Technologia depositionis vaporis chemici plasmatis aucti arcu filorum calidorum utitur sclopeto arcus filorum calidorum ad plasmam arcus emittendum, abbreviato ut technologia PECVD arcus filorum calidorum. Haec technologia similis est technologiae obductionis ionum sclopeti arcus filorum calidorum, sed differentia est quod pellicula solida per arcum filorum obtenta...
1. Technologia CVD thermica Obductio dura plerumque est obductio metallo-ceramica (TiN, etc.), quae per reactionem metalli in obductione et gasificationem reactivam formantur. Primo, technologia CVD thermica adhibita est ad energiam activationis reactionis combinationis per energiam thermalem ad ... praebendam.
Obductio fontis evaporationis resistentiae est methodus fundamentalis obductionis evaporationis vacui. "Evaporatio" significat methodum praeparationis pelliculae tenuis in qua materia obductionis in camera vacui calefacta et evaporatur, ita ut atomi vel moleculae materiae vaporentur et effugiantur ex...
Technologia obductionis ionum arcus cathodici technologiam exonerationis arcus campi frigidi adhibet. Prima applicatio technologiae exonerationis arcus campi frigidi in campo obductionis a Societate Multi Arc in Civitatibus Foederatis Americae facta est. Nomen Anglicum huius processus est arc ionplating (AIP). Obductio ionum arcus cathodici...
Multae sunt species substratorum pro vitris et lentibus, ut CR39, PC (polycarbonatum), 1.53 Trivex156, plastica indicis refractionis medii, vitrum, etc. Pro lentibus correctivis, transmittantia lentium tam resinae quam vitrearum tantum circiter 91% est, et pars lucis a duobus reflectitur...
1. Pellicula obductionis vacuo tenuissima est (plerumque 0.01-0.1 µm) | 2. Obductio vacuo multis materiis plasticis adhiberi potest, ut ABS﹑PE﹑PP﹑PVC﹑PA﹑PC﹑PMMA, etc. 3. Temperatura formationis pelliculae humilis est. In industria ferri et chalybis, temperatura obductionis galvanizationis calidae plerumque inter 400 ℃ et... est.
Post inventionem effectus photovoltaici in Europa anno 1863, Civitates Foederatae Americae primam cellam photovoltaicam cum (Se) anno 1883 fabricaverunt. Initio, cellulae photovoltaicae imprimis in aëroplanis, rebus militaribus aliisque utebantur. Per viginti annos proximos, magna imminutio pretii photovoltaicae...
1. Substratum purgans per bombardamentum 1.1) Machina ad pulverizandum utitur emissione luminescenti ad substratum purgandum. Hoc est, gas argon in cameram immittitur, tensio emissionis est circa 1000V. Postquam fons potentiae accensus est, emissione luminescenti generatur, et substratum purgatur per...
Usus tenuium pellicularum opticarum in instrumentis electronicis usui destinatis, ut telephoniis mobilibus, a lentibus camerarum traditis ad alias directiones, ut puta lentibus camerarum, protectoribus lentium, filtris infrarubris sectoriis (IR-CUT), et obductione NCVM in tegumentis accumulatorum telephonorum cellularium, translatus est. Speculae camerarum...
Technologia obductionis CVD has habet proprietates: 1. Modus operandi apparatus CVD relative simplex et flexibilis est, et pelliculas simplices vel compositas et pelliculas mixturarum metallorum cum diversis proportionibus parare potest; 2. Obductio CVD latam applicationum varietatem habet, et ad prae...
1. Quid est processus obductionis vacui? Quae est functio? Processus, qui obductionis vacui appellatur, evaporationem et pulverisationem cathodicam in ambitu vacuo utitur ad particulas materiae pelliculae emittendas, quae in metallo, vitro, ceramicis, semiconductoribus et partibus plasticis deponuntur ad stratum obductionis formandum, ad ornandum...
Cum apparatus ad obductionem vacui sub condicionibus vacui operetur, apparatus requisitis vacui pro ambitu satisfacere debet. Normae industriales pro variis generibus apparatuum ad obductionem vacui in patria mea constitutae sunt (inter quas condiciones technicae generales pro apparatu ad obductionem vacui,...
Depositio ionum vacui (breviter "ion deposition") est nova technologia tractationis superficiei quae celeriter annis 1970 evoluta est, a DM Mattox societatis Somdia in Civitatibus Foederatis Americae anno 1963 proposita. Refert ad processum utendi fonte evaporationis vel scopo pulverisationis ad evaporandum vel pulverizandum...