Elektronička svojstva tankih filmova značajno se razlikuju od svojstava rasutih materijala, a neke fizičke efekte prikazane na tankim filmovima teško je pronaći na rasutim materijalima.
Kod metala u rasutom stanju, otpor se smanjuje zbog smanjenja temperature. Na visokim temperaturama, otpor se smanjuje samo jednom s temperaturom, dok se na niskim temperaturama otpor smanjuje pet puta s temperaturom. Međutim, za tanke filmove je potpuno drugačije. S jedne strane, otpor tankih filmova je veći od otpora metala u rasutom stanju, a s druge strane, otpor tankih filmova se smanjuje brže od otpora metala u rasutom stanju nakon što temperatura padne. To je zato što je u slučaju tankih filmova doprinos površinskog raspršenja otporu veći.
Druga manifestacija abnormalne vodljivosti tankog filma je utjecaj magnetskog polja na otpor tankog filma. Otpor tankog filma pod djelovanjem vanjskog magnetskog polja veći je od otpora blokovskog materijala. Razlog je taj što kada se film kreće naprijed duž spiralne putanje, sve dok je polumjer njegove spiralne linije veći od debljine filma, elektroni će se raspršiti na površini tijekom procesa kretanja, što rezultira dodatnim otporom, što dovodi do toga da je otpor filma veći od otpora blokovskog materijala. Istovremeno, bit će i veći od otpora filma bez djelovanja magnetskog polja. Ova ovisnost otpora filma o magnetskom polju naziva se efekt magnetorezistencije, koji se obično koristi za mjerenje jakosti magnetskog polja. Na primjer, tankoslojne solarne ćelije a-Si, CulnSe2 i CaSe, kao i Al203CeO, CuS, CoO2, CO3O4, CuO, MgF2, SiO, TiO2, ZnS, ZrO itd.
Vrijeme objave: 11. kolovoza 2023.