গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs) Ⅲ~V যৌগিক ব্যাটারির রূপান্তর দক্ষতা ২৮% পর্যন্ত হয়। GaAs যৌগিক উপাদানটির একটি অত্যন্ত আদর্শ অপটিক্যাল ব্যান্ড গ্যাপ রয়েছে, পাশাপাশি এর উচ্চ শোষণ ক্ষমতা, বিকিরণের প্রতি শক্তিশালী প্রতিরোধ ক্ষমতা এবং তাপ অসংবেদনশীলতা এটিকে উচ্চ-দক্ষতাসম্পন্ন একক-জাংশন ব্যাটারি তৈরির জন্য উপযুক্ত করে তুলেছে। তবে, GaAs উপাদানের দাম বেশি না হওয়ায়, GaAs ব্যাটারির জনপ্রিয়তা অনেকাংশে সীমিত হয়ে পড়েছে।
কপার ইন্ডিয়াম সেলেনাইড থিন ফিল্ম ব্যাটারি (সংক্ষেপে সিআইএস) আলোক-বৈদ্যুতিক রূপান্তরের জন্য উপযুক্ত। এতে কোনো আলোক-বৈদ্যুতিক অবক্ষয় নেই, রূপান্তর দক্ষতা ভালো এবং পলিসিলিকনের মতো কম দাম, ভালো কর্মক্ষমতা, প্রক্রিয়াকরণের সরলতা ও অন্যান্য সুবিধার কারণে এটি সৌর কোষের ভবিষ্যৎ উন্নয়নের একটি গুরুত্বপূর্ণ দিক হয়ে উঠবে। একমাত্র সমস্যা হলো এর উপাদানের উৎস। যেহেতু ইন্ডিয়াম এবং সেলেনিয়াম তুলনামূলকভাবে দুর্লভ মৌল, তাই এই ধরনের ব্যাটারির উন্নয়ন সীমিত হতে বাধ্য।
(3) জৈব পলিমার সৌর কোষ
সৌর কোষ উৎপাদনের ক্ষেত্রে অজৈব পদার্থের পরিবর্তে জৈব পলিমার ব্যবহার একটি গবেষণার দিক। যেহেতু জৈব পদার্থের ভালো নমনীয়তা, সহজে তৈরি করার সুবিধা, বিভিন্ন ধরনের কাঁচামালের উৎস, কম খরচ এবং অন্যান্য সুবিধা রয়েছে, তাই সৌরশক্তির ব্যাপক ব্যবহার এবং সস্তা বিদ্যুৎ সরবরাহের ক্ষেত্রে এর গুরুত্ব অপরিসীম। তবে, সৌর কোষ তৈরিতে জৈব পদার্থ ব্যবহারের গবেষণা সবেমাত্র শুরু হয়েছে। এর কার্যকাল বা ব্যাটারির কার্যকারিতা, কোনো দিক থেকেই এটিকে অজৈব পদার্থ, বিশেষ করে সিলিকন ব্যাটারির সাথে তুলনা করা যায় না। এটিকে একটি বাস্তব ও গুরুত্বপূর্ণ পণ্যে পরিণত করা সম্ভব হবে কিনা, তা আরও গবেষণার বিষয়।
(4) ন্যানোক্রিস্টালাইন সৌর কোষ (রঞ্জক-সংবেদী সৌর কোষ)
ন্যানো Ti02, ক্রিস্টালাইন রাসায়নিক শক্তি সৌর কোষ হলো নতুনভাবে উদ্ভাবিত একটি প্রযুক্তি, যার খরচ কম, উৎপাদন প্রক্রিয়া সহজ এবং কর্মক্ষমতা স্থিতিশীল। এর ফটোভোল্টাইক দক্ষতা ১০%-এর বেশি স্থিতিশীল, উৎপাদন খরচ সিলিকন সৌর কোষের মাত্র ১/৫ থেকে ১/১০ ভাগ এবং এর আয়ুষ্কাল ২০ বছরেরও বেশি হতে পারে। তবে, যেহেতু এই ধরনের কোষের গবেষণা ও উন্নয়ন সবেমাত্র শুরু হয়েছে, তাই ধারণা করা হচ্ছে যে অদূর ভবিষ্যতে এগুলো ধীরে ধীরে বাজারে আসবে।
–এই নিবন্ধটি প্রকাশ করেছেভ্যাকুয়াম কোটিং মেশিন প্রস্তুতকারকগুয়াংডং জেনহুয়া
পোস্ট করার সময়: ২৪-মে-২০২৪