De elektroniska egenskaperna hos tunnfilmer skiljer sig avsevärt från de hos bulkmaterial, och vissa fysiska effekter som visas på tunnfilmer är svåra att hitta på bulkmaterial.
För bulkmetaller minskar resistansen på grund av en temperatursänkning. Vid höga temperaturer minskar resistansen bara en gång med temperaturen, medan resistansen vid låga temperaturer minskar fem gånger med temperaturen. För tunna filmer är det dock helt annorlunda. Å ena sidan är resistiviteten hos tunna filmer högre än hos bulkmetaller, och å andra sidan minskar resistiviteten hos tunna filmer snabbare än hos bulkmetaller efter att temperaturen sjunkit. Detta beror på att i fallet med tunna filmer är bidraget från ytspridning till resistansen större.
En annan manifestation av onormal tunnfilmsledningsförmåga är magnetfältets inverkan på tunnfilmsresistansen. Resistansen hos en tunn film under inverkan av ett externt magnetfält är större än hos ett blockliknande material. Anledningen är att när filmen rör sig framåt längs spiralbanan, så länge radien för dess spirallinje är större än filmens tjocklek, kommer elektroner att spridas på ytan under rörelseprocessen, vilket resulterar i ett ytterligare resistans, vilket leder till att filmens resistans är större än det blockliknande materialets. Samtidigt kommer den också att vara större än filmens resistans utan inverkan av ett magnetfält. Detta beroende av filmresistans på magnetfältet kallas magnetoresistanseffekten, som vanligtvis används för att mäta magnetfältets styrka. Till exempel a-Si, CulnSe2 och CaSe tunnfilmssolceller, såväl som Al203 CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO, etc.
Publiceringstid: 11 augusti 2023