De elektronische eigenschappen van dunne films verschillen aanzienlijk van die van bulkmaterialen. Bovendien zijn sommige fysieke effecten die op dunne films voorkomen, moeilijk terug te vinden op bulkmaterialen.
Voor bulkmetalen neemt de weerstand af door een temperatuurdaling. Bij hoge temperaturen neemt de weerstand slechts één keer af met de temperatuur, terwijl deze bij lage temperaturen vijf keer afneemt met de temperatuur. Voor dunne films is dit echter compleet anders. Enerzijds is de soortelijke weerstand van dunne films hoger dan die van bulkmetalen, en anderzijds neemt de soortelijke weerstand van dunne films sneller af dan die van bulkmetalen na een temperatuurdaling. Dit komt doordat bij dunne films de bijdrage van oppervlakteverstrooiing aan de weerstand groter is.
Een andere manifestatie van abnormale geleidbaarheid van dunne films is de invloed van een magnetisch veld op de weerstand van dunne films. De weerstand van een dunne film onder invloed van een extern magnetisch veld is groter dan die van een blokvormig materiaal. De reden hiervoor is dat wanneer de film zich langs een spiraalvormige baan voortbeweegt, zolang de straal van de spiraallijn groter is dan de dikte van de film, elektronen tijdens het bewegingsproces aan het oppervlak zullen verstrooien, wat resulteert in een extra weerstand. Dit leidt ertoe dat de weerstand van de film groter is dan die van het blokvormige materiaal. Tegelijkertijd zal deze ook groter zijn dan de weerstand van de film zonder de werking van een magnetisch veld. Deze afhankelijkheid van de filmweerstand van het magnetische veld wordt het magnetoweerstandseffect genoemd en wordt meestal gebruikt om de magnetische veldsterkte te meten. Bijvoorbeeld, a-Si, CulnSe2 en CaSe dunnefilmzonnecellen, evenals Al2O3 CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO, enz.
Plaatsingstijd: 11-08-2023