İnce filmlerin elektronik özellikleri, dökme malzemelerinkinden önemli ölçüde farklıdır ve ince filmler üzerinde görülen bazı fiziksel etkilerin dökme malzemelerde bulunması zordur.
Toplu metaller için, direnç sıcaklığın azalması nedeniyle azalır. Yüksek sıcaklıklarda, direnç sıcaklıkla birlikte yalnızca bir kez azalırken, düşük sıcaklıklarda direnç sıcaklıkla birlikte beş kat azalır. Ancak ince filmler için durum tamamen farklıdır. Bir yandan, ince filmlerin özdirenci toplu metallerden daha yüksektir ve diğer yandan, ince filmlerin özdirenci sıcaklık azaldıktan sonra toplu metallerden daha hızlı azalır. Bunun nedeni, ince filmler durumunda, yüzey saçılmasının dirence katkısının daha fazla olmasıdır.
Anormal ince film iletkenliğinin bir başka tezahürü, manyetik alanın ince film direnci üzerindeki etkisidir. İnce bir filmin dış bir manyetik alanın etkisi altındaki direnci, blok benzeri bir malzemenin direncinden daha büyüktür. Bunun nedeni, film spiral yörünge boyunca ileri doğru hareket ettiğinde, spiral çizgisinin yarıçapı filmin kalınlığından daha büyük olduğu sürece, elektronların hareket süreci sırasında yüzeyde saçılması ve bunun sonucunda ek bir direnç oluşmasıdır. Bu da filmin direncinin blok benzeri malzemenin direncinden daha büyük olmasına yol açar. Aynı zamanda, manyetik alanın etkisi olmadan da filmin direncinden daha büyük olacaktır. Film direncinin manyetik alana olan bu bağımlılığına Manyetodirenç etkisi denir ve bu genellikle manyetik alan şiddetini ölçmek için kullanılır. Örneğin, a-Si, CulnSe2 ve CaSe ince film güneş hücreleri ve ayrıca Al203 CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO, vb.
Gönderi zamanı: 11-Ağu-2023