به شرکت فناوری گوانگدونگ ژنهوا خوش آمدید.
بنر_صفحه

اخبار

  • روکش‌های خلاء ضد اثر انگشت فلزی

    استفاده از دستگاه‌های پوشش‌دهی وکیوم ضد اثر انگشت فلزات، پیشرفت بزرگی در فناوری محافظت از سطوح محسوب می‌شود. این دستگاه‌ها با ترکیب فناوری وکیوم و پوشش‌های تخصصی، یک لایه نازک و مقاوم در برابر سایش روی سطوح فلزی ایجاد می‌کنند که از اثر انگشت و سایر آسیب‌ها محافظت می‌کند...
    ادامه مطلب
  • دستگاه پوشش خلاء عملی

    در زمینه‌های تولید پیشرفته و صنعتی، تقاضا برای دستگاه‌های پوشش‌دهی خلاء کاربردی رو به افزایش است. این دستگاه‌های پیشرفته، انقلابی در نحوه پوشش‌دهی انواع مواد ایجاد می‌کنند و دوام، عملکرد و زیبایی‌شناسی بیشتری را ارائه می‌دهند. در این وبلاگ ...
    ادامه مطلب
  • اصل انتخاب مواد هدف و طبقه‌بندی

    اصل انتخاب مواد هدف و طبقه‌بندی

    با توسعه روزافزون فناوری پوشش‌دهی کندوپاش، به ویژه فناوری پوشش‌دهی کندوپاش مگنترون، در حال حاضر، برای هر ماده‌ای می‌توان فیلم هدف بمباران یونی تهیه کرد، زیرا هدف در فرآیند پوشش‌دهی به نوعی زیرلایه، کندوپاش می‌شود، کیفیت...
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌های اصلی پوشش‌دهی با روش کندوپاش RF

    ویژگی‌های اصلی پوشش‌دهی با روش کندوپاش RF

    الف) نرخ پاشش بالا. به عنوان مثال، هنگام پاشش SiO2، نرخ رسوب می‌تواند تا 200 نانومتر در دقیقه، معمولاً تا 10 تا 100 نانومتر در دقیقه باشد. و نرخ تشکیل فیلم مستقیماً با توان فرکانس بالا متناسب است. ب) چسبندگی بین فیلم و زیرلایه بیشتر از بخار خلاء است...
    ادامه مطلب
  • خطوط پوشش تولید فیلم لامپ خودرو

    خطوط تولید فیلم چراغ خودرو بخش اساسی صنعت تولید خودرو هستند. این خطوط تولید مسئول پوشش و تولید فیلم چراغ خودرو هستند که نقش مهمی در افزایش زیبایی شناسی و عملکرد چراغ های خودرو دارند. با افزایش تقاضا برای محصولات با کیفیت بالا...
    ادامه مطلب
  • نقش میدان مغناطیسی در کندوپاش مگنترونی

    نقش میدان مغناطیسی در کندوپاش مگنترونی

    کندوپاش مگنترون عمدتاً شامل انتقال پلاسمای تخلیه، حکاکی هدف، رسوب لایه نازک و سایر فرآیندها است، میدان مغناطیسی بر فرآیند کندوپاش مگنترون تأثیر خواهد گذاشت. در سیستم کندوپاش مگنترون به علاوه میدان مغناطیسی متعامد، الکترون‌ها در معرض ...
    ادامه مطلب
  • الزامات سیستم پمپاژ دستگاه پوشش خلاء

    الزامات سیستم پمپاژ دستگاه پوشش خلاء

    دستگاه پوشش‌دهی خلاء روی سیستم پمپاژ دارای الزامات اساسی زیر است: (1) سیستم پوشش‌دهی خلاء باید نرخ پمپاژ به اندازه کافی بزرگی داشته باشد، که نه تنها گازهای آزاد شده از زیرلایه و مواد تبخیر شده و اجزای موجود در محفظه خلاء را به سرعت پمپ کند...
    ادامه مطلب
  • دستگاه پوشش PVD جواهرات

    دستگاه پوشش PVD جواهرات از فرآیندی به نام رسوب فیزیکی بخار (PVD) برای اعمال یک پوشش نازک اما بادوام روی قطعات جواهرات استفاده می‌کند. این فرآیند شامل استفاده از اهداف فلزی جامد با خلوص بالا است که در محیط خلاء تبخیر می‌شوند. بخار فلزی حاصل سپس ...
    ادامه مطلب
  • دستگاه پوشش خلاء PVD انعطاف پذیر کوچک

    یکی از مزایای اصلی دستگاه‌های پوشش‌دهی خلاء PVD کوچک و انعطاف‌پذیر، تطبیق‌پذیری آنهاست. این دستگاه‌ها برای تطبیق با انواع زیرلایه‌ها با اندازه‌ها و شکل‌های مختلف طراحی شده‌اند و آنها را برای فرآیندهای تولید در مقیاس کوچک یا سفارشی ایده‌آل می‌کنند. علاوه بر این، اندازه جمع و جور و پیکربندی انعطاف‌پذیر آن...
    ادامه مطلب
  • دستگاه پوشش خلاء ابزارهای برش

    در صنعت تولید که دائماً در حال تکامل است، ابزارهای برش نقش حیاتی در شکل‌دهی محصولاتی که هر روز استفاده می‌کنیم، ایفا می‌کنند. از برش دقیق در صنعت هوافضا گرفته تا طرح‌های پیچیده در حوزه پزشکی، تقاضا برای ابزارهای برش با کیفیت بالا همچنان رو به افزایش است. برای برآوردن این تقاضا، ایالات متحده...
    ادامه مطلب
  • اثر بمباران یونی بر سطح مشترک لایه فیلم/زیرلایه

    اثر بمباران یونی بر سطح مشترک لایه فیلم/زیرلایه

    وقتی رسوب اتم‌های غشا شروع می‌شود، بمباران یونی اثرات زیر را بر روی سطح مشترک غشا/بستر دارد. (1) اختلاط فیزیکی. به دلیل تزریق یون‌های پرانرژی، کندوپاش اتم‌های رسوب‌شده و تزریق پس‌زنی اتم‌های سطحی و پدیده برخورد آبشاری، با...
    ادامه مطلب
  • احیا و توسعه پوشش‌دهی با روش کندوپاش در خلاء

    احیا و توسعه پوشش‌دهی با روش کندوپاش در خلاء

    کندوپاش پدیده‌ای است که در آن ذرات پرانرژی (معمولاً یون‌های مثبت گازها) به سطح یک جامد (که در زیر به آن ماده هدف گفته می‌شود) برخورد می‌کنند و باعث می‌شوند اتم‌ها (یا مولکول‌ها) روی سطح ماده هدف از آن فرار کنند. این پدیده توسط گروو در سال ۱۸۴۲ کشف شد، زمانی که...
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌های پوشش‌دهی به روش کندوپاش مگنترون فصل 2

    ویژگی‌های پوشش‌دهی به روش کندوپاش مگنترون فصل 2

    ویژگی‌های پوشش‌دهی مگنترون اسپاترینگ (3) اسپاترینگ کم‌انرژی. به دلیل ولتاژ کاتد پایین اعمال‌شده به هدف، پلاسما توسط میدان مغناطیسی در فضای نزدیک کاتد محصور می‌شود و در نتیجه ذرات باردار پرانرژی را به سمت زیرلایه مورد نظر مهار می‌کند. ...
    ادامه مطلب
  • ویژگی‌های پوشش‌دهی به روش کندوپاش مگنترون فصل 1

    ویژگی‌های پوشش‌دهی به روش کندوپاش مگنترون فصل 1

    در مقایسه با سایر فناوری‌های پوشش‌دهی، پوشش‌دهی با روش کندوپاش مگنترون با ویژگی‌های زیر مشخص می‌شود: پارامترهای کاری دارای محدوده تنظیم دینامیکی وسیعی از سرعت رسوب پوشش هستند و ضخامت (وضعیت ناحیه پوشش داده شده) به راحتی قابل کنترل است و هیچ مشکل طراحی وجود ندارد...
    ادامه مطلب
  • فناوری رسوب‌گذاری به کمک پرتو یونی

    فناوری رسوب‌گذاری به کمک پرتو یونی

    فناوری رسوب‌گذاری به کمک پرتو یونی، فناوری پوشش‌دهی با تزریق پرتو یونی و رسوب بخار است که با فناوری پردازش کامپوزیت سطح یونی ترکیب شده است. در فرآیند اصلاح سطح مواد تزریق‌شده با یون، چه مواد نیمه‌هادی و چه مواد مهندسی، این فناوری...
    ادامه مطلب