Indij-kositar oksid (ITO) je široko korišteni prozirni vodljivi oksid (TCO) koji kombinira visoku električnu vodljivost i izvrsnu optičku prozirnost. Posebno je važan u kristalnim silicijskim (c-Si) solarnim ćelijama, gdje igra ključnu ulogu u poboljšanju učinkovitosti pretvorbe energije služeći kao prozirna elektroda ili kontaktni sloj.
U kristalnim silicijskim solarnim ćelijama, ITO premazi se uglavnom koriste kao prednji kontaktni sloj za skupljanje generiranih nositelja naboja, a istovremeno omogućuju prolaz što veće količine svjetlosti do aktivnog silicijskog sloja. Ova je tehnologija privukla značajnu pozornost, posebno za visokoučinkovite tipove ćelija kao što su heterospojne (HJT) i solarne ćelije sa stražnjim kontaktom.
| Funkcija | Učinak |
|---|---|
| Električna vodljivost | Pruža put niskog otpora za elektrone da putuju od ćelije do vanjskog strujnog kruga. |
| Optička transparentnost | Omogućuje visoku propusnost svjetlosti, posebno u vidljivom spektru, maksimizirajući količinu svjetlosti koja dopire do silicijskog sloja. |
| Površinska pasivizacija | Pomaže u smanjenju površinske rekombinacije, povećavajući ukupnu učinkovitost solarne ćelije. |
| Trajnost i stabilnost | Pokazuje izvrsnu mehaničku i kemijsku stabilnost, osiguravajući dugotrajnost i pouzdanost solarnih ćelija u vanjskim uvjetima. |
Prednosti ITO premaza za kristalne silicijske solarne ćelije
Visoka transparentnost:
ITO ima visoku transparentnost u spektru vidljive svjetlosti (oko 85-90%), što osigurava da temeljni sloj silicija može apsorbirati više svjetlosti, poboljšavajući učinkovitost pretvorbe energije.
Niska otpornost:
ITO nudi dobru električnu vodljivost, osiguravajući učinkovito sakupljanje elektrona s površine silicija. Njegova niska otpornost osigurava minimalan gubitak snage zbog prednjeg kontaktnog sloja.
Kemijska i mehanička stabilnost:
ITO premazi pokazuju izvrsnu otpornost na degradaciju okoliša, poput korozije, te su stabilni pri visokim temperaturama i UV zračenju. To je ključno za solarne primjene koje moraju izdržati teške vanjske uvjete.
Površinska pasivizacija:
ITO također može pomoći u pasivizaciji površine silicija, smanjujući površinsku rekombinaciju i poboljšavajući ukupne performanse solarne ćelije.
Vrijeme objave: 29. studenog 2024.