به شرکت فناوری گوانگدونگ ژنهوا خوش آمدید.
اخبار
-
انواع فناوری CVD
به طور کلی، CVD را میتوان تقریباً به دو نوع تقسیم کرد: یکی رسوب بخار تک محصولی روی زیرلایه از لایه اپیتاکسیال تک کریستالی است که به طور دقیق CVD نامیده میشود؛ دیگری رسوب لایههای نازک روی زیرلایه، از جمله لایههای چند محصولی و آمورف است. بر اساس ...ادامه مطلب -
طیفهای عبوری و بازتابی و رنگ لایههای نازک نوری، فصل ۲
از این رو، ما در شرف روشن کردن موارد زیر هستیم: (1) دستگاههای لایه نازک، طیفهای عبور، بازتاب و رنگ، رابطهی متناظر بین، یعنی طیفی از یک رنگ؛ برعکس، این رابطه "منحصر به فرد" نیست، و به صورت یک چند طیفی رنگی آشکار میشود. بنابراین، لایه...ادامه مطلب -
طیفهای عبوری و بازتابی و رنگ لایههای نازک نوری، فصل ۱
طیفهای عبور و بازتاب و رنگهای لایههای نازک نوری دو ویژگی از دستگاههای لایه نازک هستند که همزمان وجود دارند. 1. طیف عبور و بازتاب، رابطه بین بازتاب و عبور از دستگاههای لایه نازک نوری با طول موج است. این ...ادامه مطلب -
دستگاه پوششدهی خلاء PVD نوری تبخیر لایه نازک AF
دستگاه لایه نشانی خلاء PVD نوری تبخیر لایه نازک AF برای اعمال پوششهای لایه نازک روی دستگاههای تلفن همراه با استفاده از فرآیند رسوب فیزیکی بخار (PVD) طراحی شده است. این فرآیند شامل ایجاد یک محیط خلاء در یک محفظه پوشش است که در آن مواد جامد تبخیر شده و سپس رسوب میکنند...ادامه مطلب -
دستگاه تولید آینه با پوشش خلاء نقره ای آلومینیومی
دستگاه ساخت آینه با پوشش وکیوم نقره آلومینیومی با فناوری پیشرفته و مهندسی دقیق خود، صنعت تولید آینه را متحول کرده است. این دستگاه پیشرفته برای اعمال یک پوشش نازک از نقره آلومینیومی روی سطح شیشه طراحی شده است و آینههایی با کیفیت بالا ایجاد میکند...ادامه مطلب -
دستگاه لایه نشانی در خلاء نوری
متالایزر خلاء نوری یک فناوری پیشرفته است که صنعت پوشش سطوح را متحول کرده است. این دستگاه پیشرفته از فرآیندی به نام متالیزاسیون خلاء نوری برای اعمال یک لایه نازک از فلز بر روی انواع زیرلایهها استفاده میکند و سطحی بسیار بازتابنده و بادوام ایجاد میکند...ادامه مطلب -
رسوب شیمیایی بخار به روش پلاسما - فصل 2
بیشتر عناصر شیمیایی را میتوان با ترکیب آنها با گروههای شیمیایی تبخیر کرد، به عنوان مثال Si با H واکنش میدهد تا SiH4 تشکیل دهد و Al با CH3 ترکیب میشود تا Al(CH3) تشکیل دهد. در فرآیند CVD حرارتی، گازهای فوق مقدار مشخصی از انرژی حرارتی را هنگام عبور از زیرلایه گرم شده جذب میکنند و دوباره تشکیل میدهند...ادامه مطلب -
رسوب شیمیایی بخار به روش پلاسما - فصل 1
رسوب بخار شیمیایی (CVD). همانطور که از نامش پیداست، این تکنیکی است که از واکنشدهندههای پیشساز گازی برای تولید لایههای جامد از طریق واکنشهای شیمیایی اتمی و بین مولکولی استفاده میکند. برخلاف PVD، فرآیند CVD عمدتاً در محیطی با فشار بالاتر (خلأ کمتر) انجام میشود، با...ادامه مطلب -
عناصر فرآیند و مکانیسمهای مؤثر بر کیفیت قطعات لایه نازک (بخش 2)
۳. تأثیر دمای زیرلایه دمای زیرلایه یکی از شرایط مهم برای رشد غشا است. این دما، انرژی اضافی را برای اتمها یا مولکولهای غشا فراهم میکند و عمدتاً بر ساختار غشا، ضریب آگلوتیناسیون، ضریب انبساط و تجمع تأثیر میگذارد...ادامه مطلب -
عوامل و مکانیسمهای فرآیندی مؤثر بر کیفیت قطعات لایه نازک (بخش 1)
ساخت دستگاههای لایه نازک نوری در یک محفظه خلاء انجام میشود و رشد لایه لایه یک فرآیند میکروسکوپی است. با این حال، در حال حاضر، فرآیندهای ماکروسکوپی که میتوانند مستقیماً کنترل شوند، برخی از عوامل ماکروسکوپی هستند که رابطه غیرمستقیمی با کیفیت دارند...ادامه مطلب -
مقدمهای بر تاریخچه توسعه فناوری تبخیر
فرآیند گرم کردن مواد جامد در محیط خلاء بالا برای تصعید یا تبخیر و رسوب آنها روی یک زیرلایه خاص برای بدست آوردن یک لایه نازک، به عنوان پوشش تبخیری در خلاء (که به آن پوشش تبخیری نیز گفته میشود) شناخته میشود. تاریخچه تهیه لایههای نازک با روش تبخیر در خلاء...ادامه مطلب -
مقدمهای بر پوشش ITO
اکسید قلع ایندیوم (اکسید قلع ایندیوم، که به اختصار ITO نامیده میشود) یک ماده نیمههادی نوع n با شکاف نواری پهن و آلاییده شده به شدت قوی است که دارای عبور نور مرئی بالا و مقاومت ویژه کم میباشد و بنابراین به طور گسترده در سلولهای خورشیدی، نمایشگرهای صفحه تخت، پنجرههای الکتروکرومیک، مواد معدنی و آلی ... مورد استفاده قرار میگیرد.ادامه مطلب -
دستگاه پوششدهی چرخشی در خلاء آزمایشگاهی
دستگاههای لایهنشانی چرخشی در خلاء آزمایشگاهی ابزارهای مهمی در زمینه رسوب لایه نازک و اصلاح سطح هستند. این تجهیزات پیشرفته برای اعمال دقیق و یکنواخت لایههای نازک از مواد مختلف بر روی زیرلایهها طراحی شدهاند. این فرآیند شامل اعمال یک محلول مایع یا ...ادامه مطلب -
حالت رسوبگذاری به کمک پرتو یونی و انتخاب انرژی آن
دو حالت اصلی برای رسوبگذاری به کمک پرتو یونی وجود دارد، یکی هیبرید پویا؛ دیگری هیبرید ایستا. حالت اول به فیلمی اشاره دارد که در فرآیند رشد همیشه با انرژی و جریان پرتو مشخصی از بمباران یونی و فیلم همراه است؛ حالت دوم از قبل روی سطح لایه نشانی شده است...ادامه مطلب -
فناوری رسوب پرتو یونی
① فناوری رسوبگذاری به کمک پرتو یونی با چسبندگی قوی بین فیلم و زیرلایه مشخص میشود، لایه فیلم بسیار قوی است. آزمایشها نشان دادهاند که: چسبندگی رسوبگذاری به کمک پرتو یونی نسبت به چسبندگی رسوبگذاری بخار حرارتی چندین برابر افزایش یافته و به صدها برابر رسیده است...ادامه مطلب
