცესები, რომელთა პირდაპირი კონტროლი შესაძლებელია, არის ზოგიერთი მაკროსკოპული ფაქტორი, რომელსაც არაპირდაპირი კავშირი აქვს ხარისხთან...დაწვრილებით -
აორთქლების ტექნოლოგიის განვითარების ისტორიის შესავალი
მყარი მასალების მაღალი ვაკუუმის გარემოში გაცხელების პროცესი სუბლიმაციის ან აორთქლების მიზნით და მათი კონკრეტულ სუბსტრატზე თხელი ფენის მისაღებად დალექვის მიზნით ცნობილია, როგორც ვაკუუმური აორთქლების საფარი (მოხსენიებული, როგორც აორთქლების საფარი). თხელი ფენების ვაკუუმური აორთქლებით მიღების ისტორია...დაწვრილებით -
ITO საფარის შესავალი
ინდიუმის კალის ოქსიდი (ინდიუმის კალის ოქსიდი, ასევე ცნობილი როგორც ITO) არის ფართო ზოლური უფსკრულის მქონე, ძლიერ დოპირებული n-ტიპის ნახევარგამტარული მასალა, მაღალი ხილული სინათლის გამტარობით და დაბალი წინაღობის მახასიათებლებით, და ამიტომ ფართოდ გამოიყენება მზის უჯრედებში, ბრტყელპანელიან დისპლეებში, ელექტროქრომულ ფანჯრებში, არაორგანულ და ორგანულ...დაწვრილებით -
ლაბორატორიული ვაკუუმური დატრიალებული საფარის მანქანა
ლაბორატორიული ვაკუუმური სპინინგ-დამფარავი მოწყობილობები მნიშვნელოვანი ინსტრუმენტებია თხელი ფენის დაფენისა და ზედაპირის მოდიფიკაციის სფეროში. ეს მოწინავე აღჭურვილობა შექმნილია სხვადასხვა მასალის თხელი ფენების ზუსტად და თანაბრად დასატანად სუბსტრატებზე. პროცესი მოიცავს თხევადი ხსნარის ან სუსპენზიის გამოყენებას...დაწვრილებით -
იონური სხივის დახმარებით დეპონირების რეჟიმი და მისი ენერგიის შერჩევა
იონური სხივის დახმარებით დეპონირების ორი ძირითადი რეჟიმი არსებობს, ერთი დინამიური ჰიბრიდია; მეორე სტატიკური ჰიბრიდი. პირველი გულისხმობს, რომ ზრდის პროცესში აპკს ყოველთვის თან ახლავს იონური დაბომბვისა და აპკის გარკვეული ენერგია და სხივური დენა; ეს უკანასკნელი წინასწარ დეპონირდება ზედაპირზე...დაწვრილებით -
იონური სხივური დეპონირების ტექნოლოგია
① იონური სხივური დეპონირების ტექნოლოგია ხასიათდება აპკსა და სუბსტრატს შორის ძლიერი ადჰეზიით, აპკის ფენა ძალიან მტკიცეა. ექსპერიმენტებმა აჩვენა, რომ: იონური სხივური დეპონირების ადჰეზია რამდენჯერმე გაიზარდა თერმული ორთქლის დეპონირების ადჰეზიასთან შედარებით ასობითჯერ...დაწვრილებით -
ვაკუუმური იონური საფარი
ვაკუუმური იონური საფარი (მოხსენიებული, როგორც იონური მოოქროვება) შეერთებულ შტატებში 1963 წელს Somdia კომპანია DM Mattox-მა შემოგვთავაზა, 1970-იან წლებში კი ახალი ზედაპირული დამუშავების ტექნოლოგია სწრაფად განვითარდა. ეს გულისხმობს აორთქლების წყაროს ან გაფრქვევის სამიზნის გამოყენებას ვაკუუმურ ატმოსფეროში ისე, რომ ფილმი...დაწვრილებით -
დაფარული მინის ფირის ფენის მოხსნის გზა
დაფარული მინა იყოფა აორთქლებით დაფარულ, მაგნეტრონული გაფრქვევით დაფარულ და ხაზოვანი ორთქლით დალექილ დაფარულ მინად. რადგან ფირის მომზადების მეთოდი განსხვავებულია, ფირის მოხსნის მეთოდიც განსხვავებულია. წინადადება 1, მარილმჟავას და თუთიის ფხვნილის გამოყენება გასაპრიალებლად და გასაპრიალებლად...დაწვრილებით -
საჭრელი ხელსაწყოების საფარის როლი - თავი 2
ძალიან მაღალ ჭრის ტემპერატურაზეც კი, საჭრელი ხელსაწყოს გამოყენების ვადა შეიძლება გაიზარდოს საფარით, რითაც მნიშვნელოვნად შემცირდება დამუშავების ხარჯები. გარდა ამისა, საჭრელი ხელსაწყოს საფარი ამცირებს საპოხი სითხეების საჭიროებას. არა მხოლოდ ამცირებს მასალის ხარჯებს, არამედ ხელს უწყობს გარემოს დაცვას...დაწვრილებით
