Indžio alavo oksidas (ITO) yra plačiai naudojamas skaidrus laidus oksidas (TCO), pasižymintis dideliu elektriniu laidumu ir puikiu optiniu skaidrumu. Jis ypač svarbus kristalinio silicio (c-Si) saulės elementuose, kur atlieka pagrindinį vaidmenį gerinant energijos konversijos efektyvumą, nes tarnauja kaip skaidrus elektrodas arba kontaktinis sluoksnis.
Kristalinio silicio saulės elementuose ITO dangos daugiausia naudojamos kaip priekinis kontaktinis sluoksnis, skirtas surinkti susidariusius krūvininkus, tuo pačiu praleidžiant kuo daugiau šviesos į aktyvųjį silicio sluoksnį. Ši technologija sulaukė didelio dėmesio, ypač kalbant apie didelio efektyvumo elementų tipus, tokius kaip heterosandūros (HJT) ir galinio kontakto saulės elementus.
| Funkcija | Poveikis |
|---|---|
| Elektros laidumas | Suteikia mažos varžos kelią elektronams keliauti iš ląstelės į išorinę grandinę. |
| Optinis skaidrumas | Užtikrina didelį šviesos pralaidumą, ypač matomoje spektro dalyje, maksimaliai padidinant šviesos kiekį, pasiekiantį silicio sluoksnį. |
| Paviršiaus pasyvavimas | Padeda sumažinti paviršiaus rekombinaciją, padidinant bendrą saulės elemento efektyvumą. |
| Patvarumas ir stabilumas | Pasižymi puikiu mechaniniu ir cheminiu stabilumu, užtikrinančiu saulės elementų ilgaamžiškumą ir patikimumą lauko sąlygomis. |
ITO dangos privalumai kristalinio silicio saulės elementams
Didelis skaidrumas:
ITO pasižymi dideliu skaidrumu matomoje šviesoje (apie 85–90 %), todėl po juo esantis silicio sluoksnis gali sugerti daugiau šviesos, taip pagerindamas energijos konversijos efektyvumą.
Mažas varžos koeficientas:
ITO pasižymi geru elektriniu laidumu, užtikrindamas efektyvų elektronų surinkimą nuo silicio paviršiaus. Maža varža užtikrina minimalius energijos nuostolius dėl priekinio kontaktinio sluoksnio.
Cheminis ir mechaninis stabilumas:
ITO dangos pasižymi puikiu atsparumu aplinkos poveikiui, pavyzdžiui, korozijai, ir yra stabilios esant aukštai temperatūrai bei UV spindulių poveikiui. Tai labai svarbu saulės energijos sistemoms, kurios turi atlaikyti atšiaurias lauko sąlygas.
Paviršiaus pasyvavimas:
ITO taip pat gali padėti pasyvuoti silicio paviršių, mažinant paviršiaus rekombinaciją ir gerinant bendrą saulės elemento našumą.
Įrašo laikas: 2024 m. lapkričio 29 d.