Indium Tin Oxide (ITO) là một oxit dẫn điện trong suốt (TCO) được sử dụng rộng rãi, kết hợp cả độ dẫn điện cao và độ trong suốt quang học tuyệt vời. Nó đặc biệt quan trọng trong các tế bào năng lượng mặt trời silicon tinh thể (c-Si), nơi nó đóng vai trò chính trong việc cải thiện hiệu quả chuyển đổi năng lượng bằng cách hoạt động như một điện cực trong suốt hoặc một lớp tiếp xúc.
Trong các tế bào quang điện silicon tinh thể, lớp phủ ITO chủ yếu được sử dụng làm lớp tiếp xúc phía trước để thu thập các hạt mang được tạo ra trong khi cho phép càng nhiều ánh sáng càng tốt đi qua lớp silicon hoạt động. Công nghệ này đã thu hút được sự chú ý đáng kể, đặc biệt là đối với các loại tế bào quang điện hiệu suất cao như tế bào quang điện heterojunction (HJT) và tế bào quang điện tiếp xúc phía sau.
| Chức năng | Tác dụng |
|---|---|
| Độ dẫn điện | Cung cấp một con đường có điện trở thấp để các electron di chuyển từ pin đến mạch ngoài. |
| Độ trong suốt quang học | Cho phép truyền tải ánh sáng cao, đặc biệt là trong quang phổ khả kiến, tối đa hóa lượng ánh sáng chiếu tới lớp silicon. |
| thụ động bề mặt | Giúp giảm sự tái hợp bề mặt, tăng cường hiệu quả tổng thể của pin mặt trời. |
| Độ bền và ổn định | Có độ ổn định cơ học và hóa học tuyệt vời, đảm bảo tuổi thọ và độ tin cậy của pin mặt trời trong điều kiện ngoài trời. |
Ưu điểm của lớp phủ ITO cho tế bào năng lượng mặt trời silicon tinh thể
Độ trong suốt cao:
ITO có độ trong suốt cao trong quang phổ ánh sáng khả kiến (khoảng 85-90%), đảm bảo rằng nhiều ánh sáng hơn có thể được hấp thụ bởi lớp silicon bên dưới, cải thiện hiệu quả chuyển đổi năng lượng.
Điện trở suất thấp:
ITO có độ dẫn điện tốt, đảm bảo thu thập electron hiệu quả từ bề mặt silicon. Điện trở suất thấp của nó đảm bảo tổn thất điện năng tối thiểu do lớp tiếp xúc phía trước.
Độ ổn định về mặt hóa học và cơ học:
Lớp phủ ITO có khả năng chống chịu tuyệt vời với sự xuống cấp của môi trường, chẳng hạn như ăn mòn, và ổn định dưới nhiệt độ cao và tiếp xúc với tia UV. Điều này rất quan trọng đối với các ứng dụng năng lượng mặt trời phải chịu được điều kiện khắc nghiệt ngoài trời.
Sự thụ động bề mặt:
ITO cũng có thể giúp thụ động hóa bề mặt silicon, làm giảm sự tái hợp bề mặt và cải thiện hiệu suất tổng thể của pin mặt trời.
Thời gian đăng: 29-11-2024