Indio eztainu oxidoa (ITO) eroale oxido garden (TCO) oso erabilia da, eroankortasun elektriko handia eta gardentasun optiko bikaina konbinatzen dituena. Bereziki garrantzitsua da silizio kristalinozko (c-Si) eguzki-zeluletan, non funtsezko zeregina betetzen baitu energia-bihurketaren eraginkortasuna hobetzeko, elektrodo garden edo kontaktu-geruza gisa jardunez.
Silizio kristalinozko eguzki-zeluletan, ITO estaldurak batez ere aurrealdeko kontaktu-geruza gisa erabiltzen dira sortutako eramaileak biltzeko, ahalik eta argi gehien silizio geruza aktibora igarotzen uzteko. Teknologia honek arreta handia piztu du, batez ere eraginkortasun handiko zelula motetarako, hala nola heterojunziorako (HJT) eta atzeko kontaktuko eguzki-zeluletarako.
| Funtzioa | Efektua |
|---|---|
| Eroankortasun elektrikoa | Elektroiek erresistentzia baxuko bidea eskaintzen dute zelulatik kanpoko zirkuitura bidaiatzeko. |
| Gardentasun optikoa | Argiaren transmisio handia ahalbidetzen du, batez ere espektro ikusgaian, silizio geruzara iristen den argi kopurua maximizatuz. |
| Gainazaleko pasibazioa | Gainazaleko birkonbinazioa murrizten laguntzen du, eguzki-zelularen eraginkortasun orokorra hobetuz. |
| Iraunkortasuna eta Egonkortasuna | Eguzki-zelulen iraunkortasuna eta fidagarritasuna bermatuz kanpoko baldintzetan, egonkortasun mekaniko eta kimiko bikaina erakusten du. |
ITO estalduraren abantailak silizio kristalinozko eguzki-zeluletarako
Gardentasun Handia:
ITOk gardentasun handia du ikusgai dagoen argiaren espektroan (% 85-90 inguru), eta horrek bermatzen du azpiko silizio geruzak argi gehiago xurgatu dezakeela, energia-bihurketaren eraginkortasuna hobetuz.
Erresistentzia baxua:
ITOk eroankortasun elektriko ona eskaintzen du, siliziozko gainazaleko elektroien bilketa eraginkorra bermatuz. Bere erresistentzia baxuak potentzia-galera minimoa bermatzen du aurreko kontaktu-geruza dela eta.
Egonkortasun kimikoa eta mekanikoa:
ITO estaldurek erresistentzia bikaina erakusten dute ingurumen-degradazioarekiko, hala nola korrosioarekiko, eta egonkorrak dira tenperatura altuetan eta UV esposizioan. Hori funtsezkoa da kanpoko baldintza gogorrak jasan behar dituzten eguzki-aplikazioetarako.
Gainazaleko pasibazioa:
ITOk silizioaren gainazala pasibatzen ere lagun dezake, gainazaleko birkonbinazioa murriztuz eta eguzki-zelularen errendimendu orokorra hobetuz.
Argitaratze data: 2024ko azaroaren 29a