ਧਾਤ ਦੀਆਂ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀਆਂ ਬਿਜਲੀ ਚਾਲਕਤਾ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਗੁਣ ਥੋਕ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਨਾਲੋਂ ਕਾਫ਼ੀ ਵੱਖਰੇ ਹੁੰਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ 'ਤੇ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਿਤ ਕੁਝ ਭੌਤਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵ ਥੋਕ ਸਮੱਗਰੀਆਂ 'ਤੇ ਲੱਭਣਾ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਥੋਕ ਧਾਤਾਂ ਲਈ, ਤਾਪਮਾਨ ਵਿੱਚ ਕਮੀ ਦੇ ਕਾਰਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ, ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਵਾਰ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਘੱਟ ਤਾਪਮਾਨ 'ਤੇ, ਤਾਪਮਾਨ ਦੇ ਨਾਲ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਪੰਜ ਗੁਣਾ ਘੱਟ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਲਈ, ਇਹ ਬਿਲਕੁਲ ਵੱਖਰਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਪਾਸੇ, ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਥੋਕ ਧਾਤਾਂ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਅਤੇ ਦੂਜੇ ਪਾਸੇ, ਤਾਪਮਾਨ ਘਟਣ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੀ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਕਤਾ ਥੋਕ ਧਾਤਾਂ ਨਾਲੋਂ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਘੱਟ ਜਾਂਦੀ ਹੈ। ਇਹ ਇਸ ਲਈ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਪਤਲੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਦੇ ਮਾਮਲੇ ਵਿੱਚ, ਸਤ੍ਹਾ ਦੇ ਖਿੰਡਣ ਦਾ ਵਿਰੋਧ ਵਿੱਚ ਯੋਗਦਾਨ ਜ਼ਿਆਦਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।

ਅਸਧਾਰਨ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਚਾਲਕਤਾ ਦਾ ਇੱਕ ਹੋਰ ਪ੍ਰਗਟਾਵਾ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ 'ਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦਾ ਪ੍ਰਭਾਵ ਹੈ। ਇੱਕ ਬਾਹਰੀ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਅਧੀਨ ਇੱਕ ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਦਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਇੱਕ ਬਲਾਕ ਵਰਗੇ ਪਦਾਰਥ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਕਾਰਨ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਜਦੋਂ ਫਿਲਮ ਸਪਿਰਲ ਟ੍ਰੈਜੈਕਟਰੀ ਦੇ ਨਾਲ ਅੱਗੇ ਵਧਦੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਤੱਕ ਇਸਦੀ ਸਪਿਰਲ ਲਾਈਨ ਦਾ ਘੇਰਾ ਫਿਲਮ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਗਤੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਦੌਰਾਨ ਇਲੈਕਟ੍ਰੌਨ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਖਿੰਡ ਜਾਂਦੇ ਹਨ, ਜਿਸਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਇੱਕ ਵਾਧੂ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਫਿਲਮ ਦਾ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਬਲਾਕ ਵਰਗੇ ਪਦਾਰਥ ਨਾਲੋਂ ਵੱਧ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਇਸਦੇ ਨਾਲ ਹੀ, ਇਹ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦੀ ਕਿਰਿਆ ਤੋਂ ਬਿਨਾਂ ਫਿਲਮ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਨਾਲੋਂ ਵੀ ਵੱਧ ਹੋਵੇਗਾ। ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ 'ਤੇ ਫਿਲਮ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਦੀ ਇਸ ਨਿਰਭਰਤਾ ਨੂੰ ਮੈਗਨੇਟੋਰੇਸਿਸਟੈਂਸ ਪ੍ਰਭਾਵ ਕਿਹਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਚੁੰਬਕੀ ਖੇਤਰ ਦੀ ਤਾਕਤ ਨੂੰ ਮਾਪਣ ਲਈ ਵਰਤਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, a-Si, CulnSe2, ਅਤੇ CaSe ਪਤਲੀ ਫਿਲਮ ਸੂਰਜੀ ਸੈੱਲ, ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ Al203 CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO, ਆਦਿ।